SilvacoTCAD器件仿真3SilvacoTCAD器件仿真31這一講主要內(nèi)容材料特性設(shè)置物理模型設(shè)置特性獲取結(jié)果分析從例子hemtex01.in看整個(gè)流程*Silvaco學(xué)習(xí)2這一講主要內(nèi)容材料特性設(shè)置*Silvaco學(xué)習(xí)22材料參數(shù)狀態(tài)Material，設(shè)置材料參數(shù)材料參數(shù)和物理模型的選取有關(guān)，常用的參數(shù)及說(shuō)明如下：*Silvaco學(xué)習(xí)3材料參數(shù)狀態(tài)Material，設(shè)置材料參數(shù)*Silvaco學(xué)3材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)4材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)44材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)5材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)55材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)6材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)66能帶參數(shù)能帶結(jié)構(gòu)示意圖*Silvaco學(xué)習(xí)7能帶不連續(xù)參數(shù)align的說(shuō)明要在結(jié)構(gòu)文件中查看能帶，需添加語(yǔ)句Outputcon.bandval.bandband.para能帶參數(shù)能帶結(jié)構(gòu)示意圖*Silvaco學(xué)習(xí)7能帶不連續(xù)參數(shù)a7材料參數(shù)例子*Silvaco學(xué)習(xí)8materialmaterial=InGaAsalign=0.36eg300=0.75nc300=2.1e17\ nv300=7.7e18copt=9.6e-11materialmaterial=InPaffinity=4.4align=0.36eg300=1.35\ nc300=5.7e17nv300=1.1e19copt=1.2e-10materialregion=1taun0=5.0e-10taup0=1.0e-9vsatn=2.5e7\ mun0=4000mup0=200impactselbmaterial=InGaAsan2=5.15e7ap2=9.69e7bn2=1.95e6\ bp2=2.27e6impactselbmaterial=InPan2=1e7ap2=9.36e6bn2=3.45e6bp2=2.78e6Materialtaun0=1.e-9taup0=1.e-9f.conmun=hemtex01_interp.libmaterialalign=0.6材料參數(shù)例子*Silvaco學(xué)習(xí)8materialmate8光學(xué)參數(shù)在光電特性仿真中材料的光學(xué)參數(shù)（折射率實(shí)部和虛部）尤為重要。兩種方法可設(shè)置材料的光學(xué)參數(shù)1、C解釋器編寫(xiě)參數(shù)文件2、添加、更改材料的折射率文件內(nèi)的信息

文件路徑：X:\sedatools\lib\Atlas\5.14.0.R\common *.n為折射率實(shí)部，*.k為折射率虛部*Silvaco學(xué)習(xí)9光學(xué)參數(shù)在光電特性仿真中材料的光學(xué)參數(shù)（折射率實(shí)部和虛部）尤9C解釋器可通過(guò)C解釋器編輯函數(shù)來(lái)描述材料參數(shù)C解釋器模板路徑X:\sedatools\lib\Atlas\5.14.0.R\common\template例子 hemtex01.in中“f.conmun=hemtex01_interp.lib”*Silvaco學(xué)習(xí)10C解釋器可通過(guò)C解釋器編輯函數(shù)來(lái)描述材料參數(shù)*Silvaco10物理模型models，計(jì)算時(shí)所采用的物理模型物理模型是指有物理意義的方程物理描述在手冊(cè)的3.6節(jié)PhysicsModels部分*Silvaco學(xué)習(xí)11低場(chǎng)遷移率模型的物理方程及參數(shù)低場(chǎng)遷移率模型中可用戶定義的參數(shù)狀態(tài)參數(shù)默認(rèn)值單位MobilityMun1000cm2/VsMobilityMup500cm2/VsMobilityTmun1.5MobilityTmup1.5物理模型models，計(jì)算時(shí)所采用的物理模型*Silvaco11物理模型推薦的模型 MOSFETs類型：srh，cvt，bgn BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，bgn

擊穿仿真：Impact，selb*Silvaco學(xué)習(xí)12Modelsconmobfldmobsrhaugertemp=300

print例句：ImpactselbModelbgnfldmobsrh物理模型推薦的模型*Silvaco學(xué)習(xí)12Modelsc12*Silvaco學(xué)習(xí)13界面特性interfacey.max=0.1qf=?1e11interfacex.min=?4x.max=4y.min=?0.25y.max=0.1qf=1e11\ s.n=1e4s.p=1e4Interface定義界面態(tài)電荷（密度cm-2），s.n和s.p分別為電子和空穴的表面復(fù)合速率*Silvaco學(xué)習(xí)13界面特性interfacey.ma13計(jì)算方法Method，仿真時(shí)的數(shù)值計(jì)算方法主要的方法有newton，gummel，block*Silvaco學(xué)習(xí)14methodgummelnewtontrapitlimit=20maxtrap=6報(bào)錯(cuò)信息：“traptimesmorethan4times”指計(jì)算不收斂。需要注意的幾個(gè)地方：Itlimit是迭代的次數(shù)上限；maxtrap設(shè)置步長(zhǎng)折回的次數(shù)；電流邊界情形不能用Gummel計(jì)算方法Method，仿真時(shí)的數(shù)值計(jì)算方法*Silvaco學(xué)14特性獲取加偏執(zhí)是用solve狀態(tài)先需要設(shè)置數(shù)據(jù)保存在日志文件，之后才可以用Tonyplot顯示出來(lái)*Silvaco學(xué)習(xí)15Logoutfile=*.logSolveinit

Solvevdrain=0.1Solvevgate=0.05vstep=0.05vfinal=1.0name=gateSolveibase=1e-6簡(jiǎn)單例句：特性獲取加偏執(zhí)是用solve狀態(tài)*Silvaco學(xué)習(xí)15Lo15特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)16solvevdrain=0.1solvevdrain=0.2…solvevdrain=2.0solvevdrain=0.1solvevgate=0.1vstep=0.1vfinal=3.0name=gatesolvevcollector=2solvevbase=0.0vstep=0.1vfinal=2name=basecontactname=basecommon=collectorsolvevbase=0.0vstep=0.1vfinal=2name=baseI-V特性：轉(zhuǎn)移特性：GP特性：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)16solvevdrain=016特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)17impactselbmethodtrapclimit=1e-4maxtrap=10#solveinitsolvevbase=0.025solvevbase=0.05solvevbase=0.2#contactname=basecurrentsolveibase=3.e-15#logoutfile=gp.logmastersolvevcollector=0.2solvevstep=0.2vfinal=5name=collectorsolvevstep=0.5vfinal=10name=collectorcompl=5.e-11p=3CE擊穿特性：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)17impactselbCE擊17特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)18solveinitsolvevbase=0.05vstep=0.05vfinal=0.8name=basecontactname=basecurrent#solveibase=2.e-6saveoutf=bjt_ib_1.strmastersolveibase=4.e-6saveoutf=bjt_ib_2.strmaster#loadinf=bjt_ib_1.strmasterlogoutf=bjt_ib_1.logsolvevcollector=0.0vstep=0.25vfinal=5.0name=collector#loadinf=bjt_ib_2.strmasterlogoutf=bjt_ib_2.logsolvevcollector=0.0vstep=0.25vfinal=5.0name=collector電流控制性器件的輸出特性：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)18solveinit電流控制18特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)19solveinitsolvevgate=1.1outf=solve_tmp1solvevgate=2.2outf=solve_tmp2#loadinfile=solve_tmp1logoutf=mos_ids_1.logsolvename=drainvdrain=0vstep=0.3vfinal=3.3#loadinfile=solve_tmp2logoutf=mos_ids_2.logsolvename=drainvdrain=0vstep=0.3vfinal=3.3電壓控制型器件的輸出特性：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)19solveinit電壓控制19特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)20solvevbase=0vstep=0.05v?nal=2.0name=baseacfreq=1e6solvevbase=0.7acfreq=1e9fstep=1e9nfstep=10solvevbase=0.7acfreq=1e6fstep=2mult.fnfstep=10solveprevacfreq=1e6fstep=2mult.fnfstep=10solvevgate=0vstep=0.05v?nal=1name=gateacfreq=1e6\ fstep=2mult.fnfsteps=10某頻率下的特性（CV）：電容隨頻率的變化（1G~11GHz）：（1M~1.024GHz）直流偏置和交流頻率都改變：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)20solvevbase=020特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)21solvevgate=1.0ramptime=1e?8tstop=1e?7tstep=1e?10瞬態(tài)特性：瞬態(tài)仿真參數(shù)的說(shuō)明特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)21solvevgate=1.21*Silvaco學(xué)習(xí)22特性獲取logoutf=ac.logs.paraminport=gateoutport=drainwidth=100solveac.analysisdirectfrequency=1.e9fstep=2.e9nfsteps=20logoutf=ac.logs.paraminport=gateoutport=drain\ in2port=sourceout2port=sourcewidth=100rin=100solveac.analysisdirectfrequency=1.e9fstep=2.e9nfsteps=20S參數(shù)仿真（電流增益隨頻率變化的特性）：*Silvaco學(xué)習(xí)22特性獲取logoutf=ac.lo22*Silvaco學(xué)習(xí)23特性獲取modelssrh?dmobbz=1.0modeltemperature=300solveinit#probename=hall1x=0.0y=0.5potentialprobename=hall2x=1.0y=0.5potentialprobename=referencex=0.5y=0.5potential#logoutf=hall_e?ect.logsolvename=anodevanode=0.0vstep=0.05v?nal=1.0霍爾效應(yīng)仿真：*Silvaco學(xué)習(xí)23特性獲取modelssrh?dm23*Silvaco學(xué)習(xí)24特性獲取beamnum=1x.orign=5y.orign=?2angle=90wavelenght=.8beamnum=1x.orign=5y.orign=?2angle=90wavel.start=.5\ wavel.end=1.7wave.num=13beamnum=2x.orign=1y.orign=?1angle=90wavelength=1.5\ back.re?front.re?re?ect=5min.power=0.01beamnum=3x.orign=2y.orign=?0.5angle=90wavelength=0.9\ rays=101gaussianmean=0xsigma=0.25光電效應(yīng)仿真時(shí)光線的設(shè)置：波長(zhǎng)、入射點(diǎn)位置和角度：一定范圍的波長(zhǎng)：前后背面的反射：光強(qiáng)為高斯分布：*Silvaco學(xué)習(xí)24特性獲取beamnum=1x.o24*Silvaco學(xué)習(xí)25特性獲取beamnum=1x.origin=2.5y.origin=?1.0angle=90.0wavelength=.4#solveinitsolvevcathode=0.05vstep=0.05v?nal=1.0name=cathode#logoutf=spectral_Response.logmastersolveprevb1=2lambda=0.5solveprevb1=2lambda=0.6solveprevb1=2lambda=0.7solveprevb1=2lambda=0.8solveprevb1=2lambda=0.9solveprevb1=2lambda=1.0solveprevb1=2lambda=1.2光電效應(yīng)仿真：*Silvaco學(xué)習(xí)25特性獲取beamnum=1x.o25*Silvaco學(xué)習(xí)26特性獲取modelsbgnsrhconmobfldmobmethodnewton#setupinitialDCbiassolvevcathode=0.1vstep=0.1vfinal=3.0name=cathode#setupthetrackoftheradiationforSEUsingleeventupsetentry="2.0,1.5,0."exit="1.,1.,4"radius=0.05\

density=1e18methodhalfimpldt.min=3.e-12logoutf=seu_0.logsolvetfinal=1.e-9tstep=3.e-12SEU仿真：*Silvaco學(xué)習(xí)26特性獲取modelsbgns26三維器件仿真三維器件仿真流程和語(yǔ)法可參照二維仿真位置坐標(biāo)是三維數(shù)據(jù)物理模型少數(shù)會(huì)有差別*Silvaco學(xué)習(xí)27三維器件仿真三維器件仿真流程和語(yǔ)法可參照二維仿真*Silva27*Silvaco學(xué)習(xí)28仿真結(jié)果分析仿真結(jié)果的表現(xiàn)形式1、包含有電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)信息等的結(jié)構(gòu)文件（可由Tonyplot導(dǎo)出數(shù)據(jù)）2、仿真得到的日志文件（可由Tonyplot導(dǎo)出數(shù)據(jù)）3、抽取的結(jié)果（*.dat或是在實(shí)時(shí)輸出窗口顯示）*Silvaco學(xué)習(xí)28仿真結(jié)果分析仿真結(jié)果的表現(xiàn)形式28*Silvaco學(xué)習(xí)29從結(jié)構(gòu)文件中導(dǎo)出數(shù)據(jù)Format:TonyplotUserData*Silvaco學(xué)習(xí)29從結(jié)構(gòu)文件中導(dǎo)出數(shù)據(jù)Format:T29*Silvaco學(xué)習(xí)30從日志文件導(dǎo)出數(shù)據(jù)Format:CommaSeparatedValues*Silvaco學(xué)習(xí)30從日志文件導(dǎo)出數(shù)據(jù)Format:Co30謝謝！*31Silvaco學(xué)習(xí)器件仿真，Silvaco仿真至此全部結(jié)束謝謝！*31Silvaco學(xué)習(xí)器件仿真，Silva31交流時(shí)間*32Silvaco學(xué)習(xí)交流時(shí)間*32Silvaco學(xué)習(xí)32SilvacoTCAD器件仿真3SilvacoTCAD器件仿真333這一講主要內(nèi)容材料特性設(shè)置物理模型設(shè)置特性獲取結(jié)果分析從例子hemtex01.in看整個(gè)流程*Silvaco學(xué)習(xí)34這一講主要內(nèi)容材料特性設(shè)置*Silvaco學(xué)習(xí)234材料參數(shù)狀態(tài)Material，設(shè)置材料參數(shù)材料參數(shù)和物理模型的選取有關(guān)，常用的參數(shù)及說(shuō)明如下：*Silvaco學(xué)習(xí)35材料參數(shù)狀態(tài)Material，設(shè)置材料參數(shù)*Silvaco學(xué)35材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)36材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)436材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)37材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)537材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)38材料參數(shù)*Silvaco學(xué)習(xí)638能帶參數(shù)能帶結(jié)構(gòu)示意圖*Silvaco學(xué)習(xí)39能帶不連續(xù)參數(shù)align的說(shuō)明要在結(jié)構(gòu)文件中查看能帶，需添加語(yǔ)句Outputcon.bandval.bandband.para能帶參數(shù)能帶結(jié)構(gòu)示意圖*Silvaco學(xué)習(xí)7能帶不連續(xù)參數(shù)a39材料參數(shù)例子*Silvaco學(xué)習(xí)40materialmaterial=InGaAsalign=0.36eg300=0.75nc300=2.1e17\ nv300=7.7e18copt=9.6e-11materialmaterial=InPaffinity=4.4align=0.36eg300=1.35\ nc300=5.7e17nv300=1.1e19copt=1.2e-10materialregion=1taun0=5.0e-10taup0=1.0e-9vsatn=2.5e7\ mun0=4000mup0=200impactselbmaterial=InGaAsan2=5.15e7ap2=9.69e7bn2=1.95e6\ bp2=2.27e6impactselbmaterial=InPan2=1e7ap2=9.36e6bn2=3.45e6bp2=2.78e6Materialtaun0=1.e-9taup0=1.e-9f.conmun=hemtex01_interp.libmaterialalign=0.6材料參數(shù)例子*Silvaco學(xué)習(xí)8materialmate40光學(xué)參數(shù)在光電特性仿真中材料的光學(xué)參數(shù)（折射率實(shí)部和虛部）尤為重要。兩種方法可設(shè)置材料的光學(xué)參數(shù)1、C解釋器編寫(xiě)參數(shù)文件2、添加、更改材料的折射率文件內(nèi)的信息

文件路徑：X:\sedatools\lib\Atlas\5.14.0.R\common *.n為折射率實(shí)部，*.k為折射率虛部*Silvaco學(xué)習(xí)41光學(xué)參數(shù)在光電特性仿真中材料的光學(xué)參數(shù)（折射率實(shí)部和虛部）尤41C解釋器可通過(guò)C解釋器編輯函數(shù)來(lái)描述材料參數(shù)C解釋器模板路徑X:\sedatools\lib\Atlas\5.14.0.R\common\template例子 hemtex01.in中“f.conmun=hemtex01_interp.lib”*Silvaco學(xué)習(xí)42C解釋器可通過(guò)C解釋器編輯函數(shù)來(lái)描述材料參數(shù)*Silvaco42物理模型models，計(jì)算時(shí)所采用的物理模型物理模型是指有物理意義的方程物理描述在手冊(cè)的3.6節(jié)PhysicsModels部分*Silvaco學(xué)習(xí)43低場(chǎng)遷移率模型的物理方程及參數(shù)低場(chǎng)遷移率模型中可用戶定義的參數(shù)狀態(tài)參數(shù)默認(rèn)值單位MobilityMun1000cm2/VsMobilityMup500cm2/VsMobilityTmun1.5MobilityTmup1.5物理模型models，計(jì)算時(shí)所采用的物理模型*Silvaco43物理模型推薦的模型 MOSFETs類型：srh，cvt，bgn BJT，thyristors等：Klasrh，klaaug，kla，bgn

擊穿仿真：Impact，selb*Silvaco學(xué)習(xí)44Modelsconmobfldmobsrhaugertemp=300

print例句：ImpactselbModelbgnfldmobsrh物理模型推薦的模型*Silvaco學(xué)習(xí)12Modelsc44*Silvaco學(xué)習(xí)45界面特性interfacey.max=0.1qf=?1e11interfacex.min=?4x.max=4y.min=?0.25y.max=0.1qf=1e11\ s.n=1e4s.p=1e4Interface定義界面態(tài)電荷（密度cm-2），s.n和s.p分別為電子和空穴的表面復(fù)合速率*Silvaco學(xué)習(xí)13界面特性interfacey.ma45計(jì)算方法Method，仿真時(shí)的數(shù)值計(jì)算方法主要的方法有newton，gummel，block*Silvaco學(xué)習(xí)46methodgummelnewtontrapitlimit=20maxtrap=6報(bào)錯(cuò)信息：“traptimesmorethan4times”指計(jì)算不收斂。需要注意的幾個(gè)地方：Itlimit是迭代的次數(shù)上限；maxtrap設(shè)置步長(zhǎng)折回的次數(shù)；電流邊界情形不能用Gummel計(jì)算方法Method，仿真時(shí)的數(shù)值計(jì)算方法*Silvaco學(xué)46特性獲取加偏執(zhí)是用solve狀態(tài)先需要設(shè)置數(shù)據(jù)保存在日志文件，之后才可以用Tonyplot顯示出來(lái)*Silvaco學(xué)習(xí)47Logoutfile=*.logSolveinit

Solvevdrain=0.1Solvevgate=0.05vstep=0.05vfinal=1.0name=gateSolveibase=1e-6簡(jiǎn)單例句：特性獲取加偏執(zhí)是用solve狀態(tài)*Silvaco學(xué)習(xí)15Lo47特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)48solvevdrain=0.1solvevdrain=0.2…solvevdrain=2.0solvevdrain=0.1solvevgate=0.1vstep=0.1vfinal=3.0name=gatesolvevcollector=2solvevbase=0.0vstep=0.1vfinal=2name=basecontactname=basecommon=collectorsolvevbase=0.0vstep=0.1vfinal=2name=baseI-V特性：轉(zhuǎn)移特性：GP特性：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)16solvevdrain=048特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)49impactselbmethodtrapclimit=1e-4maxtrap=10#solveinitsolvevbase=0.025solvevbase=0.05solvevbase=0.2#contactname=basecurrentsolveibase=3.e-15#logoutfile=gp.logmastersolvevcollector=0.2solvevstep=0.2vfinal=5name=collectorsolvevstep=0.5vfinal=10name=collectorcompl=5.e-11p=3CE擊穿特性：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)17impactselbCE擊49特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)50solveinitsolvevbase=0.05vstep=0.05vfinal=0.8name=basecontactname=basecurrent#solveibase=2.e-6saveoutf=bjt_ib_1.strmastersolveibase=4.e-6saveoutf=bjt_ib_2.strmaster#loadinf=bjt_ib_1.strmasterlogoutf=bjt_ib_1.logsolvevcollector=0.0vstep=0.25vfinal=5.0name=collector#loadinf=bjt_ib_2.strmasterlogoutf=bjt_ib_2.logsolvevcollector=0.0vstep=0.25vfinal=5.0name=collector電流控制性器件的輸出特性：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)18solveinit電流控制50特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)51solveinitsolvevgate=1.1outf=solve_tmp1solvevgate=2.2outf=solve_tmp2#loadinfile=solve_tmp1logoutf=mos_ids_1.logsolvename=drainvdrain=0vstep=0.3vfinal=3.3#loadinfile=solve_tmp2logoutf=mos_ids_2.logsolvename=drainvdrain=0vstep=0.3vfinal=3.3電壓控制型器件的輸出特性：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)19solveinit電壓控制51特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)52solvevbase=0vstep=0.05v?nal=2.0name=baseacfreq=1e6solvevbase=0.7acfreq=1e9fstep=1e9nfstep=10solvevbase=0.7acfreq=1e6fstep=2mult.fnfstep=10solveprevacfreq=1e6fstep=2mult.fnfstep=10solvevgate=0vstep=0.05v?nal=1name=gateacfreq=1e6\ fstep=2mult.fnfsteps=10某頻率下的特性（CV）：電容隨頻率的變化（1G~11GHz）：（1M~1.024GHz）直流偏置和交流頻率都改變：特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)20solvevbase=052特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)53solvevgate=1.0ramptime=1e?8tstop=1e?7tstep=1e?10瞬態(tài)特性：瞬態(tài)仿真參數(shù)的說(shuō)明特性獲取*Silvaco學(xué)習(xí)21solvevgate=1.53*Silvaco學(xué)習(xí)54特性獲取logoutf=ac.logs.paraminport=gateoutport=drainwidth=100solveac.analysisdirectfrequency=1.e9fstep=2.e9nfsteps=20logoutf=ac.logs.paraminport=gateoutport=drain\ in2port=sourceout2port=sourcewidth=100rin=100solveac.analysisdirectfrequency=1.e9fstep=2.e9nfsteps=20S參數(shù)仿真（電流增益隨頻率變化的特性）：*Silvaco學(xué)習(xí)22特性獲取logoutf=ac.lo54*Silvaco學(xué)習(xí)55特性獲取modelssrh?dmobbz=1.0modeltemperature=300solveinit#probename=hall1x=0.0y=0.5potentialprobename=hall2x=1.0y=0.5potentialprobename=referencex=0.5y=0.5potential#logoutf=hall_e?ect.logsolvename=anodevanode=0.0vstep=0.05v?nal=1.0霍爾效應(yīng)仿真：*Silvaco學(xué)習(xí)23特性獲取modelssrh?dm55*Silvaco學(xué)習(xí)56特性獲取beamnum=1x.orign=5y.orign=?2angle=90wavelenght=.8beamnum=1x.orign=5y.orign=?2angle=90wavel.start=.5\ wavel.end=1.7wave.num=13beamnum=2x.orign=1y.orign=?1angle=90wavelength=1.5\ back.re?front.re?re?ect=5min.power=0.01beamnum=3x.orign=2y.orign=?0.5angle=90wavelength=0.9\ rays=101gaussianmean=0xsigma=0.25光電效應(yīng)仿真時(shí)光線的設(shè)置：