元器件型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法一、固定電阻器、固定電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法1、固定電阻器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法⑴固定電阻器型號命名方法①②③④

第四部分：序號第三部分：特征第二部分：材料第一部分：主稱⑵固定電阻器規(guī)格參數(shù)標志方法

①②③④

第四部分：允許偏差第三部分：標稱阻值第二部分：額定功率第一部分：元件型號⑶電阻器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例RJ71

第四部分：序號第三部分：特征（精密）第二部分：材料（金屬膜）第一部分：主稱（電阻器）規(guī)格參數(shù)標志示例RJ71－0.125—510—±1%

第四部分：允許偏差（1%）第三部分：標稱阻值（510）

第二部分：額定功率（1/8W）第一部分：元件型號（精密金屬膜）

⑶電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例CD11

第四部分：序號第三部分：特征（箔式）第二部分：材料（鋁電解）第一部分：主稱（電容器）

規(guī)格參數(shù)標志示例CD11-16V-100μF-±20％

第四部分：允許偏差(±20%）第三部分：標稱容值（100μF）第二部分：額定耐壓（16V）第一部分：元件型號（CD11）二、貼片電阻器、貼片電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法1、貼片電阻器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法⑴貼片電阻器型號命名方法①②③④⑤⑥⑦

第七部分：包裝方式第六部分：允許偏差第五部分：標稱阻值第四部分：溫度系數(shù)第三部分：封裝尺寸第二部分：額定功率第一部分：主稱⑵貼片電阻器規(guī)格參數(shù)標志方法①②—③—④—⑤

第五部分：允許偏差第四部分：標稱阻值第三部分：封裝尺寸第二部分：額定功率第一部分：元件主稱⑶貼片電阻器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例RS-05K1002FT

第七部分：包裝方式（T：編帶）第六部分：允許偏差（F±1%）第五部分：標稱阻值（1002：10K）第四部分：溫度系數(shù)（K：±100ppm/℃）第三部分：封裝尺寸（05：0805）第二部分：額定功率（S：1/8W）第一部分：器件主稱（R：電阻器）

規(guī)格參數(shù)標志示例RS-0805-5.1K-±1%

第五部分：允許偏差（±1%）

第四部分：標稱阻值（5.1K）

第三部分：封裝尺寸（0805）第二部分：額定功率（S系列）第一部分：元件主稱（R：電阻器）⑶貼片電容器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例GRM188R71C225KE15D②③④⑤⑥⑦⑧⑨第九部分：包裝方式（D：紙編帶）

第八部分：個別規(guī)格（E15）第七部分：允許偏差（K：±10%）第六部分：標稱容值（2.2μF）第五部分：額定電壓（1C：16V）第四部分：材質（R7：X7R）第三部分：厚度（8：0.8mm)第二部分：封裝尺寸（18：0603）第一部分：產(chǎn)品型號(GRM:普通陶瓷)規(guī)格參數(shù)標志示例CC41-1210-50V-22μF-±20％

第五部分：允許偏差（±20%）第四部分：標稱容值（22μF）第三部分：額定耐壓（50V）第二部分：封裝尺寸（1210）第一部分：元件型號(CC41)三、固定小型電感器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法⑴固定電感器型號命名方法固定小型電感器型號命名方法由下列四部分組成：①②③④

第四部分：序號第三部分：形式第二部分：特征第一部分：主稱⑵固定電感器規(guī)格參數(shù)標志方法固定小型電感器規(guī)格參數(shù)標志方法由下列四部分組成：①②③④

第四部分：允許偏差第三部分：標稱電感第二部分：額定電流

第一部分：元件型號⑶固定小型電感器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例LGX1

第四部分：序號第三部分：形式（小型）第二部分：特征（高頻）第一部分：主稱（電感器）規(guī)格參數(shù)標志示例LGX1—A—10μH—±5%

第四部分：允許偏差（5%）第三部分：標稱電感（10μH）

第二部分：額定電流（50mA)

第三部分：元件型號（高頻小型電感）⑶小型貼片電感器型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例LQH32MN331K2

3

L①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩

第十部分：包裝（L：編帶）第九部分：電極（3：無鉛焊劑）第八部分：特征（2：標準型）第七部分：允許偏差（K：±10%)第六部分：標稱電感（331：330μH）

第五部分：類型（N：標準型）第四部分：應用特性（M：薄膜型）

第三部分：封裝尺寸（32：1210）第二部分：結構形式（H：繞線型，鐵氧體芯）

第一部分：產(chǎn)品型號（LQ)

規(guī)格參數(shù)標志示例LQ-1210-65mA-330μH-±10%

第五部分：允許偏差（±10%）第四部分：標稱電感(330μH)

第三部分：額定電流（65mA)

第二部分：器件封裝（1210）第一部分：元件型號（LQ）五、半導體分立器件型號命名、規(guī)格

參數(shù)標志方法1、半導體分立器件型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法⑴半導體分立器件型號命名方法②③④⑤

第五部分：規(guī)格號第四部分：序號第三部分：器件類別第二部分：材料極性第一部分：電極數(shù)目

⑵半導體分立器件規(guī)格參數(shù)標志方法②③④

第四部分：附加參數(shù)第三部分：規(guī)格參數(shù)第二部分：封裝形式第一部分：元器件型號

⑶半導體分立器件型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例3AD50C

第五部分：規(guī)格號（C）第四部分：序號（50）

第三部分：器件類別（D：低頻大功率）

第二部分：材料極性（A：PNP型、鍺材料）

第一部分：電極數(shù)目（3：三極管）規(guī)格參數(shù)標志示例1N4732A-（DO-41）-4.7V-1W第四部分：附加參數(shù)（功率）第三部分：器件參數(shù)（穩(wěn)壓值）第二部分：器件封裝（DO-41)第一部分：器件型號(1N4732A）

第四部分：附加參數(shù)（功率）第三部分：規(guī)格參數(shù)（穩(wěn)壓值）第二部分：器件封裝（1206）第一部分：器件型號（1N4698）

六、半導體集成電路型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法1、半導體集成電路型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法⑴半導體集成電路型號命名方法①②③④⑤

第五部分：器件封裝

第四部分：溫度范圍

第三部分：品種代號

第四部分：器件類型第五部分：符合國家標準⑵半導體分立器件規(guī)格參數(shù)標志方法①②

第二部分：器件封裝第一部分：器件型號⑶半導體集成電路型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法實例型號命名示例CF741CT

第五部分：器件封裝（T：金屬圓形）

第四部分：溫度范圍（C：7～70℃）

第三部分：品種代號（741）

第二部分：器件類型（F：線性放大器）

第一部分：符合國家標準（C）規(guī)格參數(shù)標志示例ADC0809—（DIP-28）

第二部分：器件封裝（DIP-28）

第一部分：器件型號（ADC0809）

七、變壓器型號命名、規(guī)格

參數(shù)標志方法1、中頻型號命名、規(guī)格參數(shù)標志方法⑴中頻變壓器型號命名方法①②③