中國NANDFlash存儲器行業(yè)市場現(xiàn)狀及發(fā)展展望分析

一、NANDFlash存儲器行業(yè)市場現(xiàn)狀

NANDFlash存儲器是Flash存儲器的一種，NANDFlash具有容量大，改寫速度快等特點，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。

從應(yīng)用形態(tài)上看，NANDFlash的具體產(chǎn)品包括USB（U盤）、閃存卡、SSD（固態(tài)硬盤），以及嵌入式存儲（eMMC、eMCP、UFS）等。USB屬于常見的移動存儲設(shè)備，閃存卡則用于常見電子設(shè)備的外設(shè)存儲，如相機、行車記錄儀、玩具等。

SSD即常見的固態(tài)硬盤，一般應(yīng)用于個人計算機、服務(wù)器等領(lǐng)域。SSD作為新興的大容量存儲設(shè)備，具有磁盤（傳統(tǒng)HDD硬盤）所不具備的優(yōu)點，前些年由于SSD高昂的價格，只攻占了磁盤的少部分領(lǐng)域。由于近年SSD價格下降，以及數(shù)據(jù)中心的迅速擴張，數(shù)據(jù)存儲的需求也在不斷上升，因此由SSD驅(qū)動的NANDFlash的需求增速也較為迅速。

嵌入式存儲是NANDFlash應(yīng)用的另一大領(lǐng)域。其特征是將NANDFlash存儲芯片與控制芯片封裝在一起，控制芯片采用特定的通訊協(xié)議，可提升存儲數(shù)據(jù)通訊的速度與穩(wěn)定性。

嵌入式存儲主要應(yīng)用于手機、平板電腦、游戲機、車載電子等新興領(lǐng)域，該手機主板采用的是eMMC。與計算機相同，手機同樣需要處理器、DRAM和NANDFlash，區(qū)別在于其產(chǎn)品的最終形態(tài)不同，計算機內(nèi)部的形態(tài)為CPU+內(nèi)存條+硬盤，而手機則采用eMMC或eMCP兩種形式：“處理器+eMCP”或“集成了LPDDR的處理器+eMMC”。

《2020-2026年中國NANDFLASH行業(yè)競爭格局分析及投資潛力研究報告》數(shù)據(jù)顯示：從下游具體的產(chǎn)品看，目前NANDFlash主要是應(yīng)用在手機和SSD上，其占比分別為48%和43%，因此該兩類產(chǎn)品的出貨量則會直接影響NANDFlash的需求。NANDFlash是市場規(guī)模僅次于DRAM的存儲芯片，2019年市場規(guī)模為460億美元。

與DRAM相同，NANDFlash的市場空間很大程度上依賴于其價格，但是價格則依賴于市場的供需關(guān)系，因此直接預(yù)測其市場規(guī)模的趨勢較難實現(xiàn)。

一方面，手機、SSD作為NANDFlash的主要下游領(lǐng)域，未來將處于持續(xù)上升的趨勢；另一方面，NANDFlash作為大容量數(shù)據(jù)存儲的首選設(shè)備，需求量主要依賴于數(shù)據(jù)量的大小，預(yù)測全球數(shù)據(jù)圈將從2018年的32ZB增長至2025年的175ZB，增幅將超過5倍。

NANDFlash的產(chǎn)業(yè)鏈分為NANDFlash原廠顆粒、主控芯片設(shè)計、封裝工廠與品牌銷售。各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中，封裝企業(yè)與半導(dǎo)體封測企業(yè)有較大的重合，如日月光、長電、華天、通富微電等，我國在半導(dǎo)體封測領(lǐng)域處于國際上的第一梯隊，因此在NANDFlash存儲的封裝領(lǐng)域表現(xiàn)也較為優(yōu)異。

NANDFlash顆粒原廠中，主要的廠家為三星、鎧俠、西數(shù)、美光等。與DRAM市場格局一樣，三星同樣處于領(lǐng)先地位，市占率為34%，但NANDFlash市場集中度稍微低于DRAM市場。鎧俠與西數(shù)的合資工廠產(chǎn)能共用，若將其收入合并計算，其市占率與三星伯仲相當。國產(chǎn)廠商長江存儲處于起步狀態(tài)，正在市場與技術(shù)上奮起直追。

二、NANDFlash存儲器行業(yè)發(fā)展展望

根據(jù)每個存儲單元存儲的數(shù)據(jù)數(shù)量，NANDFlash可以分為SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-LevelCell）為每個存儲單元存儲的數(shù)據(jù)只有1位，即只有0/1兩種狀態(tài)，而MLC（Multi-LevelCell）、TLC（Triple-LevelCell）、QLC（Quad-LevelCell）每個存儲單元能存儲的數(shù)據(jù)分別為2位、3位與4位，可以有4種、8種與16種狀態(tài)，存儲空間迅速增加。

四種類型的NANDFlash性能各有不同，SLC的缺點在于由于其存儲單元存儲的數(shù)據(jù)少，其單位容量的成本相對于其他類型NANDFlash成本更高，但其優(yōu)點在于數(shù)據(jù)保留時間更長、讀寫次數(shù)更多、讀取速度更快等。目前NANDFlash的主流應(yīng)用為SSD等大容量存儲領(lǐng)域，使用MLC、TLC2DNAND或3DNAND等。

制程方面，同DRAM一樣，NANDFlash同樣采取1Xnm/1Ynm/1Znm進行工藝技術(shù)的度量。不同之處在于，由于物理結(jié)構(gòu)上NAND不需要制作電容器，自2015年制程推進遇到障礙時，制程工藝相對簡單的3D堆疊技術(shù)成為新的發(fā)展方向。全球3DNANDFlash的產(chǎn)量已于2017年4季度超過2D。目前3D技術(shù)正在穩(wěn)步推進中，未來的發(fā)展方向就是層數(shù)的繼續(xù)堆疊。

目前市場上的主流3DNAND產(chǎn)品為64層，但國際領(lǐng)先的廠商目前都已擁有100層以上的技術(shù)。2019年8月三星電子宣布實現(xiàn)第六代超過100層的3DNAND閃存量產(chǎn)；隨后不久，美光也宣布流片128層的3DNAND，并有望于2020年實現(xiàn)商用化；SK海力士也于6月宣布已經(jīng)量產(chǎn)128層NAND。

國產(chǎn)廠商長江存儲于2019年9月量產(chǎn)64層NANDFlash，并計劃直接跳過96層研發(fā)128層技術(shù)，與國外先進廠商的技術(shù)差距正在不斷縮小。

NANDFlash作為存儲器的一種，其價格也呈現(xiàn)一定的周期性。與DRAM價格周期一致，自2018年初至2019年，NANDFlash價格處于降價周期。經(jīng)過接近兩年的降價，NANDFlash價格處于較為便宜的狀態(tài)，下游的需求因此慢慢擴大，現(xiàn)在數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展快速拉動NANDFlash需求，因此目前價格處于上漲的趨勢中。

主要的NANDFlash廠商會在價格周期中，針對需求的變化而調(diào)整產(chǎn)能。在上一輪降價周期中，各廠商紛紛暫緩了擴產(chǎn)計劃，在當前價格上升的周期中，各廠家又重啟投資計劃。據(jù)不完全統(tǒng)計，2020年NANDFlash的擴產(chǎn)計劃包括：三星公司在西安二期一階段的新工廠，投資規(guī)模為9.5萬億韓元，投產(chǎn)后的規(guī)模為6.5萬片/月；鎧俠和西數(shù)在巖首縣北上市投資70億日元，計劃2020年上半年開始生產(chǎn)3DNAND；鎧俠計劃于2020年底在四日市工廠