場(chǎng)效應(yīng)管放大電路N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)分類：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路4.1結(jié)型

場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)工作原理輸出特性轉(zhuǎn)移特性主要參數(shù)

一、

JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

二、

JFET的特性曲線及參數(shù)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號(hào)(a)N溝道JFET；(b)P溝道JFET1.結(jié)構(gòu)：N溝道管：電子導(dǎo)電，導(dǎo)電溝道為N型半導(dǎo)體P溝道管：空穴導(dǎo)電，導(dǎo)電溝道為P型半導(dǎo)體

一、JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理2.工作原理①VGS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)VGS＜0時(shí)（以N溝道JFET為例）當(dāng)溝道夾斷時(shí)，對(duì)應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP（或VGS(off)）。對(duì)于N溝道的JFET，VP<0。PN結(jié)反偏耗盡層加厚溝道變窄。VGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄4.1結(jié)型

場(chǎng)效應(yīng)管②VDS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)VGS=0時(shí)，VDSID當(dāng)VDS增加到使VGD=VP時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。G、D間PN結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。此時(shí)VDS夾斷區(qū)延長(zhǎng)溝道電阻ID基本不變③

VGS和VDS同時(shí)作用時(shí)當(dāng)VP<VGS<0時(shí)，導(dǎo)電溝道更容易夾斷，對(duì)于同樣的VDS，

ID的值比VGS=0時(shí)的值要小。VGD=VGS-VDS=VP在預(yù)夾斷處（以N溝道JFET為例）2.工作原理4.1結(jié)型

場(chǎng)效應(yīng)管綜上分析可知溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，

所以場(chǎng)效應(yīng)管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制預(yù)夾斷前iD與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后，iD趨于飽和。

P溝道JFET工作時(shí)，其電源極性與N溝道JFET的電源極性相反。JFET柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，因

此iG0，輸入電阻很高。1.轉(zhuǎn)移特性

VP2.輸出特性

4.1結(jié)型

場(chǎng)效應(yīng)管二、JFET的特性曲線及參數(shù)4.1結(jié)型

場(chǎng)效應(yīng)管1)飽和區(qū)輸出特性

輸出特性曲線表達(dá)以UGS為參變量時(shí)iD與uDS的關(guān)系。根據(jù)特性曲線的各部分特征,分為四個(gè)區(qū)域：

飽和區(qū)區(qū)相當(dāng)于雙極型晶體管的放大區(qū)。其主要特征為：uGS對(duì)iD的控制能力很強(qiáng)，uDS的變化對(duì)iD影響很小。2）可變電阻區(qū)與雙極型晶體管不同，在JFET中，柵源電壓uGS對(duì)iD上升的斜率影響較大，隨著|UGS|增大，曲線斜率變小，說(shuō)明JFET的輸出電阻變大。3）截止區(qū)當(dāng)|UGS|>|UP|時(shí)，溝道被全部夾斷，iD=0，故此區(qū)為截止區(qū)。若利用JFET作為開關(guān)，則工作在截止區(qū)，即相當(dāng)于開關(guān)打開。

4）擊穿區(qū)隨著uDS增大，靠近漏區(qū)的PN結(jié)反偏電壓uDG也隨之增大。①夾斷電壓VP(或VGS(off))：②飽和漏極電流IDSS：

③

低頻跨導(dǎo)gm：或漏極電流約為零時(shí)的VGS值。VGS=0時(shí)對(duì)應(yīng)的漏極電流。低頻跨導(dǎo)反映了vGS對(duì)iD的控制作用。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求得，單位是mS(毫西門子)。④輸出電阻rd：4.1結(jié)型

場(chǎng)效應(yīng)管3.主要參數(shù)3.主要參數(shù)4.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管⑤直流輸入電阻RGS