標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11070-2006 還原鍺錠》與《GB/T 11070-1989 還原鍺錠》相比，主要在以下幾個方面進(jìn)行了調(diào)整和更新：

  1. 技術(shù)指標(biāo)的修訂：2006版標(biāo)準(zhǔn)對還原鍺錠的純度、雜質(zhì)含量等關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)進(jìn)行了重新規(guī)定，以適應(yīng)科技進(jìn)步和市場需求的變化，提高了產(chǎn)品品質(zhì)要求。例如，可能對某些特定雜質(zhì)元素的最大允許含量進(jìn)行了更為嚴(yán)格的限制。

  2. 檢測方法的改進(jìn)：新標(biāo)準(zhǔn)引入或更新了更精確、更科學(xué)的檢測手段和分析方法，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。這包括但不限于使用現(xiàn)代儀器分析技術(shù)替代傳統(tǒng)檢測方法，提升了檢測效率和準(zhǔn)確性。

  3. 樣品制備與試驗條件的規(guī)范：2006版標(biāo)準(zhǔn)對樣品的取樣、制備以及試驗環(huán)境和條件給出了更加詳細(xì)和嚴(yán)格的規(guī)定，以減少因操作差異導(dǎo)致的測試結(jié)果誤差，增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的可執(zhí)行性。

  4. 術(shù)語和定義的明確：為了與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌并消除理解歧義，新標(biāo)準(zhǔn)對相關(guān)專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了明確界定，增加了標(biāo)準(zhǔn)的清晰度和適用范圍。

  5. 包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和儲存要求的調(diào)整：考慮到實際操作中的需求變化，2006版標(biāo)準(zhǔn)可能對還原鍺錠的包裝材料、標(biāo)識信息、運(yùn)輸安全措施及儲存條件提出了新的或更具體的要求，以保證產(chǎn)品的安全與完好。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和表述的優(yōu)化：為便于用戶理解和使用，新版標(biāo)準(zhǔn)在格式、表述上進(jìn)行了優(yōu)化，使得內(nèi)容更加條理化、規(guī)范化，增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的可讀性和實用性。


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  • 被代替
  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 11070-2017
  • 2006-07-18 頒布
  • 2006-11-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 11070-2006還原鍺錠_第1頁
GB/T 11070-2006還原鍺錠_第2頁
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文檔簡介

ICS29.045H82中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11070—2006代替GB/T11070-1989原還Reducedgermaniumingot2006-07-18發(fā)布2006-11-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T11070—2006前本標(biāo)準(zhǔn)是對GB/T11070-1989《還原錯鏡》的修訂本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T11070—1989相比.主要有如下變動：根根據(jù)生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展和滿足國內(nèi)外用戶的需求.參照國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)以及國際通行的品種和規(guī)格，將原來的3個牌號的還原錯鍵調(diào)整為2個牌號，即RGe-0:2>30Q·cmiRGe一1.p100·cm。增加了還原錯鏡的型號為單一n型。在在檢驗規(guī)則中，增加了組批、仲裁取樣和制樣以及檢驗結(jié)果的判定等內(nèi)容本標(biāo)準(zhǔn)自實施之日起,代替GB/T11070—1989。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由南京錯廠有限責(zé)任公司負(fù)責(zé)起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張莉萍、黃和明。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會負(fù)責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本分布情況為：-GB/T11070-1989.

GB/T11070—2006還原錯徒范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了還原錯鍵的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貼存、訂貨單(或合同)本標(biāo)準(zhǔn)適用于以高純二氧化錯為原料.經(jīng)氫還原法制備的錯鍵。產(chǎn)品主要用于制備區(qū)熔錯鏡2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件.其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1551硅、錯單品電阻率測定直流兩探針法GB/T11069高純二氧化錯要求3.1產(chǎn)品分類還原錯鏡按電阻率分為2個牌號：RGe-0、RGe一1。RG-口1——RGe表示還原錯鏡：一阿拉伯?dāng)?shù)字，表示產(chǎn)品等級3.2電阻率還原錯鍵電阻率應(yīng)符合表1的規(guī)定。電電阻率（（Q·cm）23C±0.5C），不小于RGe-RGe-13.3型號還原錯鍵型號為單一n型3.4原料RGe—0牌號的原料應(yīng)符合GB/T11069Ge0,一06牌號的規(guī)定3.5電學(xué)性能RGe—0牌號的產(chǎn)品經(jīng)定向結(jié)品和6次區(qū)熔提純后.電阻率大于

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