犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１１０７３—２００７

代替ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９

硅片徑向電阻率變化的測量方法

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２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１１０７３—２００７

前言

本標準是對ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９《硅片徑向電阻率變化的測量方法》的修訂。本標準修改采用了

ＡＳＴＭＦ８１０１《硅片徑向電阻率變化的測量方法》。

本標準與ＡＳＴＭＦ８１０１的一致性程度為修改采用，主要差異如下：

———刪去了ＡＳＴＭＦ８１０１第４章“意義和用途”。

本標準與ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９相比主要變化如下：

———因ＧＢ／Ｔ６６１５已并入ＧＢ／Ｔ１５５２，本標準在修訂時將硅片電阻率測試方法標準改為

ＧＢ／Ｔ１５５２，并將第２章“規(guī)范性引用文件”中的“ＧＢ／Ｔ６６１５”改為“ＧＢ／Ｔ１５５２”；

———采用ＡＳＴＭＦ８１０１第８章“計算”中的計算方法替代原ＧＢ１１０７３—１９８９中徑向電阻率變化

的計算方法；

———依據ＧＢ／Ｔ１５５２將電阻率的測量上限由１×１０３Ω·ｃｍ改為３×１０３Ω·ｃｍ；

———將原ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９中第７章“測量誤差”改為第４章“干擾因素”，并對其后各章章號作

了相應調整；

———刪去了原ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９中的表１，采用ＧＢ／Ｔ１２９６５規(guī)定的直徑偏差范圍；

———將原ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９中的表２改為表１，并依據ＧＢ／Ｔ１２９６５中的規(guī)定，在本標準中刪去

８０．０ｍｍ標稱直徑規(guī)格，增加了１５０．０ｍｍ和２００．０ｍｍ標稱直徑規(guī)格。

本標準的附錄Ａ是規(guī)范性附錄。

本標準自實施之日起，同時代替ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９。

本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：峨嵋半導體材料廠。

本標準主要起草人：梁洪、覃銳兵、王炎。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１１０７３—１９８９。

Ⅰ

書

犌犅／犜１１０７３—２００７

硅片徑向電阻率變化的測量方法

１范圍

本標準規(guī)定了用直排四探針法測量硅單晶片徑向電阻率變化的方法。

本標準適用于厚度小于探針平均間距、直徑大于１５ｍｍ、電阻率為１×１０－３Ω·ｃｍ～３×１０３Ω·ｃｍ

硅單晶圓片徑向電阻率變化的測量。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５２硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ２８２８（所有部分）計數抽樣檢驗程序

ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５硅片厚度和總厚度變化測試方法

ＧＢ／Ｔ１２９６５硅單晶切割片和研磨片

３方法提要

根據要求選擇四種選點方案中的一種，按ＧＢ／Ｔ１５５２的方法進行測量，并利用幾何修正因子計算

出硅片電阻率及徑向電阻率變化。

本標準提供四種測量選點方案。采用不同的選點方案能測得不同的徑向電阻率變化值。

４干擾因素

４．１四探針間距小于本標準規(guī)定的探針間距或測量高壽命樣品時，應找出適當的電流范圍用作電阻率

測量。

４．２摻雜濃度的局部變化也會引起沿晶體生長方向上的電阻率變化，而四探針測量的是局部電阻率平

均值，這個值受樣品縱向電阻率變化的影響；所以在硅片正面和背面測量電阻率變化的結果可能不同。

這種影響程度也與探針間距相關。

４．３當探針位置靠近硅片邊緣時，對測出的電壓與電流比有明顯的影響。根據電壓與電流比和幾何修

正因子來計算局部電阻率。附錄Ａ中第Ａ．２章提供了探針間距為１．５９ｍｍ、測量點向硅片邊緣移動

０．１５ｍｍ時的局部電阻率誤差量。對不同尺寸的硅片和測量點來說，這些誤差量隨著探針間距的減小

而減小。

４．４與硅片的幾何形狀有關的誤差。

４．４．１在靠近硅片參考面位置上測量或在硅片背面及其周圍導電的情況下測量均會產生誤差。

４．４．２沒有按硅片實際直徑計算修正因子，則會增加幾何修正因子的誤差。當測量時探針距邊緣

６ｍｍ以上，采用標稱直徑引起的誤差可以忽略不計。

４．４．３硅片厚度直接影響所