標準解讀

《GB/T 14119-1993 半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規(guī)范（可供認證用）》這一標準詳細規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路中雙極熔絲式可編程只讀存儲器（PROM）的空白芯片的技術(shù)要求、測試方法以及質(zhì)量評定準則，旨在為該類器件的設(shè)計、生產(chǎn)和認證提供統(tǒng)一的標準依據(jù)。然而，您提供的對比信息不完整，沒有明確指出與哪個具體的標準或版本進行比較。因此，直接列舉相對于某個特定標準的變更點無法實現(xiàn)。

若要一般性地討論此類標準可能涉及的變更方向，不針對特定對比標準，可以從以下幾個常見方面推測：

  1. 技術(shù)進步：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，新標準可能會引入更先進的制造工藝要求，提高集成度、速度或降低功耗。
  2. 測試方法更新：為了適應(yīng)技術(shù)進步和市場需求，測試方法可能會更加精確、高效，包括采用新的測試設(shè)備和流程。
  3. 可靠性與質(zhì)量標準提升：隨著時間推移，對器件的可靠性和長期穩(wěn)定性要求通常會提高，新標準會設(shè)定更嚴格的測試條件和合格標準。
  4. 安全與環(huán)境要求：考慮到環(huán)境保護和用戶安全，新標準可能會增加對材料、生產(chǎn)過程中的有害物質(zhì)限制及廢棄處理的相關(guān)規(guī)定。
  5. 兼容性與標準化：為了促進國際交流與產(chǎn)品互換性，新標準可能會調(diào)整以符合國際通行標準或行業(yè)規(guī)范。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1993-03-18 頒布
  • 1993-08-01 實施
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GB/T 14119-1993半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規(guī)范(可供認證用)_第1頁
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文檔簡介

DDG621.382：681.327.28L56中華人民共和國國家標準GB/T14119-93半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規(guī)范Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供認證用）1993-03-18發(fā)布1993-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器CB/T14119-93日詳細規(guī)空白Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供認證用）本規(guī)范規(guī)定了編制半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器(以下簡稱器件)詳細規(guī)范的基本原則。本規(guī)范是半導(dǎo)體集成電路一系列空白詳細規(guī)范中的一個,它應(yīng)與GB4589.1《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB12750《半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)》一起使用。要求的資料空白詳細規(guī)范首頁1～[9J各欄應(yīng)填寫與下列各項相對應(yīng)的內(nèi)容。詳細規(guī)范的識別C11發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準化機構(gòu)名稱12詳細規(guī)范的IECQ編號?！?】總規(guī)范和分規(guī)范編號及版本號?！?詳細規(guī)范的國家編號，發(fā)布日期及國家標準體系需要的資料器件的識別C5主要的功能和型號。L6】典型結(jié)構(gòu)(材料、主要工藝)和封裝如果器件有多種派生產(chǎn)品，應(yīng)當給出相互之間的差別。例如,以對照表的形式列出各自性能的特點詳細規(guī)范應(yīng)給出包括下述內(nèi)容的簡要說明·工藝(TTL、ECL等);·結(jié)構(gòu)(字×位)；·輸出電路的類型(例如三態(tài)…·)：·主要功能?！?]外形圖、引出端識別、標志和(或)外形有關(guān)的參考文件。181質(zhì)量評定類別(按GB4589.1第2.6條)。L9參考數(shù)據(jù)【本規(guī)范中，方括號所列內(nèi)容僅供指導(dǎo)編寫詳細規(guī)范使用，不必在詳細規(guī)范中列出。[本規(guī)范中,電特性或額定值表格中的"X"表示在詳細規(guī)范中必

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