標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14844-1993 半導(dǎo)體材料牌號表示方法》是中國關(guān)于半導(dǎo)體材料命名和標(biāo)識的一套國家標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了如何對不同類型的半導(dǎo)體材料進(jìn)行統(tǒng)一、規(guī)范的牌號表示，以確保行業(yè)內(nèi)信息交流的準(zhǔn)確性和一致性。下面是對該標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的說明：

  1. 適用范圍：本標(biāo)準(zhǔn)適用于各類半導(dǎo)體材料，包括單晶、多晶、外延片、化合物半導(dǎo)體等，涵蓋了硅、鍺以及III-V族和II-VI族化合物等廣泛材料類型。

  2. 牌號構(gòu)成：半導(dǎo)體材料的牌號通常由幾個(gè)部分組成，包括：

    • 類別代號：用以區(qū)分不同的半導(dǎo)體材料類別，如硅材料用“S”表示，鍺材料用“G”表示。
    • 品種代號：表示材料的具體種類或制備工藝，如單晶硅可用“M”表示，外延片可用“E”表示。
    • 性能等級：通過字母或數(shù)字表示材料的主要電學(xué)性能指標(biāo)，如純度、電阻率等。
    • 規(guī)格尺寸：用數(shù)字表示材料的尺寸規(guī)格，如直徑、厚度等。
    • 特殊要求標(biāo)記：如有特殊加工要求或特定用途，會添加相應(yīng)標(biāo)記。

  3. 表示規(guī)則：標(biāo)準(zhǔn)中詳細(xì)闡述了每部分代號的選擇原則和編碼規(guī)則，確保每個(gè)牌號都能唯一且明確地反映出材料的基本信息。例如，一個(gè)典型的半導(dǎo)體材料牌號可能形如“SEM-01-100”，其中“SE”代表某種特定的化合物半導(dǎo)體，“M”指明為單晶材料，“01”指示性能等級，“100”則代表特定的尺寸規(guī)格。

  4. 補(bǔ)充說明：標(biāo)準(zhǔn)還包含了對材料牌號使用中的注意事項(xiàng)和特殊情況處理辦法，比如當(dāng)某些材料特性無法直接用上述規(guī)則表示時(shí)，應(yīng)采用附加說明或?qū)ｉT的代碼來補(bǔ)充。


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  • 1993-12-24 頒布
  • 1994-09-01 實(shí)施
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GB/T 14844-1993半導(dǎo)體材料牌號表示方法_第1頁
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文檔簡介

UDC621.315.592五80中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14844-93半導(dǎo)體材料牌號表示方法Designationsofsemiconductormaterials1993-12-24發(fā)布1994-09-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14844-93半導(dǎo)體材料牌號表示方法Designationsofsemiconductormaterials主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體多晶、單晶、晶片和外延片產(chǎn)品牌號的表示方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于編制半導(dǎo)體材料的牌號。在編寫國家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí).應(yīng)采用本標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的牌號表示方法。產(chǎn)品出廠時(shí)，應(yīng)使用本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的牌號標(biāo)志。2牌號分類按照晶體結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品形狀，半導(dǎo)體材料牌號分為多品、單品、晶片和外延片四類。牌號表示方法3.1多晶牌號半導(dǎo)體多品的牌號表示為：1口口-口1、2、3、4、5分別代表牌號的第一項(xiàng)至第五項(xiàng)。3.1.1牌號的第一項(xiàng)表示多晶的生產(chǎn)方法或特殊用途，或生產(chǎn)方法與特殊用途的組合·分別用英文的第一個(gè)字母或其字母組合的大寫形式表示，其中：C表示鑄造法；TR表示紅外光學(xué)用途：R表示還原法；C表示區(qū)熔法。3.1.2牌號的第二項(xiàng)中P表示多品，分子式表示多品名稱。3.1.3牌號的第三項(xiàng)表示多晶的形狀,分別用英文第一個(gè)字母的大寫形式表示，其中：表示棒狀：H.N表示塊狀3.1.4牌號的第四項(xiàng)中括號內(nèi)的元素符號表示摻雜劑。3.1.5牌號的第五項(xiàng)中用阿拉伯?dāng)?shù)字表示多品產(chǎn)品的等

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