UDC.621.38L41中華人民共和國國家標準GB/T14863-93用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關(guān)系測定硅外延層中凈載流子濃度的標準方法Standardtestmethodfornetcarrierdensityinsiliconepitaxiallayersbyvoltage-capacitanceofgatedandungateddiodes1993-12-30發(fā)布1994-10-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號中華人民共和國國家標準用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關(guān)系測定硅外延層中凈載流子濃度的標準方法GB/T14863-93中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電電話：63787337、637874471994年7月第一版2004年12月電子版制作書號：155066·1-10811版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關(guān)系測定硅外延層中GB/T14863-93凈載流子濃度的標準方法Standardtestmethodfornetcarrierdensityinsiliconepitaxiallayersbyvoltage-capacitanceofgatedandungateddiodes主主題內(nèi)容與適用范臣本標準規(guī)定了用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關(guān)系測定硅外延層中凈載流子濃度的原理、儀器與材料、樣品制備、測量步驃和數(shù)據(jù)處理。本標準適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值(見附錄B)的相同或相反導(dǎo)電類型襯底上的”型或P型外延層，也適用于體材料。2引用標準SJ1550J用三探針擊穿電壓法測定硅外延層的電阻率3術(shù)語3.1擊穿電壓被測二極管出現(xiàn)10“A漏電流時的反向偏壓。方法原理4.1測量柵控或非柵控p-u結(jié)或肖特基二極管的小訊號高頻電容與反向偏壓的函數(shù)關(guān)系，由所測電容和反向偏壓值確定凈載流子濃度與深度的函數(shù)關(guān)系。對于柵控二極管的測量，柵極加一恒定偏壓。5儀器與材料5.1電容電橋或電容計量程滿刻度為1～1000pF,以十倍增大或減小。測量頻率范圍為0.09～1.1MHz,每個量程精度優(yōu)于滿刻度的1.0%，重復(fù)性優(yōu)于滿刻度的0.25%。儀器應(yīng)能承受士200V或更高的外加直流偏壓，能補償不低于5pF的外部探針架的雜散電容，內(nèi)部交流測量訊號不大于0.05V(r.m.s).5.2數(shù)字電壓表或電位計其靈敏度優(yōu)于1mV,精度優(yōu)于滿刻度的0.5%，重復(fù)性優(yōu)于滿刻度的0.25%.輸入阻抗不小于100MQ,以及在50Hz時共模抑制比高于100dB。5.3直流電源連續(xù)可調(diào)，能提供0～士200V(開路）紋波低于1%的直流輸出.5.4曲線圖示儀能監(jiān)控二極管的正反向V特性