標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 15615-1995是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),全稱為《硅片抗彎強(qiáng)度測(cè)試方法》。此標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測(cè)定硅片抗彎強(qiáng)度的具體試驗(yàn)步驟、所用設(shè)備要求、試樣制備方法以及測(cè)試結(jié)果的處理方式,旨在為硅材料及其制品的質(zhì)量控制和性能評(píng)估提供統(tǒng)一的測(cè)試指導(dǎo)。
標(biāo)準(zhǔn)適用范圍
本標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅或多晶硅切割而成的硅片,主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件及太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。它為這些硅片的機(jī)械強(qiáng)度,特別是抗彎強(qiáng)度的測(cè)定提供了標(biāo)準(zhǔn)化流程。
測(cè)試原理
測(cè)試基于三點(diǎn)彎曲法原理,通過在硅片表面施加集中載荷,直至硅片發(fā)生斷裂,以此來(lái)測(cè)量其抵抗彎曲破壞的能力??箯潖?qiáng)度通過計(jì)算最大載荷與試樣截面的最小矩形面積之比獲得。
設(shè)備要求
- 彎曲測(cè)試機(jī):需具備穩(wěn)定加載速率和足夠精度以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
- 支撐座與加載頭:確保測(cè)試過程中試樣的支撐穩(wěn)固且加載點(diǎn)準(zhǔn)確。
- 測(cè)微計(jì)或電子天平:用于測(cè)量試樣尺寸和重量,以便計(jì)算截面面積。
- 夾具:適配硅片尺寸,保證加載均勻且不易滑脫。
試樣制備
- 試樣應(yīng)從完整的硅片上切割獲取,要求邊緣平整、無(wú)明顯缺陷。
- 規(guī)定試樣尺寸,通常包括長(zhǎng)度、寬度和厚度的具體要求。
- 對(duì)試樣進(jìn)行編號(hào)記錄,確保測(cè)試數(shù)據(jù)的可追溯性。
測(cè)試步驟
- 試樣安裝:將試樣放置于測(cè)試機(jī)的兩個(gè)支撐點(diǎn)之間,確保中心對(duì)齊。
- 加載測(cè)試:以恒定速率施加垂直力至試樣斷裂,記錄最大載荷。
- 數(shù)據(jù)記錄:測(cè)量斷裂后的試樣尺寸,計(jì)算抗彎強(qiáng)度。
結(jié)果處理
- 根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)計(jì)算每個(gè)試樣的抗彎強(qiáng)度,并統(tǒng)計(jì)分析所有試樣的平均值、標(biāo)準(zhǔn)偏差等統(tǒng)計(jì)指標(biāo)。
- 對(duì)異常數(shù)據(jù)進(jìn)行識(shí)別和處理,必要時(shí)進(jìn)行原因分析。
重復(fù)性和再現(xiàn)性
標(biāo)準(zhǔn)中可能包含有關(guān)測(cè)試重復(fù)性和再現(xiàn)性的要求或建議,以確保不同實(shí)驗(yàn)室間測(cè)試結(jié)果的一致性。
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- 廢止
- 已被廢除、停止使用,并不再更新
- 1995-07-12 頒布
- 1996-02-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
9D.669.782-41:620.173.26百23中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15615—1995硅片抗彎強(qiáng)度測(cè)試方法Testmethodformeasuringflexurestrengthofsiliconslices1995-07-12發(fā)布1996-02-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)硅片抗彎強(qiáng)度測(cè)試方法GB/T15615-1995Testmethodformeasuringflexurestrengthofsiliconslices主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單品切割片、研磨片和地光片(簡(jiǎn)稱硅片)的抗彎強(qiáng)度測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶向?yàn)?lt;111>和<100>的直拉、懸浮區(qū)熔硅單晶片的常溫下抗彎強(qiáng)度的測(cè)量。硅片厚度為250~900rm。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB12964硅單晶拋光片GB12965硅單晶切割片和研磨片3術(shù)語(yǔ)3.1抗彎強(qiáng)度f(wàn)lexurestrength試樣破碎時(shí)的最大彎曲應(yīng)力,對(duì)脆性材料通常是凸表面最大徑向張應(yīng)力,表征抗破碎的性能、3.22小攪度Iittledeflection圓片受到中心載荷彎曲時(shí),圓片中心面彎曲前后的最大位移與圓片厚度比為小量方法原理本標(biāo)準(zhǔn)采用簡(jiǎn)支圓片集中載荷沖擊法測(cè)定硅片抗彎強(qiáng)度。用一鋼球從1/4圓形軌道上滾下,沖擊軌道末端垂直放置的硅圓片試樣,不斷升高鋼球高度直到打碎硅片為止。根據(jù)由薄板理論及彈性力學(xué)理論推導(dǎo)出的公式(1)計(jì)算試樣抗彎強(qiáng)度:·(1)式中:0-硅片抗彎強(qiáng)度測(cè)試值,N/mm2;P-鋼球質(zhì)量kg;A試樣簡(jiǎn)支半徑:mm;試樣厚度,m田打破試樣時(shí)鋼球下滾垂直高度,mm;X(kg·mm-")、Y、Z:與硅材料彈性模量和泊松比有關(guān)的系數(shù),對(duì)<111)硅單晶片,分別為182.0.621及1.146;對(duì)<100)硅單晶片,分別為207,0.621及1.146。公式(1)是在薄板小曉度情況下導(dǎo)出,即要求圓片破碎時(shí)的最大抗度與試樣厚度比小于1/5,因此對(duì)不符合小攪度條
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