標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 15652-1995 金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件總規(guī)范》作為一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，為金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件的生產(chǎn)、檢驗(yàn)及應(yīng)用提供了統(tǒng)一的技術(shù)要求和測(cè)試方法。然而，您提供的對(duì)比項(xiàng)似乎不完整，沒(méi)有明確指出要與哪個(gè)具體的標(biāo)準(zhǔn)或版本進(jìn)行比較。不過(guò)，我可以基于該標(biāo)準(zhǔn)本身的內(nèi)容，概述其關(guān)鍵要點(diǎn)及可能相對(duì)于早期或后續(xù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的一般性變更方向，盡管無(wú)法提供直接的逐條對(duì)比分析。

該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求。若將其與早期的標(biāo)準(zhǔn)或未明確提及的其他標(biāo)準(zhǔn)相比，可能的變更包括但不限于以下方面：

  1. 分類與命名規(guī)則：新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)氣敏元件的類型進(jìn)行了更細(xì)致的分類，并引入了新的命名規(guī)則，以適應(yīng)技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品多樣化的需求。

  2. 技術(shù)要求提升：隨著材料科學(xué)和制造工藝的進(jìn)步，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)提高對(duì)元件性能指標(biāo)的要求，如靈敏度、響應(yīng)時(shí)間、恢復(fù)時(shí)間、穩(wěn)定性、工作壽命等，確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。

  3. 試驗(yàn)方法的標(biāo)準(zhǔn)化與完善：為保證檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性，新標(biāo)準(zhǔn)可能詳細(xì)規(guī)定了更加嚴(yán)格的試驗(yàn)條件和方法，包括氣體濃度控制、環(huán)境條件模擬、長(zhǎng)期穩(wěn)定性的評(píng)估方法等。

  4. 質(zhì)量控制與檢驗(yàn)規(guī)則：在質(zhì)量控制方面，新標(biāo)準(zhǔn)可能強(qiáng)化了出廠檢驗(yàn)和型式試驗(yàn)的規(guī)定，增加了抽樣檢驗(yàn)的比例和頻率，確保每一批次產(chǎn)品的質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)。

  5. 包裝、運(yùn)輸與儲(chǔ)存指導(dǎo)：考慮到實(shí)際操作中的安全與保護(hù)需求，新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)元件的包裝材料、運(yùn)輸條件及儲(chǔ)存環(huán)境提出了更為具體的要求，以防損壞和性能衰退。

  6. 環(huán)保與安全要求：隨時(shí)代發(fā)展，新標(biāo)準(zhǔn)還可能加入了環(huán)保和用戶安全相關(guān)的條款，要求材料無(wú)害化，使用過(guò)程中減少對(duì)環(huán)境的影響，以及提高使用安全性。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 1995-07-24 頒布
  • 1996-04-01 實(shí)施
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JDg621.383L15中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15652-1995金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件總規(guī)范Genericspecificationforgassensorsofmetal-oxidesemiconductor1995-07-24發(fā)布1996-04-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

主題內(nèi)容與適用范圍2.1優(yōu)先順序2.2有關(guān)文件2.3術(shù)語(yǔ)、符號(hào)、代號(hào)2.4分類2.5標(biāo)志3質(zhì)量評(píng)定程序3.1質(zhì)量評(píng)定體系3.2；初始制造階段3.3結(jié)構(gòu)相似的元件3.4鑒定批準(zhǔn)程序·3.5質(zhì)量一致性檢驗(yàn)“試驗(yàn)和測(cè)量方法4.1、試驗(yàn)程序4.2標(biāo)準(zhǔn)大氣條件4.3試驗(yàn)順序4.4直觀檢查和尺寸檢查及其方法4.5電氣參數(shù)測(cè)量及其方法4.6環(huán)境試驗(yàn)及其方法4.6.1振動(dòng)(正弦)4.6.22沖擊(規(guī)定脈沖)4.6.3跌落4.6.4引出端強(qiáng)度4.6.5錫焊4.6.6溫度沖擊4.6.7交變濕熱4.6.8低溫4.6.9高高溫104.6.10耐腐蝕?104.7電負(fù)荷試驗(yàn)及其方法(114.7.1短期負(fù)荷(114.7.2長(zhǎng)期負(fù)荷（11)4.8其他試驗(yàn)及其方法(12)4.8.1老化（12)4.8.2防防爆（12

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)CB/T15652-1995金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件總規(guī)范Genericspecificationforgassensorsofmetal-oxidesemiconducton主題內(nèi)客與適用范臣本規(guī)范規(guī)定了金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件(以下簡(jiǎn)稱氣敏元件)質(zhì)量評(píng)定程序、試驗(yàn)和測(cè)量方法、包裝和儲(chǔ)運(yùn)的一般要求。具體要求和特性在相應(yīng)的空白詳細(xì)規(guī)范和詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定。本規(guī)范適用于金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件，其他氣敏元件亦可參照采用。2總則2.1優(yōu)先順序若本規(guī)范要求與詳細(xì)規(guī)范或其他有關(guān)文件之間出現(xiàn)矛盾，應(yīng)按如下優(yōu)先順序使用文件：詳細(xì)規(guī)范；空白詳細(xì)規(guī)范；6C總規(guī)范；d中國(guó)電子元器件質(zhì)量認(rèn)證章程；IECQQC001002&IEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系程序規(guī)則》；其他引用文件(如IEC文件)。2.2有關(guān)文件GB191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB2421電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則GB2423.1電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)A：低溫試驗(yàn)方法GB2423.2電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法GB2423.4電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db:交變濕熱試驗(yàn)方法GB2423.5電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ea:沖擊試驗(yàn)方法GB2423.10電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Fe:振動(dòng)(正弦)試驗(yàn)方法GB2423.20電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法GB2828連批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查）GB/T4475敏感元器件術(shù)語(yǔ)GB7408星期編號(hào)GB/T15653金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件測(cè)試方法SJ1155敏感元器件型號(hào)命名方法SJ/T10554敏感元器件文字符號(hào)SJ/T10555電氣用圖形符號(hào)敏感元器件2IEC電子元器

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