ICS31200

L56.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T15877—2013

代替

GB/T15877—1995

半導(dǎo)體集成電路

蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范

Semiconductorintegratedcircuits—

SpecificationofDIPleadframesproducedbyetching

2013-12-31發(fā)布2014-08-15實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T15877—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范與相比主

GB/T15877—1995《》。GB/T15877—1995

要技術(shù)變化如下

:

關(guān)于第章規(guī)范性引用文件抽樣標(biāo)準(zhǔn)由代替

———2:GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—1987,

改為增加引用文件

GB/T14112—1993GB/T14112—2015;GB/T2423.60—2008、SJ20129;

第章增加了標(biāo)稱長(zhǎng)度側(cè)蝕表面腐蝕芯片粘接區(qū)下陷的術(shù)語和定義

———3、、、;

引線框架尺寸中刪除了引線鍵合區(qū)的最小面積金屬間的間隔的有關(guān)內(nèi)容

———4.1,、;

引線框架形狀和位置公差中刪除了精壓區(qū)共面性精壓區(qū)深度的有關(guān)內(nèi)容增加了絕緣

———4.2,、,

間隙芯片粘接區(qū)下陷引線框架內(nèi)部位置公差的有關(guān)要求

、、;

修改了側(cè)彎的要求原標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)標(biāo)稱長(zhǎng)度進(jìn)行規(guī)定本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定側(cè)彎不超過

———“”:,0.051mm;

修改了卷曲的要求原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了卷曲變形小于標(biāo)稱條長(zhǎng)的本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)材料的

———“”:0.3%,

厚度進(jìn)行規(guī)定

;

修改了橫彎的要求原標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)引線數(shù)及條寬數(shù)進(jìn)行規(guī)定本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)標(biāo)稱長(zhǎng)度進(jìn)行規(guī)定

———“”:,;

修改了條帶扭曲的要求原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了框架扭曲小于本標(biāo)準(zhǔn)將框架扭曲修改

———“”:0.5mm,

為條帶扭曲并根據(jù)材料的厚度進(jìn)行規(guī)定

,;

修改了引線扭曲的要求原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了引線扭曲不大于本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定引線扭曲

———“”:0.01mm,

不超過

3°30';

修改了芯片粘接區(qū)斜度的要求原標(biāo)準(zhǔn)中分別規(guī)定了受壓和不受壓情況下的斜度本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)

———“”:,

一規(guī)定為在長(zhǎng)或?qū)捗砍叽缱畲髢A斜

2.54mm0.05mm;

修改了芯片粘接區(qū)平整度的要求本標(biāo)準(zhǔn)將芯片粘接區(qū)平面度修改為芯片粘接區(qū)平整度原

———“”:,

標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)引線數(shù)來規(guī)定本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為離每邊處平整度不大于

,0.127mm,0.005mm;

對(duì)引線框架外觀中相應(yīng)條款進(jìn)行了調(diào)整增加了毛刺凹坑壓痕劃痕側(cè)蝕和表面腐蝕

———4.3,、、、、

的有關(guān)要求

;

修改了局部鍍金的要求原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定鍍金層厚度不小于本標(biāo)準(zhǔn)修改為不小于

———“”:1.0μm,

0.7μm;

修改了局部鍍銀的要求原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定鍍銀層厚度不小于本標(biāo)準(zhǔn)修改為不小于

———“”:3.8μm,

3μm;

修改了鍍層外觀的要求在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加了對(duì)鍍層外觀的相關(guān)要求

———“”:,;

增加了銅剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求

———“”;

增加了銀剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求

———“”;

增加了鑒定批準(zhǔn)程序的有關(guān)要求

———“”;

修改了檢驗(yàn)要求的要求原標(biāo)準(zhǔn)采用一次性檢驗(yàn)方法本標(biāo)準(zhǔn)修改質(zhì)量一致性檢驗(yàn)為由

———“”:,

組組組檢驗(yàn)項(xiàng)目組成修改了檢驗(yàn)要求中的抽樣方案

A、B、C;“”;

修改了貯存的有關(guān)要求原標(biāo)準(zhǔn)鍍銀引線框架保存期為三個(gè)月本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為六個(gè)月

———“”:,。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

Ⅰ

GB/T15877—2013

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位寧波東盛集成電路元件有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)起草人任忠平尹國(guó)欽

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T15877—1995。

Ⅱ

GB/T15877—2013

半導(dǎo)體集成電路

蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路蝕刻型雙列封裝引線框架以下簡(jiǎn)稱引線框架的技術(shù)要求和試驗(yàn)方

()

法及檢驗(yàn)規(guī)則

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路蝕刻型雙列封裝引線框架鍍金及鍍銀單列蝕刻型引線框

(DIP)(),

架亦可參照使用

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)引出端及整體安

GB/T2423.60—20082:U:

裝件強(qiáng)度

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121: