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Chipone單層多點(diǎn)ITO圖形?真實(shí)兩點(diǎn)觸控?適應(yīng)單層Film/Glass/OGS?適用COF?硬件兼容ICN8302M?通道數(shù)：15（D）*10（S）?應(yīng)用于4“以下（包含4“）手機(jī)ICN8318M芯片介紹電容傳感器模型Rdt:驅(qū)動(dòng)通道阻抗Cdt:驅(qū)動(dòng)通道對(duì)地電容Cxt:感應(yīng)驅(qū)動(dòng)互電容Rst:感應(yīng)通道阻抗Cst:感應(yīng)通道對(duì)地阻抗電容傳感器等效模型傳感器單元電容傳感器模型阻抗值：與材料、橫截面積、長(zhǎng)度、溫度面電阻（方塊電阻）:單位面積下的電阻值電容傳感器等效模型傳感器單元右圖為Chipone山形單層多點(diǎn)ITOPattern其中ITO綠色部分為Sense電極，紫色部分為Drive電極盲區(qū)（驅(qū)動(dòng)走線(xiàn)區(qū)域）有效區(qū)域單端出線(xiàn)（驅(qū)動(dòng)與感應(yīng)相交叉區(qū)域）CellSensor部分設(shè)計(jì)要點(diǎn)：（1）Cell單元內(nèi)部關(guān)鍵尺寸（2）驅(qū)動(dòng)與感應(yīng)走線(xiàn)寬度計(jì)算——阻抗要求條阻不超過(guò)30k左圖為單個(gè)的Cell關(guān)鍵參數(shù)設(shè)置要求為：（1）ITO間距d1：0.3mm（依工藝決定）（2）ITO山形最小寬度d3：0.10mm（3）ITOSense最小寬度d2：0.50mm（4）ITOSense連接線(xiàn)最小寬度d4、d5：0.10mm減小走線(xiàn)阻抗走線(xiàn)方塊電阻：0.10k線(xiàn)電阻：30.0kBacktoback對(duì)稱(chēng)圖形盲區(qū)大小由屏幕尺寸決定,小于2mm條阻控制在30k以?xún)?nèi)雙端走線(xiàn)支持K字形patt

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