ICS29.040.01H26中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T19444-2004硅片氧沉淀特性的測定一間隙氧含量減少法Oxygenprecipitationcharacterizationofsiliconwafersbymeasurementofinterstitialoxygenreduction2004-02-05發(fā)布2004-07-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T19444一2004前本標(biāo)準(zhǔn)等同采用ASTMF1239:1994《用間隙氧含量減少法測定硅片氧沉淀特性》本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會負(fù)責(zé)歸口本標(biāo)準(zhǔn)由洛陽單品硅有限責(zé)任公司和中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：蔣建國、屠妹英、賀東江、章云杰。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會負(fù)責(zé)解釋

GB/T19444一2004氧原子含量是表征直拉硅單晶性能的重要技術(shù)參數(shù)，其含量大小影響半導(dǎo)體器件的性能和成品率這一事實·早已引起了材料和器件研究者的極大關(guān)注·并進(jìn)行了深人的研究。結(jié)果表明：器件工藝的熱循環(huán)過程使間隙氧發(fā)生沉淀現(xiàn)象。沉淀的氧有吸附體內(nèi)金屬雜質(zhì)的能力.在硅片表面形成潔凈層.從而提高器件的性能和成品率。而氧的沉淀特性與原始氧含量的大小相關(guān)。因此·通過熱循環(huán)的模擬試驗獲得硅片的氧沉淀特性，對硅單品生產(chǎn)和硅器件的生產(chǎn)具有指導(dǎo)性作用

GB/T19444一2004硅片氧沉淀特性的測定-間隙氧含量減少法1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由測量硅片間隙氧含量的減少量來檢驗硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規(guī)則、熱處理程序、試驗步驛、數(shù)據(jù)計算等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而.鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。（B/T1557硅品體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法。GB/T14143300～900m硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法。GB/T14144硅品體中間隙氧含量徑向變化測量方法.3方法原理按照制作集成電路的熱循環(huán)過程·對硅片作模擬熱處理。用紅外吸收的方法·測量硅片熱處理前和熱處理后的間隙氧含量，其差值視為間隙氧發(fā)生沉淀的量。沉淀量的大小變化與硅片原始氧及其他雜質(zhì)含量、缺陷、熱處理過程有關(guān).并稱為硅片間隙氧的沉淀特性。4儀器與設(shè)備4.1紅外分光光度計或傅里葉紅外光譜儀、儀器在1107cm-處的分辨率小于5cm2。4.2熱處理爐：爐溫750/1050℃±5C，有足夠放置試驗硅片的恒溫區(qū)長度，并滿足以下條件：4.2.1氣體進(jìn)氣管路：允許干氧和氮氣按要求的比率和流量混合4.2.27石英管或硅管，其直徑適合被測硅片。4.2.3石英舟或硅舟，確保硅片表面充分暴露在氣氯中。4.3厚度測量儀：精度優(yōu)于2m。5試劑與氣體5.1超純?nèi)ルx子水:電阻率>10MQ·cm5.2化學(xué)試劑5.2.1氨水：優(yōu)級純;5.2.2鹽酸：優(yōu)級純；5.2.3雙氧水：優(yōu)級純；5.2.4氫氟酸：電子級純度；5