標準解讀

《GB/T 19501-2013 微束分析 電子背散射衍射分析方法通則》相比于其前版《GB/T 19501-2004 電子背散射衍射分析方法通則》,主要在以下幾個方面進行了更新和調整:

  1. 范圍擴展:2013版標準在適用范圍上可能有所拓展,不僅涵蓋了更廣泛的樣品類型和分析需求,還可能納入了近年來技術進步帶來的新應用領域。

  2. 術語和定義更新:隨著科學技術的發(fā)展,相關專業(yè)術語和定義可能有所變化或新增,以更準確地反映當前的理論和技術狀態(tài)。這有助于統(tǒng)一行業(yè)內的溝通和理解。

  3. 技術內容細化:新版標準可能對電子背散射衍射(EBSD)的實驗條件、數(shù)據(jù)采集、處理和分析方法給出了更為詳細和具體的規(guī)定,包括但不限于探測器技術、成像分辨率、數(shù)據(jù)分析軟件的使用指南等,以提高分析結果的準確性和可重復性。

  4. 質量控制與校準:為了確保測試結果的可靠性和準確性,2013版標準可能加強了對儀器校準、系統(tǒng)性能驗證及數(shù)據(jù)分析過程中的質量控制要求,包括引入新的校準標準或程序。

  5. 數(shù)據(jù)解釋和報告:針對如何解釋EBSD圖譜、晶粒度測定、織構分析等,新版標準可能提供了更加詳盡的指導原則,并對測試報告的格式和內容提出了更具體的要求,便于信息的交流和比較。

  6. 安全與環(huán)境考量:考慮到實驗室操作的安全性和環(huán)境保護的重要性,2013版標準可能增添了關于實驗操作安全規(guī)范、樣品處理及廢棄物處置的相關指導。

這些變更旨在適應科技進步,提升分析工作的標準化、規(guī)范化水平,促進微束分析技術在材料科學、地質學、生物醫(yī)學等多個領域的應用與發(fā)展。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-07-19 頒布
  • 2014-03-01 實施
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文檔簡介

ICS7104050

G04..

中華人民共和國國家標準

GB/T19501—2013

代替

GB/T19501—2004

微束分析電子背散射衍射分析方法通則

Microbeamanalysis—Generalguideforelectronbackscatterdiffractionanalysis

2013-07-19發(fā)布2014-03-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T19501—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替電子背散射衍射分析方法通則

GB/T19501—2004《》。

本標準與相比主要內容變化如下

GB/T19501—2004,:

增加了規(guī)范性引用文件見第章

———(2);

增加或修改了部分術語刪除晶粒夾角見第章

———,(3);

增加了分析步驟內容見第章

———(4);

增加分析結果發(fā)布補充內容見第章

———(5);

增加了附錄資料性附錄

———A();

修改了測量條件見第章

———(4);

刪除了原標準中試樣的制備

———;

刪除了原標準中分析步驟

———;

刪除了原標準中測量誤差

———。

本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標準起草單位寶鋼集團中央研究院

:。

本標準主要起草人姚雷田青超鄭芳顧佳卿陳家光

:、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T19501—2004。

GB/T19501—2013

微束分析電子背散射衍射分析方法通則

1范圍

本標準規(guī)定了電子背散射衍射分析方法

。

本標準適用于安裝了電子背散射衍射附件的掃描電鏡和電子探針進行物相識別晶體取向顯微織

、、

構以及晶界特性等方面的分析

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電子探針定量分析方法通則

GB/T15074

檢測和校準實驗室能力的通用要求

GB/T27025

微束分析電子背散射衍射取向測定方法通則

ISO24173(Microbeamanalysis—Guidelinesfor

orientationmeasurementusingelectronbackscatterdiffraction)

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

31

.

電子背散射衍射electronbackscatterdiffractionEBSD

;

當入射電子束照射到高傾斜的晶體樣品時其背散射電子與原子面發(fā)生的衍射

,。

32

.

電子背散射花樣electronbackscatterpatternEBSP

;

由電子背散射衍射產生的具有準線性特征的并被探測器截獲的圖案即菊池帶可將其顯示在熒

、,,

光屏或照相膠片上

。

33

.

花樣中心patterncentrePC

;

熒光屏平面上的一點其垂線過電子束轟擊樣品點

,。

34

.

試樣與熒光屏的距離specimen-to-screendistanceSSD

;

花樣中心與試樣表面電子束轟擊點之間的距離

注如果試樣與熒光屏之間的距離變小那么將會向花樣中心方向縮小會觀察到更多的菊池帶

:,EBSP,。

35

.

Hough變換Houghtransform

能自動探測圖像內特殊形狀特征的一種圖像處理的數(shù)學技術

。

注在中線性變換用于識別菊池帶在中的位置及取向使得花樣指數(shù)可以標定每個菊池帶

:EBSD,HoughEBSP,。

在空間中被轉化為最大值而被識別這種變換本質上是變換的一種特例一般情況下

Hough

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