ICS71.040.50G04中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T：19501-一2004電子背散射衍射分析方法通則Generalguideforelectronbackscatterdiffractionanalysis2004-04-30發(fā)布2004-12-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛(ài)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T19501-2004三次前言范圍2規(guī)范性引用文件3術(shù)語(yǔ)和定義4試驗(yàn)方法5分析結(jié)果發(fā)布參考文獻(xiàn)……

GB/T19501一2004前本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由寶鋼股份公司技術(shù)中心起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳家光、范朝暉、田青超、李忠.

GB/T19501一2004電子背散射衍射分析方法通則1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子背散射衍射分析方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于安裝了電子背散射衍射附件的電子束顯微分析儀進(jìn)行物相的鑒定、品體取向、顯微織構(gòu)以及品界特性等方面的分析。2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件.其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T15074電子探針定量分析方法通則GB/T15481檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力的通用要求(GB/T15481-2000.idtISO/IEC17025:1999)3術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)電子背散射衍射lelectronbackscatterdiffraction（EBSD人射電子束進(jìn)入試樣,由于非彈性散射,在入射點(diǎn)附近發(fā)散.在表層幾十納米范圍內(nèi)成為一點(diǎn)源由于其能量損失很少，電子的波長(zhǎng)可以認(rèn)為基本不變。這些電子在反向出射時(shí)與品體產(chǎn)生布拉格銜射、稱之為電子背散射行射32電子背散射衍射譜（花樣）electronbackscatterdiffractionpattern（EBSP)在電子背散射衍射中產(chǎn)生的線狀花樣，稱之為電子背散射衍射菊池線。每一線對(duì)即菊池線對(duì),對(duì)應(yīng)品體中的一組品面，所有不同品面產(chǎn)生的背散射衍射菊池線組成的圖形稱為電子背散射衍射譜(花樣)3.3晶體取向Crystallographicorientations晶體點(diǎn)陣相對(duì)于試樣外部坐標(biāo)軸的位向關(guān)系.及取向分布。3晶粒夾角晶界面兩側(cè)位向差(相鄰兩晶粒間夾角0)可用品粒繞某一晶向軸相對(duì)另一品粒旋轉(zhuǎn)·角來(lái)表示分為小角度晶界(0<15°)和大角度晶界(0>15°)。3.5重位點(diǎn)陣coincidencesitelattice（CSL)兩個(gè)互相穿插的平移點(diǎn)陣(點(diǎn)陣1和點(diǎn)陣2)相對(duì)作平移、旋轉(zhuǎn)等操作.當(dāng)?shù)竭_(dá)某一位置時(shí)（如旋轉(zhuǎn)到某些特殊角度時(shí))。這兩部分點(diǎn)陣中的一些陣點(diǎn)會(huì)重合起來(lái)（即點(diǎn)陣2中的某一陣點(diǎn)與點(diǎn)陣1中的某一陣點(diǎn)重合）這些重合的陣點(diǎn)稱為點(diǎn)陣重合位置。這些重合位置的陣點(diǎn)本身將構(gòu)成三維空間格子的超點(diǎn)陣,稱為重合位置點(diǎn)陣，簡(jiǎn)稱重位點(diǎn)陣"Lattice