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數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)
張華133929598058.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)8.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)8半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件基本要求:掌握半導(dǎo)體存儲(chǔ)器字、位、存儲(chǔ)容量、地址等基本概念。正確理解RAM、ROM的工作原理了解半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的組成及工作原理。掌握RAM、ROM的典型應(yīng)用。8半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件
只讀存儲(chǔ)器,工作時(shí)其存儲(chǔ)的內(nèi)容固定不變。且只能讀出,不能隨時(shí)寫(xiě)入。工作時(shí),將一個(gè)給定的地址碼加到ROM的地址輸入端,便可在它的輸出端得到一個(gè)事先存入的確定數(shù)據(jù)。8.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)按存貯矩陣中器件類(lèi)型
固定ROM--PROM--EPROM--FlashMemary--E2PROM--二極管ROM三極管ROMMOS管ROM按寫(xiě)入方式廠家裝入數(shù)據(jù),永不改變用戶(hù)裝入,只可裝一次,永不改變用戶(hù)裝入,紫外線擦除用戶(hù)裝入,電可擦除高集成度,大容量,低成本,使用方便。存儲(chǔ)矩陣三態(tài)緩沖器
地址譯碼器數(shù)據(jù)輸出地址輸入
固定ROM主要由地址譯碼器、存儲(chǔ)單元矩陣和輸出緩沖器三部分組成。字線容量=字線×位線位線8.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)存儲(chǔ)或矩陣字線位線二極管ROM—以4×4為例存儲(chǔ)單元譯碼與矩陣輸出緩沖器任何時(shí)刻只有一根字線為高電平。
有一種可編程序的ROM,在出廠時(shí)全部存儲(chǔ)“1”,用戶(hù)可根據(jù)需要將某些單元改寫(xiě)為“0”,但是,只能改寫(xiě)一次,稱(chēng)為PROM。字線位線熔斷絲
若將熔絲燒斷,該單元?jiǎng)t變成“0”。顯然,一旦燒斷后不能再恢復(fù)??删幊蘎OM(PROM)8.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)可擦除可編程ROM(EPROM)
當(dāng)浮柵上帶有負(fù)電荷時(shí),則襯底表面感應(yīng)的是正電荷,這使得MOS管的開(kāi)啟電壓變高,如果給控制柵加上同樣的控制電壓,MOS管仍處于截止?fàn)顟B(tài)。SIMOS管利用浮柵是否累積有負(fù)電荷來(lái)存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)單元采用N溝道疊柵管(SIMOS)。其結(jié)構(gòu)如下:寫(xiě)入數(shù)據(jù)前,浮柵不帶電荷,要想使其帶負(fù)電荷,需在漏、柵級(jí)上加足夠高的電壓25V即可。若想擦除,可用紫外線或X射線,距管子2厘米處照射15-20分鐘。
當(dāng)浮柵上沒(méi)有電荷時(shí),給控制柵加上控制電壓,MOS管導(dǎo)通.8.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)與EPROM的區(qū)別是:浮柵延長(zhǎng)區(qū)與漏區(qū)N+之間的交疊處有一個(gè)厚度約為80A(埃)的薄絕緣層。隧道MOS管E2PROM可用電擦除信息,以字為單位,速度高,可重復(fù)擦寫(xiě)1萬(wàn)次。8.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)(1)用于存儲(chǔ)固定的數(shù)據(jù)、表格(2)碼制變換ROM的簡(jiǎn)單應(yīng)用(3)用戶(hù)程序的存貯(4)構(gòu)成組合邏輯電路8.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)例1用ROM實(shí)現(xiàn)十進(jìn)制譯碼顯示電路。8.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)m0m1m2m9……例2用ROM實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)。2/4線譯碼器A1A0m0m1m2m3D0D1D2D38.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)例3電路如圖,試畫(huà)出F波形CPROM二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器Fm0m1m2m3m4m5m6m7Q0Q1Q28.1只讀存儲(chǔ)器(ROM)8.2.1RAM的結(jié)構(gòu)與工作原理*8.2.3RAM舉例8.2.2RAM存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展RAM存儲(chǔ)單元(SRAM、DRAM)RAM的基本結(jié)構(gòu)
字長(zhǎng)(位數(shù))的擴(kuò)展
字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展8.2概述8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)
RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,在任意時(shí)刻,對(duì)任意單元可進(jìn)行存/?。矗鹤x/寫(xiě))操作。RAM特點(diǎn):靈活-程序、數(shù)據(jù)可隨時(shí)更改;易失-斷電或電源電壓波動(dòng),會(huì)使內(nèi)容丟失。
ROM是只讀存儲(chǔ)器,在正常工作狀態(tài)只能讀出信息,不能隨時(shí)寫(xiě)入。ROM特點(diǎn):非易失性-信息一旦寫(xiě)入,即使斷電,信息也不會(huì)丟失,具有非“易失”性特點(diǎn)。常用于存放固定信息(如程序、常數(shù)等)。編程較麻煩-需用專(zhuān)用編程器。8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)
存儲(chǔ)矩陣用于存放二進(jìn)制數(shù),一個(gè)單元放一位,排列成矩陣形式。存儲(chǔ)矩陣讀/寫(xiě)控制電路
地址譯碼器數(shù)據(jù)輸入/輸出地址輸入控制信號(hào)輸入(CS、R/W)
讀/寫(xiě)控制電路完成對(duì)選中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù)的操作。把信息存入存儲(chǔ)器的過(guò)程稱(chēng)為“寫(xiě)入”操作。反之,從存儲(chǔ)器中取出信息的過(guò)程稱(chēng)為“讀出”操作。
地址譯碼器的作用是對(duì)外部輸入的地址碼進(jìn)行譯碼,以便唯一地選擇存儲(chǔ)矩陣中的一個(gè)存儲(chǔ)單元。1.RAM的基本結(jié)構(gòu)8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)結(jié)構(gòu)與工作原理
例如:容量為256×1的存儲(chǔ)器8根列地址選擇線32根行地址選擇線32×8=256個(gè)存儲(chǔ)單元譯碼方式單譯碼雙譯碼---n位地址構(gòu)成2n
條地址線。若n=10,則有1024條地址線---將地址分成兩部分,分別由行譯碼器和列譯碼器共同譯碼其輸出為存儲(chǔ)矩陣的行列選擇線,由它們共同確定欲選擇的地址單元。若給出地址A7-A0=00100001,將選中哪個(gè)存儲(chǔ)單元讀/寫(xiě)?8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)結(jié)構(gòu)與工作原理圖8.2.5
若容量為256×4的存儲(chǔ)器,有256個(gè)字,8根地址線A7-A0,但其數(shù)據(jù)線有4根,每字4位。8根列地址選擇線32根行地址選擇線1024個(gè)存儲(chǔ)單元
若給出地址A7-A0=00011111,哪個(gè)單元的內(nèi)容可讀/寫(xiě)?
8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)結(jié)構(gòu)與工作原理1.位數(shù)(字長(zhǎng))的擴(kuò)展D0D1
D2
D3D12D13D14D15
位擴(kuò)展可以用多片芯片并聯(lián)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。即地址線、讀/寫(xiě)線、片選信號(hào)對(duì)應(yīng)并聯(lián),各芯片的I/O口作為整個(gè)RAM輸入/出數(shù)據(jù)端的一位。例1用4K×4位的RAM擴(kuò)展為4K×16位的RAM···CS┇A11A0···R/WR/WCSA0A114K×4位(1)I/O0I/O1I/O2I/O3R/WCSA0A114K×4位(4)I/O0I/O1I/O2I/O3······┇┇8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展即該芯片8K×8功能框圖2.字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展
字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展可利用外加譯碼器控制存儲(chǔ)器芯片的片選輸入端CS來(lái)實(shí)現(xiàn)。假設(shè)某芯片的存儲(chǔ)容量為:8K×8(即8192字×8位)。數(shù)據(jù)線共有:地址線共有:13根(A12~A0)8根(D7~D0)8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展2.字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展圖8.1.10(I)(II)(III)(IV)芯片74139有效輸出端A14A13IY000IIY101IIIY210IVY311例2將8K×8位的RAM擴(kuò)展為32K×8位的RAM
8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展8.2.1集成2kB×8位RAM6116寫(xiě)入控制端片選端輸出使能端123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R/WRAM2114管腳圖故其容量為:1024字×4位(又稱(chēng)為1K×4)RAM2114共有10根地址線,4根數(shù)據(jù)線。8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)集成電路
該芯片是摩托羅拉公司生產(chǎn)的靜態(tài)RAM,28腳雙列直插封裝。8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)集成電路隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)可以在任意時(shí)刻、對(duì)任意選中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行信息的存入(寫(xiě)入)或取出(讀出)操作。與只讀存儲(chǔ)器ROM相比,RAM最大的優(yōu)點(diǎn)是存取方便,使用靈活,既能不破壞地讀出所存信息,又能隨時(shí)寫(xiě)入新的內(nèi)容。其缺點(diǎn)是一旦停電,
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