ICS7704020

H21..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30653—2014

Ⅲ族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量測(cè)試方法

TestmethodforcrystalqualityofⅢ-nitrideepitaxiallayers

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30653—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫寶娟趙麗霞王軍喜曾一平李晉閩

:、、、、。

Ⅰ

GB/T30653—2014

Ⅲ族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用高分辨射線衍射儀測(cè)試族氮化物外延片結(jié)晶質(zhì)量的方法

XⅢ。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在氧化物襯底等或半導(dǎo)體襯底等上外延生長(zhǎng)的

(Al2O3、ZnO)(GaN、Si、GaAs、SiC)

氮化物單層或多層異質(zhì)外延片結(jié)晶質(zhì)量的測(cè)試其他異質(zhì)外延片結(jié)晶質(zhì)量的測(cè)試也可

(Ga、In、Al)N。

參考本標(biāo)準(zhǔn)

。

2術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

21

.

對(duì)稱衍射symmetricdiffraction

入射束和反射束相對(duì)于樣品晶面法線處于對(duì)稱位置入射角與反射角相等時(shí)發(fā)生的衍射

,。

22

.

非對(duì)稱衍射asymmetricdiffraction

若衍射晶面與樣品表面有個(gè)夾角χ入射束和反射束相對(duì)于樣品晶面法線處于非對(duì)稱位置入射角

,,

與反射角不相等時(shí)發(fā)生的衍射

。

23

.

斜對(duì)稱衍射skewdiffraction

入射束和反射束相對(duì)于樣品表面法線處于對(duì)稱位置而衍射晶面相對(duì)于樣品表面有個(gè)傾斜角χ此

,,

時(shí)發(fā)生的衍射為斜對(duì)稱衍射

。

24

.

螺型位錯(cuò)screwdislocation

一個(gè)晶體的某一部分相對(duì)于其余部分發(fā)生滑移原子平面沿著一根軸線盤旋上升每繞軸線一周

,,,

原子面上升一個(gè)晶面間距在中央軸線處即為一螺型位錯(cuò)

。。

25

.

刃型位錯(cuò)edgedislocation

晶體在切應(yīng)力的作用下一部分相對(duì)于另一部分沿一定的晶面滑移面和晶向滑移方向產(chǎn)生位

,()()

移從而形成多余半原子面也就形成了刃型位錯(cuò)

,,。

26

.

搖擺曲線rockingcurve

把探測(cè)器固定在樣品hkl晶面的θ位置探測(cè)器前不加狹縫試樣在衍射位置附近以θ角度搖

()2B,,Δ

擺衍射強(qiáng)度會(huì)隨著角度而發(fā)生變化記錄得到的衍射強(qiáng)度與ω的關(guān)系曲線

,,。

3符號(hào)

下列符號(hào)適用于本文件