標準解讀

《GB/T 4059-1983 硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗方法》是一項國家標準，主要針對硅多晶材料中磷含量的檢測提供了具體的操作指南。該標準詳細規(guī)定了使用氣氛區(qū)熔法測定硅多晶材料中磷雜質(zhì)的方法步驟和技術要求。

根據(jù)此標準，首先需要準備一定量的待測樣品，并確保其表面清潔無污染。接著，在特定條件下將樣品置于石英管內(nèi)進行加熱處理，通過控制加熱區(qū)域形成局部熔融狀態(tài)，使得其中含有的磷元素能夠以氣體形式釋放出來。這一過程需在嚴格控制的惰性氣體（如氬氣）環(huán)境中進行，以避免外界因素對實驗結(jié)果造成干擾。

隨后，收集從熔融區(qū)域逸出的含有磷成分的氣體，并采用適當?shù)姆椒▽ζ溥M行定量分析。常用的分析手段包括但不限于光譜分析、質(zhì)譜分析等，這些技術能夠準確地測量出磷的具體含量。值得注意的是，在整個過程中還需注意溫度控制、氣體流量調(diào)節(jié)等因素，以保證測試結(jié)果的準確性與可靠性。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 4059-2007
  • 1983-12-20 頒布
  • 1984-12-01 實施
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GB/T 4059-1983硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗方法_第1頁
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UDC669.782：548.2:543.06中華人民共和國國家標準GB4059-83硅多晶氣氮區(qū)熔磷檢驗方法Polycrystallinesilicon--Examinationmethod--Zone-meltingonphosphonsundercontrolledatmosphere1983-12-20發(fā)布1984-12-01實施1家標準局批準

中華人民共和國國家標準UDC669.782:5482:543.06硅多晶氣氮區(qū)熔磷檢驗方法GB4059-83Polycrystallinesilicon--Examinationmethod-Zone-meltingonphosphonisundercontrolledatmosphere本標準適用于三氯氫硅及四氯化硅氫還原在細硅芯上沉積硅多品所生長出來的硅多晶棒：檢測雜質(zhì)液度有效范圍0.02～20ppbaaN型電阻率范圍10～200022·cm。1方法原理1.1原理利用街區(qū)榕時硅中碘硼的有效分蟹系數(shù)的差別及磷硼從硅中蒸發(fā)速車的差別。1.2方法氣爾區(qū)熔法2試樣制備2.1取樣部位除仁橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多品棒離石墨卡頭10mm一段外均可取樣（如圖1）。2.2試樣尺寸直徑10~40mm。長度70～200mm。2.3試樣處理2.3.1在化學純丙酮中洗樣去油。2.3.2用用化學純乙薩清洗20～30s后用電阻率大于10MQ的去離子水沖洗。2.3.3在優(yōu)級純HF:HNOa=1:（3～5）體積的混合酸液中腐蝕2min2.3.4在第二份優(yōu)級純HF:HNO，-1(3～5）的混合酸液中腐蝕2min。2.3.5用電阻率大于10M22的去離子水沖洗試樣至中性。2.3.6試樣經(jīng)超南波或用去離子水多次煮沸，洗滌，烘干，包裝待用。儀器設備內(nèi)熱式區(qū)熔爐。4籽晶制備4.1籽晶規(guī)格電作率大于3002·cm的N型（111》硅單晶。切成5m×5m×50mm。4.2籽晶處理同2.3試樣處

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