犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜４０５９—２００７

代替ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀—犈狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱—犣狅狀犲犿犲犾狋犻狀犵狅狀

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２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０５９—２００７

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｇｂ１６８．ｃｎ

電話：（０１０）５１２９９０９０、６８５２２００６

２００８年２月第一版

書號：１５５０６６·１３０５３４

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報電話：（０１０）６８５２２００６

書

犌犅／犜４０５９—２００７

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３《硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了

ＡＳＴＭＦ１７２３—１９９６《用懸浮區(qū)熔法晶體生長和光譜學(xué)方法評價多晶硅棒的標(biāo)準(zhǔn)》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６的一致性程度是修改采用，其差異如下：

———刪去了ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６第９章“危害”，因此，使用本標(biāo)準(zhǔn)時應(yīng)建立相應(yīng)的安全操作規(guī)范；

———刪去了ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６第５章“意義和用途”、第１０章１０．２．３條“垂直取芯”、第１５章“關(guān)鍵詞”。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比，主要變化如下：

———檢測雜質(zhì)濃度范圍擴(kuò)大為０．００２ｐｐｂａ～１００ｐｐｂａ；

———采用ＡＳＴＭＦ１７２３９６規(guī)定的施主雜質(zhì)測量范圍替代原ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３的測量范圍；

———依據(jù)ＡＳＴＭＦ１７２３９６增加了用低溫紅外光譜和熒光光譜分析法測量樣品中的磷雜質(zhì)含量的

方法；

———增加了“規(guī)范性引用文件”、“術(shù)語”、“允許差”、“計算”；

———刪去了原標(biāo)準(zhǔn)中的附錄Ａ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的第５章“檢驗條件”修訂為“干擾因素”；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于５ｍｍ，距多晶硅棒底部不低于５０ｍｍ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣尺寸范圍修訂為直徑１５ｍｍ～２０ｍｍ、長度為１８０ｍｍ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的“檢驗結(jié)果尺寸”修訂為１０ｍｍ～１５ｍｍ。

本標(biāo)準(zhǔn)自實施之日起，同時代替ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨眉半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０５９—２００７

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅沉積在硅芯上生長的多晶硅棒基磷的檢驗。

本標(biāo)準(zhǔn)檢測雜質(zhì)濃度的有效范圍：０．００２×１０－９～１００×１０－９。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１５５５半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度