ICS77.040.01H17中華人民共和國國家標準GB/T4326-一2006代替GB/T4326-1984非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法ExtrinsicsemiconductorsinglecrystalsmeasurementofHallmobilityandHallcoefficient2006-07-18發(fā)布2006-11-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

GB/T4326—2006本標準是對GB/T4326-1984《非本征半導體單品霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法》的修訂。本標準是在原標準基礎上.參考ASTMF76標準編制的本標準與原標準相比主要變動如下：-在測量范圍條款列舉的材料中增加了磷化鏢單品材料，擴大了本標準的適用范圍：增增加了附錄A·在附錄A中列出／因子數(shù)值表，用于電阻率計算；增加了原理條款，簡述了測量原理；在樣品制備條款中規(guī)定樣品切片必須經(jīng)過研磨.以消除機械損傷。取消了原標準中用洗滌劑或有機溶劑清洗樣品的規(guī)定：改變了用于砷化家樣品的腐蝕液：增加了規(guī)定磷化緣樣品腐蝕方法的條款；規(guī)定了配制腐蝕液的化學試劑的純度等級修改了砷化鏢樣品的電極制備方法.取消了腐蝕過程，改變了燒結(jié)條件;增加了規(guī)定磷化鏢樣品電極制備方法的條款;改了對薄片試樣接觸尺寸線的要求，由線度不大于0.01L.改位不大于0.02L.;在電極制備設備條款中提出對燒結(jié)爐的要求：取消了原標準中電子設備條款下規(guī)定轉(zhuǎn)換開關(guān)裝置和品體管圖示儀的子條目：取消了原標準中的環(huán)境控制裝置條款，保留了其中關(guān)于試樣架的部分內(nèi)容.改寫為5.6條；取消了原標準中定位裝置條款：改寫了原標準測量程序條款中表述測量步驛的部分，修正了原標準中的文法錯誤和表述不確切的地方：-改寫了原標準規(guī)定測試報告的條款本標準的附錄A為資料性附錄。本標準自實施之日起代替GB/T4326-1984本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會(SAC/TC)歸口。本標準由北京有色金屬研究總院負責起草。本標準主要起草人：王彤涵。本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會負責解釋本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T4326-1984

GB/T4326—2006非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法范圍本標準規(guī)定的測量方法適用于測量非本征半導體單品材料的霍爾系數(shù)、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃皮。本標準規(guī)定的測量方法僅在有限的范圍內(nèi)對錯、硅、砷化鏢和磷化家單品材料進行了實驗室測量但該方法也可適用于其他半導體單品材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達10·Q·cm半導體單品材料的測試、術(shù)語和定義以下術(shù)語和定義適用于本標準21電阻率resistivity電阻率是材料中平行于電流的電位梯度與電流密度之比。電阻率應在零磁通下測量。電阻率是材料參數(shù)中可直接測量的量。在具有單一類型載流子的非本征半導體材料中，電阻率與材料基本參數(shù)的關(guān)系如下：P=（1）···················（1）式中：-電阻率··cmi載流子濃度·Cm-；九電子電荷值，C(庫侖)；-載流子遷移率，cm'/（V·s）、必須指出.對于本征半導體和某些型半導體如力Ge(存在兩種空穴).式（1)顯然不適用.而必須采用如下關(guān)系式：式中：表示第;種載流子相關(guān)的量。2.2霍爾系數(shù)hallcoefficient在半導體單品材料試樣上同時加上互相垂直的電場和磁場.則試樣中的載流子將在第3個互相垂直的方向上偏轉(zhuǎn),在試樣兩側(cè)建立橫向電場，稱之為霍爾電場,見圖1。霍爾系數(shù)是