犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜６６２４—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６２４—１９９５

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜６６２４—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ６６２４—１９９５《硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法》。

本標準與原標準相比主要有如下變化：

———修改了高強度匯聚光源照度要求，由不小于１６０００ｌｘ改為不小于２３００００ｌｘ；

———增加了凈化室級別要求；

———擴大了照度計測量范圍為０ｌｘ～３３００００ｌｘ；

———增加了測量長度工具；

———更改檢測條件中光源與硅片之間的距離要求。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準主要起草單位：上海合晶硅材料有限公司。

本標準主要起草人：徐新華、王珍。

本標準所替代標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ６６２４—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６２４—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６２４—２００９

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

１范圍

本標準規(guī)定了在一定光照條件下，用目測檢驗單晶拋光片（以下簡稱拋光片）表面質(zhì)量的方法。

本標準適用于硅拋光片表面質(zhì)量檢驗。外延片表面質(zhì)量目測檢驗也可參考本方法進行。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

３術語

本標準涉及的術語應符合ＧＢ／Ｔ１４２６４的規(guī)定。

４方法原理

硅拋光片表面質(zhì)量缺陷在一定光照條件下可以產(chǎn)生光的漫反射，且能通過目測觀察，據(jù)此可目測檢

驗其表面缺陷。

５設備和器具

５．１高強度匯聚光源：照度不小于２３００００ｌｘ。

５．２大面積漫射光源：可調(diào)節(jié)光強度的熒光燈或乳白燈，使檢測面上的光強度為４３０ｌｘ～６５０ｌｘ。

５．３凈化室：凈化室級別應該與硅片表面顆粒檢測的水平相一致，不低于１００級。

５．４凈化臺：大小能容納檢測設備，凈化級別優(yōu)于１００級，離凈化臺正面邊緣２３０ｍｍ處背景照度為

５０ｌｘ～６５０ｌｘ。

５．５真空吸筆：吸筆頭可拆卸清洗，拋光片與其接觸后不留下任何痕跡，不引入任何缺陷。

５．６照度計：應可測到０ｌｘ～３３００００ｌｘ。

５．７公制尺：精度不低于１ｍｍ。

６試樣

按照規(guī)定的抽樣方案或商定的抽樣方案從清洗后的拋光片中抽取試樣。

７檢測