東南東南大學無錫分東南大學無錫第第五章

東南大學無錫分工作區(qū)？“薄膜1、生長氧2 較熱生長：消耗硅，生成二氧§5.2氧化

東南大學無錫分 曝露在空氣化 槽東南大學無錫分p-Epitaxialp+Silicon場氧化氧化膜的用

東南大學無錫分PolysiliconGate p-Epitaxialp+Silicon氧化膜的用東南大氧化膜的用Phosphorusp-Epitaxialp+SiliconBarrier

東南大學無錫分SiliconSilicondioxidep+Silicon

東南大學無錫分GateGateTransistorp+Silicon

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東南大學無錫分DopantDopantspacerIonSpaceroxideprotectschannelfromhigh-energy

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PadBBgdILD-M-ILD-M-

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p+SiliconHighdamagetouppersurface+more

Lowdamagetouppersurface+less

東南大學無錫分BondingpadBondingpad

BondingpadILD-M-ILD-M-§5.3熱氧化生東南§5.3熱氧化生各種要求下的氧化物厚Semiconductor Gateoxide(0.18m 20–Capacitor 5–400–Dopantmasking

(依賴于摻雜劑、注入能量、時間和溫度STIBarrier LOCOSPad 200–Field 2,500–在日光定照射下正面觀在日光定照射下正面觀察到熱生長的SiO2薄膜顏色一、關(guān)于氧化的化學反一、關(guān)于氧化的化學反Si(s)O2(g)SiO2溫度和時間對干氧氧化物厚度的一、關(guān)于氧化的化學反一、關(guān)于氧化的化學反Si(s)2H2O(g)SiO2(s)2H2(g)溫度和時間對濕氧氧化物厚度的二、氧化生長模

東南大學無錫分 tBefore After在氧化中硅的二、氧化生長模

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二氧化硅的原子

在Si—SiO2界面的電荷東南大學無錫過渡層：Si與SiO2的混合狀過渡層：SiO2連續(xù)變不存在過渡與熱氧化硅相聯(lián)系的電與熱氧化硅相聯(lián)系的電四種電荷二、氧化生長模

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O,氧化層的氧AXBA t：生長時

東南大學無錫分線性率常數(shù)與溫度的1X1

東南大學無錫分拋物線性率常數(shù)與溫度的二、氧化生長模東南大學無錫分二、氧化生長模

東南大學無錫分Pad(initial4.Si3N4

e

Si3N4掩蔽與刻

LOCOS場氧化層的剖選擇性氧化和鳥嘴效選擇性氧化和鳥嘴效NitrideoxidationSelectiveSilicon二、氧化生長模

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氧化硅平坦化 5.氮化硅去

淺 (STI)的剖二、氧化生長模硅片翹產(chǎn)生層狀缺Si—SiO2界面處形成的晶體缺

東南大學無錫分§5.4高溫爐設東§5.4高溫爐設立式爐系

東南大學無錫分 加熱器

傳統(tǒng)與快速升溫立式傳統(tǒng)與快速升溫立式爐的溫度曲 FastTemperatureTemperature

TemperatureTemperature

80100120140160Time

80100120140160Time東南大學無錫分傳統(tǒng)立式爐和RTP間的對

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熱壁Hot

冷壁Cold東南O2O2、H2、N2、

東南大學無錫分 步 時(分鐘

0000150020035004050060075008000東南后氧化評估：當把硅片卸下后，要對硅片進行檢測質(zhì)量參氧化物厚

東南大學無錫分﹡O2柵氧化物的完整

東南大學無錫分 氧化膜內(nèi)的顆東南氧化膜內(nèi)的顆﹡﹡氧化膜下的