*15場(chǎng)效應(yīng)管放大電路5.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管5.3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）*5.4砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管5.5各種放大器件電路性能比較5.2MOSFET放大電路*2P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)耗盡型：場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí)，就有導(dǎo)電溝道存在增強(qiáng)型：場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí)，沒(méi)有導(dǎo)電溝道場(chǎng)效應(yīng)管的分類：*35.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET5.1.5MOSFET的主要參數(shù)5.1.2N溝道耗盡型MOSFET5.1.3P溝道MOSFET5.1.4溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)*45.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET1.結(jié)構(gòu)（N溝道）L：溝道長(zhǎng)度W：溝道寬度tox

：絕緣層厚度通常W>L*55.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET剖面圖1.結(jié)構(gòu)（N溝道）符號(hào)*65.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET2.工作原理（1）vGS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)vGS≤0時(shí)

無(wú)導(dǎo)電溝道，d、s間加電壓時(shí)，也無(wú)電流產(chǎn)生。

由結(jié)構(gòu)圖可見(jiàn)，N+型漏區(qū)和N+型源區(qū)之間被P型襯底隔開(kāi)，漏極和源極之間是兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。

當(dāng)柵源電壓VGS=0時(shí)，不管漏極和源極之間所加電壓的極性如何，其中總有一個(gè)PN結(jié)是反向偏置的，反向電阻很高，漏極電流近似為零。SD*7

當(dāng)VGS>0時(shí)，P型襯底中的電子受到電場(chǎng)力的吸引到達(dá)表層，填補(bǔ)空穴形成負(fù)離子的耗盡層；當(dāng)VGS>VT時(shí)，還在表面形成一個(gè)N型層，稱反型層，即勾通源區(qū)和漏區(qū)的N型導(dǎo)電溝道，將D-S連接起來(lái)。VGS愈高，導(dǎo)電溝道愈寬。5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET2.工作原理（1）vGS對(duì)溝道的控制作用當(dāng)0<vGS<VT時(shí),

產(chǎn)生電場(chǎng)，但未形成導(dǎo)電溝道（感生溝道），d、s間加電壓后，沒(méi)有電流產(chǎn)生。P型硅襯底N溝道N+N+DGS----耗盡層EG+-VGS*8在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，開(kāi)始導(dǎo)通d、s間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。vGS越大，導(dǎo)電溝道越厚當(dāng)vGS>VT時(shí)在一定的漏–源電壓VDS下，使管子由不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通的臨界柵源電壓稱為開(kāi)啟電壓VT稱為開(kāi)啟電壓5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET2.工作原理（1）vGS對(duì)溝道的控制作用

在一定的VDS下漏極電流ID的大小與柵源電壓VGS有關(guān)。所以，場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制電流的器件。*92.工作原理（2）vDS對(duì)溝道的控制作用靠近漏極d處的電位升高溝道變薄當(dāng)vGS一定（vGS>VT）時(shí)，vDSID溝道電位梯度整個(gè)溝道呈楔形分布*10當(dāng)vGS一定（vGS>VT）時(shí)，vDSID溝道電位梯度

當(dāng)vDS增加到使vGD=VT時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。2.工作原理（2）vDS對(duì)溝道的控制作用在預(yù)夾斷處：vGD=vGS-vDS=VT*11預(yù)夾斷后，vDS夾斷區(qū)延長(zhǎng)溝道電阻ID基本不變2.工作原理（2）vDS對(duì)溝道的控制作用*122.工作原理（3）vDS和vGS同時(shí)作用時(shí)

vDS一定，vGS變化時(shí)

給定一個(gè)vGS，就有一條不同的iD–

vDS曲線。*133.

V-I特性曲線及大信號(hào)特性方程（1）輸出特性及大信號(hào)特性方程①截止區(qū)當(dāng)vGS＜VT時(shí)，導(dǎo)電溝道尚未形成，iD＝0，為截止工作狀態(tài)。*143.

V-I特性曲線及大信號(hào)特性方程（1）輸出特性及大信號(hào)特性方程②可變電阻區(qū)

vDS≤（vGS－VT）由于vDS較小，可近似為rdso是一個(gè)受vGS控制的可變電阻*153.

V-I特性曲線及大信號(hào)特性方程（1）輸出特性及大信號(hào)特性方程②可變電阻區(qū)

n：反型層中電子遷移率Cox：柵極（與襯底間）氧化層單位面積電容本征電導(dǎo)因子其中Kn為電導(dǎo)常數(shù)，單位：mA/V2*163.

V-I特性曲線及大信號(hào)特性方程（1）輸出特性及大信號(hào)特性方程③飽和區(qū)（恒流區(qū)又稱放大區(qū)）vGS>VT

，且vDS≥（vGS－VT）是vGS＝2VT時(shí)的iDV-I特性：*173.

V-I特性曲線及大信號(hào)特性方程（2）轉(zhuǎn)移特性*185.1.2N溝道耗盡型MOSFET1.結(jié)構(gòu)和工作原理（N溝道）二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子可以在正或負(fù)的柵源電壓下工作，而且基本上無(wú)柵流*195.1.2N溝道耗盡型MOSFET1.結(jié)構(gòu)和工作原理（N溝道）

由于耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管預(yù)埋了導(dǎo)電溝道，所以在VGS=0時(shí)，若漏–源之間加上一定的電壓VDS，也會(huì)有漏極電流ID產(chǎn)生。這時(shí)的漏極電流用

IDSS表示，稱為飽和漏極電流。

當(dāng)VGS>0時(shí)，使導(dǎo)電溝道變寬，ID增大；當(dāng)VGS<0時(shí)，使導(dǎo)電溝道變窄，ID減??；VGS負(fù)值愈高，溝道愈窄，ID就愈小。

當(dāng)VGS達(dá)到一定負(fù)值時(shí)，N型導(dǎo)電溝道消失，ID=0，稱為場(chǎng)效應(yīng)管處于夾斷狀態(tài)（即截止）。這時(shí)的VGS稱為夾斷電壓，用VP表示。*205.1.2N溝道耗盡型MOSFET2.V-I特性曲線及大信號(hào)特性方程

（N溝道增強(qiáng)型）（N溝道耗盡型）*215.1.3P溝道MOSFET*225.1.4溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)實(shí)際上飽和區(qū)的曲線并不是平坦的L的單位為m當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí)，＝0，曲線是平坦的。

修正后*235.1.5MOSFET的主要參數(shù)一、直流參數(shù)NMOS增強(qiáng)型1.開(kāi)啟電壓VT

（增強(qiáng)型參數(shù)）2.夾斷電壓VP

（耗盡型參數(shù)）3.飽和漏電流IDSS

（耗盡型參數(shù)）4.直流輸入電阻RGS

（109Ω～1015Ω

）二、交流參數(shù)1.輸出電阻rds

當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí)，＝0，rds→∞

*245.1.5MOSFET的主要參數(shù)2.低頻互導(dǎo)gm

二、交流參數(shù)考慮到則其中*255.1.5MOSFET的主要參數(shù)三、極限參數(shù)1.最大漏極電流IDM

2.最大耗散功率PDM

3.最大漏源電壓V（BR）DS

4.最大柵源電壓V（BR）GS

*265.1MOSFET的小結(jié)1、耗盡型：場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí)，就有導(dǎo)電溝道存在增強(qiáng)型：場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí)，沒(méi)有導(dǎo)電溝道N溝道符號(hào)：P溝道符號(hào)：*272.工作原理（1）vGS對(duì)溝道的控制作用5.1MOSFET的小結(jié)當(dāng)0<vGS<VT時(shí),

產(chǎn)生電場(chǎng)，但未形成導(dǎo)電溝道（感生溝道），d、s間加電壓后，沒(méi)有電流產(chǎn)生。在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，開(kāi)始導(dǎo)通d、s間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。vGS越大，導(dǎo)電溝道越厚當(dāng)vGS>VT時(shí)P型硅襯底N溝道N+N+DGS----耗盡層EG+-VGS*28剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓vGS，用VT表示

。vGS越大，反型層越寬，導(dǎo)電溝道電阻越小。N溝道增強(qiáng)型MOS管的基本特性：

vGS

＜VT，管子截止，

vGS

＞VT，管子導(dǎo)通。

vGS

越大，溝道越寬，在漏源電壓vDS＝0時(shí)，漏極電流ID始終為0。開(kāi)啟電壓5.1MOSFET的小結(jié)*29（2）vDS對(duì)溝道的控制作用5.1MOSFET的小結(jié)

假設(shè)vGS＞VT且為一固定值時(shí)，并在漏－源之間加上正電壓vDS:vDS↑→id↑；同時(shí)溝道靠漏區(qū)變窄(b)外加vDS較小時(shí)vDS<vGS-VT，即vGD=vGS-vDS>VT(a)vDS=0時(shí)，iD=0（c）當(dāng)vDS增加到使vGD=VT時(shí)，溝道靠漏區(qū)夾斷，稱為預(yù)夾斷。*30（d）vDS再增加，預(yù)夾斷區(qū)加長(zhǎng)，vDS增加的部分基本降落在隨之加長(zhǎng)的夾斷溝道上，id基本不變。（2）vDS對(duì)溝道的控制作用5.1MOSFET的小結(jié)（3）vDS和vGS同時(shí)作用時(shí)*31總結(jié)N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理：*32①截止區(qū)當(dāng)vGS＜VT時(shí)，導(dǎo)電溝道尚未形成，iD＝0，為截止工作狀態(tài)。3.輸出特性5.1MOSFET的小結(jié)②可變電阻區(qū)

vDS≤（vGS－VT）③飽和區(qū)（恒流區(qū)又稱放大區(qū)）vGS>VT

，且vDS≥（vGS－VT）是vGS＝2VT時(shí)的iD*334.N溝道耗盡型MOSFET

在柵極下方的SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當(dāng)vGS=0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道。5.1MOSFET的小結(jié)當(dāng)vGS=0時(shí)，就有溝道，加入vDS，就有iD。當(dāng)vGS＞0時(shí)，溝道增寬，iD進(jìn)一步增加。當(dāng)vGS＜0時(shí)，溝道變窄，iD減小。夾斷電壓（VP）——溝道剛剛消失所需的柵源電壓vGS。特點(diǎn)：*34（N溝道增強(qiáng)型）4.N溝道耗盡型MOSFET5.1MOSFET的小結(jié)N溝道耗盡型*355.2MOSFET放大電路5.2.1MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算2.圖解分析3.小信號(hào)模型分析*365.2.1MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路（N溝道）直流通路共源極放大電路*375.2.1MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（1）簡(jiǎn)單的共源極放大電路（N溝道）假設(shè)工作在飽和區(qū)，即驗(yàn)證是否滿足如果不滿足，則說(shuō)明假設(shè)錯(cuò)誤須滿足VGS>VT

，否則工作在截止區(qū)再假設(shè)工作在可變電阻區(qū)即*38假設(shè)工作在飽和區(qū)滿足假設(shè)成立，結(jié)果即為所求。解：例：設(shè)Rg1=60k，Rg2=40k，Rd=15k，試計(jì)算電路的靜態(tài)漏極電流IDQ和漏源電壓VDSQ。VDD=5V，VT=1V，*395.2.1MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（2）帶源極電阻的NMOS共源極放大電路飽和區(qū)需要驗(yàn)證是否滿足*405.2.1MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算靜態(tài)時(shí)，vI＝0，VG＝0，ID＝I電流源偏置VS＝VG－VGS=-VGS

設(shè)工作在飽和區(qū)需要驗(yàn)證是否滿足（3）電流源提供偏置的NMOS放大電路*415.2.1MOSFET放大電路2.圖解分析

曲線與負(fù)載線的交點(diǎn)就是靜態(tài)工作點(diǎn)Q。*42由于負(fù)載開(kāi)路，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線相同5.2.1MOSFET放大電路2.圖解分析*435.2.1MOSFET放大電路3.小信號(hào)模型分析（1）模型靜態(tài)值（直流）動(dòng)態(tài)值（交流）非線性失真項(xiàng)當(dāng)，vgs<<2(VGSQ-VT)時(shí)，*445.2.1MOSFET放大電路3.小信號(hào)模型分析（1）模型0時(shí)高頻小信號(hào)模型=0時(shí),rds→∞

NMOS增強(qiáng)型*453.小信號(hào)模型分析解：例5.2.2的直流分析已求得：（2）放大電路分析（例5.2.5）s*463.小信號(hào)模型分析（2）放大電路分析（例5.2.5）s*473.小信號(hào)模型分析（2）放大電路分析（例5.2.6）共漏*483.小信號(hào)模型分析（2）放大電路分析*495.3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管5.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)5.3.3JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法*505.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理1.結(jié)構(gòu)#

符號(hào)中的箭頭方向表示什么？(1)N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管*51(2)P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)：箭頭：P→N柵極【Gate】漏極【Drain】源極【Source】PN+N+5.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理1.結(jié)構(gòu)*522.工作原理（以N溝道JFET為例）++N柵極漏極源極P+P+------------------------++++++++++++++++++++++耗盡層*532.工作原理（以N溝道JFET為例）P+區(qū)N區(qū)---------+++++++++P+區(qū)內(nèi)側(cè)與P+區(qū)和N溝道交界側(cè)PN結(jié)形成比較：兩側(cè)正負(fù)離子數(shù)目應(yīng)相等可見(jiàn)P+區(qū)內(nèi)側(cè)耗盡層非常窄，故分析時(shí)各教材往往都不畫(huà)出這部分PN結(jié)。*542.工作原理（以N溝道JFET為例）當(dāng)N溝道JFET工作時(shí)，需：vGSvDS+-dgs

在柵極和源極間加一個(gè)負(fù)電壓(vGS<0),使柵極與N溝道間的PN結(jié)反偏，則場(chǎng)效應(yīng)管呈現(xiàn)出很高的輸入電阻，Ri可達(dá)107Ω以上*552.工作原理（以N溝道JFET為例）vGSvDS+-dgs當(dāng)N溝道JFET工作時(shí)，需：+-

在漏極和源極間加一個(gè)正電壓(vDS>0),使N溝道中電子在電場(chǎng)作用下由源極向漏極運(yùn)動(dòng)，形成電流iD。iD的大小受vGS控制iD*562.工作原理（以N溝道JFET為例）(1)柵源電壓vGS對(duì)電流iD的控制作用分析工作原理：實(shí)際上就是分析vGS對(duì)iD的控制作用和vDS對(duì)iD的影響。這里要討論的關(guān)系是：*572.工作原理（以N溝道JFET為例）

在柵源間加負(fù)電壓vGS，為便于討論，先令vDS=0①當(dāng)vGS=0時(shí)，為平衡PN結(jié)，導(dǎo)電溝道最寬。*58①當(dāng)vGS=0時(shí)，為平衡PN結(jié)，導(dǎo)電溝道最寬。②當(dāng)│vGS│↑時(shí)，PN結(jié)反偏，耗盡層變寬，導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大。2.工作原理（以N溝道JFET為例）

在柵源間加負(fù)電壓vGS，為便于討論，先令vDS=0*592.工作原理（以N溝道JFET為例）對(duì)于N溝道JFET，VP<0在柵源間加負(fù)電壓vGS，為便于討論，先令vDS=0①當(dāng)vGS=0時(shí)，為平衡PN結(jié)，導(dǎo)電溝道最寬。②當(dāng)│vGS│↑時(shí)，PN結(jié)反偏，耗盡層變寬，導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大。③當(dāng)│vGS│↑到一定值時(shí)，溝道會(huì)完全合攏。夾斷電壓VP——使導(dǎo)電溝道完全合攏（消失）所需要的柵源電壓vGS。

注意*602.工作原理（以N溝道JFET為例）可以歸納，vDS＝0時(shí)vGS對(duì)導(dǎo)電溝道的控制作用：(a)vGS=0(b)vGS<0(c)vGS=VP此時(shí)，vGS變化雖然導(dǎo)電溝道隨之變化，但漏極電流iD總是等于0。

若vDS為一固定正值，則

iD

將受vGS的控制，

│vGS│↑時(shí)，溝道電阻↑，iD↓。vDS*612.工作原理（以N溝道JFET為例）(2)vDS對(duì)電流iD的控制作用這里要討論的關(guān)系是：

*622.工作原理（以N溝道JFET為例）

在漏源間加電壓vDS

，為便于討論，先令vGS=0，由于vGS=0，所以導(dǎo)電溝道最寬。

①當(dāng)vDS=0時(shí)，iD=0。*632.工作原理（以N溝道JFET為例）

在漏源間加電壓vDS

，為便于討論，先令vGS=0，由于vGS=0，所以導(dǎo)電溝道最寬。

①當(dāng)vDS=0時(shí)，iD=0。②vDS↑→iD↑→靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，呈楔形分布*642.工作原理（以N溝道JFET為例）

①當(dāng)vDS=0時(shí)，iD=0。②vDS↑→iD↑→靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，呈楔形分布。③當(dāng)vDS↑，使vGD=vGS-vDS=-vDS=VP時(shí)，在靠漏極A點(diǎn)處夾斷——預(yù)夾斷。A此時(shí)iD達(dá)到了飽和漏電流IDSS表示柵源極間短路當(dāng)vGS為一固定常數(shù)時(shí)，VP=vGD=vGS-vDS在漏源間加電壓vDS

，為便于討論，先令vGS=0，由于vGS=0，所以導(dǎo)電溝道最寬。*652.工作原理（以N溝道JFET為例）

在漏源間加電壓vDS

，為便于討論，先令vGS=0，由于vGS=0，所以導(dǎo)電溝道最寬。

①當(dāng)vDS=0時(shí)，iD=0。②vDS↑→iD↑→靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，呈楔形分布。③當(dāng)vDS↑，使vGD=vGS-vDS=-vDS=VP時(shí)，在靠漏極A點(diǎn)處夾斷

——預(yù)夾斷。④vDS再↑，預(yù)夾斷點(diǎn)下移預(yù)夾斷前，

vDS↑→iD↑預(yù)夾斷后，

vDS↑→iD幾乎不變Why？*662.工作原理（以N溝道JFET為例）(a)vGS=0,vDS=0時(shí)iD=0(b)vGS=0,vDS<│VP│時(shí)iD迅速增大(c)vGS=0,vDS=│VP│時(shí)iD趨于飽和iD飽和(d)vGS=0,vDS>│VP│時(shí)圖示：改變vDS時(shí)JFET導(dǎo)電溝道的變化*672.工作原理（以N溝道JFET為例）(3)

vGS和vDS同時(shí)作用時(shí)當(dāng)VP<vGS<0

時(shí)，導(dǎo)電溝道更容易夾斷，對(duì)于同樣的vDS，

ID的值比vGS=0時(shí)的值要小。在預(yù)夾斷處vGD=vGS-vDS=VP

*682.工作原理（以N溝道JFET為例）總結(jié)工作情況：①ID受輸入電壓vGS的控制，其iG≈0，輸入電阻很大；②其導(dǎo)電特性是由多子決定的，故其熱噪聲很小，受環(huán)境溫度影響很小；③ID受漏源電壓vDS的影響vDS很小時(shí)(即預(yù)夾斷前)，ID與vDS成正比，呈純阻性預(yù)夾斷時(shí)，當(dāng)vDS到一定程度，ID=IDSS(最大飽和電流)vDS繼續(xù)增加，ID不變vDS再增加，當(dāng)vDS＝V(BR)DS時(shí)擊穿，

ID↑↑*69綜上分析可知：（a）

JFET溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，所以場(chǎng)效應(yīng)管也稱為單極型三極管；

（b）

JFET

柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，因此輸入電阻很高；

（c）

JFET是電壓控制電流器件，iD受vGS控制；

（d）預(yù)夾斷前iD與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后，iD趨于飽和。2.工作原理（以N溝道JFET為例）#

為什么JFET的輸入電阻比BJT高得多？*705.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)1.輸出特性u(píng)GS=0VuGS=-1V*715.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)恒流區(qū)的特點(diǎn)：△iD

/△vGS=gm≈常數(shù)

即：△iD=gm△vGS

（放大原理）①可變電阻區(qū)（預(yù)夾斷前）

②恒流區(qū)或飽和區(qū)（預(yù)夾斷后），也稱線性放大區(qū)③夾斷區(qū)（截止區(qū)）可變電阻區(qū)恒流區(qū)截止區(qū)分三個(gè)區(qū)：*722.轉(zhuǎn)移特性5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)可根據(jù)輸出特性曲線作出轉(zhuǎn)移特性曲線。例：作uDS=10V的一條轉(zhuǎn)移特性曲線AABBCCDD*73通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以得到iD的經(jīng)驗(yàn)公式：5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)只要給出IDSS和VP就可以把轉(zhuǎn)移特性中的其他點(diǎn)近似計(jì)算出來(lái)。*74與MOSFET類似3.主要參數(shù)5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)*75各種場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及特性N溝道JFET(耗盡型)P溝道JFET(耗盡型)符號(hào)轉(zhuǎn)移特性輸出特性N溝道MOSFET(增強(qiáng)型)*76各種場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及特性N溝道MOSFET(耗盡型)P溝道MOSFET(增強(qiáng)型)符號(hào)轉(zhuǎn)移特性輸出特性P溝道MOSFET(耗盡型)*775.3.2JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法vivo1.JFET的直流偏置電路及靜態(tài)分析(1)自偏壓電路ID

由來(lái)：源極電阻在vGS=0時(shí)，耗盡型JFET也會(huì)有漏源電流流過(guò)電阻R，而柵極是經(jīng)電阻Rg接地，所以在靜態(tài)時(shí)VGS=-IDR自身可提供一個(gè)電壓，稱 為自偏壓。源極旁路電容*785.3.2JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法

該電路只適用于耗盡型FET，對(duì)于增強(qiáng)型FET不能適用！注意啦vivoID

計(jì)算Q點(diǎn)：即求出VGS

、ID、VDS已知VP，由VGS=-IDR可解出Q點(diǎn)的VGS、IDVDS=VDD-ID(Rd+R)再求：聯(lián)立求解*795.3.2JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法(2)分壓式自偏壓電路由來(lái)：漏極電源VDD經(jīng)分壓電阻Rg1和Rg2分壓后，通過(guò)Rg3供給柵極電壓Vg，則vivoVg2MΩ47MΩ10MΩ2kΩ30kΩ4.7μF0.01μFiDVSAIg3思考：為何Vg與Rg3無(wú)關(guān)？∵Ig3≈0，可認(rèn)為在Rg3上沒(méi)有壓降，故Vg≈VA*805.3.2JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法可解出Q點(diǎn)的VGS、ID

已知VP，將有VDS=VDD-ID(Rd+R)再求：計(jì)算Q點(diǎn)：即求出VGS、ID、VDSvivoVg2MΩ47MΩ10MΩ2kΩ30kΩ4.7μF0.01μFiDVSAIg3聯(lián)立

該電路產(chǎn)生的柵源電壓可正可負(fù)可為0，所以適用于所有的場(chǎng)效應(yīng)管電路！注意啦*815.3.2JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法2.JFET小信號(hào)模型＋-vGSiD＋-vDSJFET低頻小信號(hào)等效模型簡(jiǎn)化后的實(shí)用模型*825.3.2JFET放大電路的小信號(hào)模型分析法2.JFET小信號(hào)模型（1）低頻模型*83（2）高頻模型*842.動(dòng)態(tài)指標(biāo)分析（1）中頻小信號(hào)模型*852.動(dòng)態(tài)指標(biāo)分析（