標(biāo)準(zhǔn)解讀
《YS/T 871-2013 高純鋁化學(xué)分析方法 痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法》是一項(xiàng)針對(duì)高純鋁中痕量雜質(zhì)元素進(jìn)行檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了利用輝光放電質(zhì)譜(GDMS)技術(shù)來(lái)分析高純度鋁材料中的微量雜質(zhì)成分的方法流程,適用于99.99%及以上純度級(jí)別的鋁樣品。
標(biāo)準(zhǔn)首先明確了適用范圍,指出其主要用于評(píng)價(jià)和控制生產(chǎn)過(guò)程中或成品階段高純鋁的質(zhì)量,尤其是對(duì)于那些對(duì)材料純凈度有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景而言尤為重要。接著,在術(shù)語(yǔ)與定義部分,給出了本文件所使用的關(guān)鍵詞匯的確切含義,確保所有讀者都能準(zhǔn)確理解后續(xù)內(nèi)容。
在原理方面,《YS/T 871-2013》解釋了如何通過(guò)輝光放電將固體樣品表面原子化,并利用質(zhì)譜儀實(shí)現(xiàn)不同元素離子的分離及定量測(cè)量。這種方法能夠有效識(shí)別并測(cè)定出包括鐵、銅、鎂等在內(nèi)的多種潛在污染物。
實(shí)驗(yàn)步驟被細(xì)分為樣品準(zhǔn)備、儀器設(shè)置、測(cè)試條件選擇等多個(gè)環(huán)節(jié),每一步都給出了具體的操作指南以及可能影響結(jié)果準(zhǔn)確性的因素說(shuō)明。例如,在樣品制備時(shí)需注意避免外界污染;而關(guān)于設(shè)備參數(shù)的選擇,則強(qiáng)調(diào)根據(jù)實(shí)際樣品特性和所需檢測(cè)精度靈活調(diào)整。
此外,該標(biāo)準(zhǔn)還特別強(qiáng)調(diào)了質(zhì)量控制的重要性,提出了定期校準(zhǔn)儀器、參與實(shí)驗(yàn)室間比對(duì)試驗(yàn)等多項(xiàng)措施以保證數(shù)據(jù)可靠性。同時(shí),也提供了處理異常情況的方法建議,比如當(dāng)發(fā)現(xiàn)背景信號(hào)過(guò)強(qiáng)或者目標(biāo)峰形不理想時(shí)應(yīng)采取的應(yīng)對(duì)策略。
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....
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- 2013-04-25 頒布
- 2013-09-01 實(shí)施
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YS/T 871-2013高純鋁化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS7712040
H13..
中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
YS/T871—2013
高純鋁化學(xué)分析方法
痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定
輝光放電質(zhì)譜法
Chemicalanalysisofhighpurityaluminium—
Determinationoftraceimpurities—
Glowdischargemassspectrometry
2013-04-25發(fā)布2013-09-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布
YS/T871—2013
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC243)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京有色金屬研究總院新疆眾和股份有限公司金川新材料科技股份有限公司
:、、、
山東兗礦輕合金有限公司
。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李愛(ài)嫦劉紅李繼東孫澤明劉英洪濤肖麗梅周維宋玉萍戴珍珍
:、、、、、、、、、、
秦芳林邱平
、。
Ⅰ
YS/T871—2013
高純鋁化學(xué)分析方法
痕量雜質(zhì)元素的測(cè)定
輝光放電質(zhì)譜法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜法測(cè)定高純鋁中痕量元素的測(cè)試方法
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于高純鋁中痕量元素含量的測(cè)定各元素測(cè)定范圍為-7-3
。5.0×10%~1.0×10%
ω
(%)。
2方法提要
將一個(gè)作為陰極的試樣安裝到等離子體放電室利用惰性氣體氬氣在高壓條件下電離產(chǎn)生的離
,()
子撞擊樣品表面使之發(fā)生濺射從試樣表面濺射出來(lái)的原子被離子化通過(guò)雙聚焦扇形磁場(chǎng)質(zhì)量分析儀
,,
聚焦為離子束進(jìn)而被質(zhì)譜分析器收集檢測(cè)在每一元素質(zhì)量數(shù)處以預(yù)設(shè)的掃描點(diǎn)數(shù)和積分時(shí)間對(duì)相
,。
應(yīng)譜峰積分所得面積即為譜峰強(qiáng)度依據(jù)式由儀器軟件計(jì)算出雜質(zhì)元素的含量
,。(1)。
3試劑與材料
31乙醇ρ優(yōu)級(jí)純
.(=0.789g/mL),。
32鹽酸ρ優(yōu)級(jí)純
.(=1.19g/mL),。
33鹽酸
.(1+1)。
34氮?dú)猞?/p>
.[(N2)]≥99.99%。
35氬氣ω
.[(Ar)]≥99.99%。
36去離子水電阻率要求達(dá)到
.:18.2MΩ·cm。
37高純鋁標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)條件允許的情況下利用高純鋁標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)生成待測(cè)元素的相對(duì)靈敏度因子RSFx
.:,。
4儀器
41高分辨率輝光放電質(zhì)譜儀質(zhì)量分辨率可達(dá)到
.(GDMS):9000。
42機(jī)械加工設(shè)備能夠使樣品和參比樣品制成所需的幾何形狀并得到光滑的表面
.,。
5試樣
51試樣具有均勻性和代表性
.。
52試樣不應(yīng)采取母材的表面將試樣制備成為塊狀要求至少有一個(gè)用于輝光放電的光滑平面試樣
.,,;
大小要求能放入輝光放電樣品夾空腔內(nèi)并且其光滑平面能覆蓋住樣品夾上的放電孔試樣的厚度要求
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