本章討論的是自激式振蕩器，它是在無需外加激勵信號的情況下，能將直流電能轉換成具有一定波形、一定頻率和一定幅度的交變能量電路。振蕩器的分類：按波形分：正弦波振蕩器和非正弦波振蕩器按工作方式：負阻型振蕩器和反饋型振蕩器

按選頻網絡所采用的元件分：

LC振蕩器、RC振蕩器和晶體振蕩器等類型5.1概述第1頁/共78頁第一頁，共79頁。本章主要討論反饋型正弦波振蕩器的基本工作原理振蕩器的起振條件振蕩器的平衡條件振蕩器的平衡穩(wěn)定條件正弦波振蕩器三端電路的判斷準則正弦波振蕩器的電路特點、頻率穩(wěn)定度等性能指標第2頁/共78頁第二頁，共79頁。

實際中的反饋振蕩器是由反饋放大器演變而來，如右圖。自激振蕩建立的物理過程

若開關K撥向“1”時，該電路則為調諧放大器，當輸入信號為正弦波時，放大器輸出負載互感耦合變壓器L2上的電壓為vf

，調整互感M及同名端以及回路參數(shù)，可以使vi=vf

。

此時，若將開關K快速撥向“2”點，則集電極電路和基極電路都維持開關K接到“1”點時的狀態(tài)，即始終維持著與vi相同頻率的正弦信號。這時，調諧放大器就變?yōu)樽约ふ袷幤鳌?.2反饋型振蕩器基本工作原理L2第3頁/共78頁第三頁，共79頁。

在電源開關閉合的瞬間，電流的跳變在集電極LC振蕩電路中激起振蕩。選頻網絡帶寬極窄，在回路兩端產生正弦波電壓vo，并通過互感耦合變壓器反饋到基級回路，這就是激勵信號。

起始振蕩信號十分微弱，但是由于不斷地對它進行放大—選頻—反饋—再放大等多次循環(huán)，于是一個與振蕩回路固有頻率相同的自激振蕩便由小到大地增長起來。

由于晶體管特性的非線性，振幅會自動穩(wěn)定到一定的幅度。因此振蕩的幅度不會無限增大。第4頁/共78頁第四頁，共79頁。反饋型自激振蕩器的電路構成必須由三部分組成：包含兩個(或兩個以上)儲能元件的振蕩回路。2)可以補充由振蕩回路電阻產生損耗的能量來源。3)使能量在正確的時間內補充到電路中的控制設備。第5頁/共78頁第五頁，共79頁。振蕩器的起振條件:基本反饋環(huán)若在某種情況下1-=0時，此時即使沒有輸入信號(vi=0)時，放大器仍有輸出電壓放大器變?yōu)檎袷幤鳌?/p>

要維持一定振幅的振蕩，反饋系數(shù)F應設計得大一些。一般取這樣就可以使得在＞1時的情況下起振。甲類無反饋放大器:反饋放大器:第6頁/共78頁第六頁，共79頁。由上分析知，反饋型正弦波振蕩器的起振條件是：>1

其物理意義是：振幅起振條件要求反饋電壓幅度vf要一次比一次大，而相位起振條件則要求環(huán)路保持正反饋。振幅起振條件相位起振條件第7頁/共78頁第七頁，共79頁。起振過程中偏置電壓建立的過程

第8頁/共78頁第八頁，共79頁。

放大器增益A與輸出電壓幅度Vo之間的關系叫振蕩特性，F(xiàn)與Vo之間的關系叫反饋特性。起振的幅度條件可用右上圖表示。

在實際設計中，如果設計不當，振蕩特性可能不是單調下降的，而如右下圖所示。其靜態(tài)工作點太低，ICQ太小，因而A0太小，以至不滿足。這種振蕩器電路一般不能自行起振，而必須給以一個較大幅度的初始激勵，使動態(tài)點越過不穩(wěn)定平衡點B才能起振，這叫硬激勵起振，設計電路要力加避免。起振條件與平衡條件圖解(軟激勵起振)硬激勵起振特性第9頁/共78頁第九頁，共79頁。振蕩器的平衡條件:

所謂平衡條件是指振蕩已經建立，為了維持自激振蕩必須滿足的幅度與相位關系。振蕩器的平衡條件為=1

在平衡條件下，反饋到放大管的輸入信號正好等于放大管維持及所需要的輸入電壓，從而保持反饋環(huán)路各點電壓的平衡，使振蕩器得以維持。A為平均放大量第10頁/共78頁第十頁，共79頁。振蕩器的回路輸出電壓

將各因子寫成指數(shù)形式，有式中稱為晶體管平均正向傳輸導納=1

用電路參數(shù)表示振蕩器的平衡條件：振幅平衡條件相位平衡條件第11頁/共78頁第十一頁，共79頁。上面所討論的振蕩平衡條件只能說明振蕩能在某一狀態(tài)平衡，但還不能說明這平衡狀態(tài)是否穩(wěn)定。平衡狀態(tài)只是建立振蕩的必要條件，但還不是充分條件。已建立的振蕩能否維持，還必需看平衡狀態(tài)是否穩(wěn)定。所謂平衡狀態(tài)的穩(wěn)定條件即指在外因作用下，平衡條件被破壞后，振蕩器能自動恢復原來平衡狀態(tài)的能力。兩個簡單例子來說明穩(wěn)定平衡與不穩(wěn)定平衡的概念振蕩器平衡狀態(tài)的穩(wěn)定條件:第12頁/共78頁第十二頁，共79頁。假定由于某種因素使振幅增大超過了VomQ，可見這時A＜即出現(xiàn)AF＜1的情況，于是振幅就自動衰減而回到VomQ。反之，當某種因素使振幅小于VomQ，這時A＞，即出現(xiàn)AF＞1的情況。于是振幅就自動增強，從而又回到VomQ。因此Q點是穩(wěn)定平衡點。，1)振幅平衡的穩(wěn)定條件第13頁/共78頁第十三頁，共79頁。

由于在Vom＜VomB的區(qū)間，振蕩始終是衰減的，因此，這種振蕩器不能自行起振，除非在起振時外加一個大于VomB的沖擊信號，使其沖過B點，才有可能激起穩(wěn)定于Q點的平衡狀態(tài)。這樣的現(xiàn)象，稱為硬自激。一般情況下都是使振蕩電路工作于軟自激狀態(tài)，通常應當避免硬自激。這時A=1/F(Vom)的變化曲線不是單調下降的，而是先隨Vom的增大而上升，達到最大值后，又隨Vom的增大而下降。因此，它與1/F線可能出現(xiàn)兩個交點B與Q。這兩點都是平衡點。如果晶體管的靜態(tài)工作點取得太低，甚至為反向偏置，而且反饋系數(shù)F又較小時，可能會出現(xiàn)另一種振蕩形式。B點的平衡狀態(tài)是不穩(wěn)定的。第14頁/共78頁第十四頁，共79頁。

形成穩(wěn)定平衡點的關鍵在于在平衡點附近，放大倍數(shù)隨振幅的變化特性具有負的斜率，即<02)相位平衡的穩(wěn)定條件

相位穩(wěn)定條件指相位平衡條件遭到破壞時，線路本身能重新建立起相位平衡點的條件；若能建立則仍能保持其穩(wěn)定的振蕩。振幅平衡的穩(wěn)定條件

工作于非線性狀態(tài)的有源器件(晶體管、電子管等)正好具有這一性能，因而它們具有穩(wěn)定振幅的功能。第15頁/共78頁第十五頁，共79頁。

必須強調指出：相位穩(wěn)定條件和頻率穩(wěn)定條件實質上是一回事。因為振蕩的角頻率就是相位的變化率，所以當振蕩器的相位變化時，頻率也必然發(fā)生變化。

如果由于某種原因，相位平衡遭到破壞，產生了一個很小的相位增量+，這就意味著反饋電壓超前于原有輸入電壓一個相角,相位超前就意味著周期縮短,頻率不斷地提高。反之，如果為負，即滯后于原輸入電壓,同理將導致頻率的不斷降低。

從以上分析可知，外因引起的相位變化與頻率的關系是：相位超前導致頻率升高，相位滯后導致頻率降低，頻率隨相位的變化關系可表示為

＞0

第16頁/共78頁第十六頁，共79頁。相位穩(wěn)定條件應為<0或

為了保持振蕩器相位平衡點穩(wěn)定，振蕩器本身應該具有恢復相位平衡的能力。換句話說，就是在振蕩頻率發(fā)生變化的同時，振蕩電路中能夠產生一個新的相位變化，以抵消由外因引起的變化，因而這二者的符號應該相反，亦即相位穩(wěn)定條件應為寫成偏微分形式，即＜0＜0由于y和F對于頻率變化的敏感性一般遠小于Z對頻率變化的敏感性，即

因此，<0第17頁/共78頁第十七頁，共79頁。振蕩器的相位穩(wěn)定的條件說明只有諧振回路的相頻特性曲線Z=f()在工作頻率附近具有負的斜率，才能滿足頻率穩(wěn)定條件。并聯(lián)諧振回路的相頻特性正好具有負的斜率，如圖所示。因而LC并聯(lián)諧振回路不但是決定振蕩頻率的主要角色，而且是穩(wěn)定振蕩頻率的機構。并聯(lián)諧振回路的相頻特性第18頁/共78頁第十八頁，共79頁。Z=–(Y+F)=–YF

如YF增大到YF，即產生了一個增量YF，從而破壞了原來工作于o2頻率的平衡條件。這種不平衡促使頻率o2升高。由于頻率升高使諧振回路產生負的相角增量–Z。當–Z=YF時，相位重新滿足=0的條件，振蕩器在o2的頻率上再一次達到平衡。但是新的穩(wěn)定平衡點o2=o2+o2。畢竟還是偏離原來穩(wěn)定平衡點一個o2。縱坐標也表示與Z等值異號的YF相角第19頁/共78頁第十九頁，共79頁。振蕩器的起振條件:>1振幅起振條件相位起振條件振蕩器的平衡條件:=1振幅平衡條件相位平衡條件用電路參數(shù)表示振蕩器的平衡條件：管子是自動穩(wěn)幅機構第20頁/共78頁第二十頁，共79頁。振蕩器平衡狀態(tài)的穩(wěn)定條件:<0振幅平衡的穩(wěn)定條件:相位穩(wěn)定條件:＜0并聯(lián)諧振回路具有相位穩(wěn)定功能第21頁/共78頁第二十一頁，共79頁。

LC振蕩器按其反饋網絡的不同，可分為互感耦合振蕩器、電感反饋式振蕩器和電容反饋式振蕩器三種類型。

本部分內容重點介紹不同型式的反饋型LC振蕩器，以三點式振蕩器作為重點。

互感耦合振蕩器是依靠線圈之間的互感耦合實現(xiàn)正反饋的，耦合線圈同名端的正確位置的放置，選擇合適的耦合量M，使之滿足振幅起振條件很重要。

互感耦合振蕩器有三種形式：調基電路、調集電路和調發(fā)電路，這是根據振蕩回路是在集電極電路、基極電路和發(fā)射極電路來區(qū)分的。5.3.1互感耦合振蕩器5.3反饋型LC振蕩器線路第22頁/共78頁第二十二頁，共79頁。

由于基極和發(fā)射極之間的輸入阻抗比較低，為了避免過多地影響回路的Q值，故在調基和調發(fā)這兩個電路中，晶體管與振蕩回路作部分耦合。調基電路振蕩頻率在較寬的范圍改變時，振幅比較平衡。(a)

調基電路調基電路第23頁/共78頁第二十三頁，共79頁。調集電路在高頻輸出方面比其它兩種電路穩(wěn)定，而且幅度較大，諧波成分較小。（b）調集電路LL1第24頁/共78頁第二十四頁，共79頁。

由于基極和發(fā)射極之間的輸入阻抗比較低，為了避免過多地影響回路的Q值，故在調基和調發(fā)這兩個電路中，晶體管與振蕩回路作部分耦合。（c）調發(fā)電路第25頁/共78頁第二十五頁，共79頁。

互感耦合振蕩器在調整反饋(改變M)時，基本上不影響振蕩頻率。但由于分布電容的存在，在頻率較高時，難于做出穩(wěn)定性高的變壓器。因此，它們的工作頻率不宜過高，一般應用于中、短波波段。根據h參數(shù)等效電路分析可知互感耦合振蕩器的振蕩頻率起振條件：

hf＞其中為L中的損耗電阻，h=h0hi–hfhr顯然，M與hf越大，越容易起振。第26頁/共78頁第二十六頁，共79頁。三端式LC振蕩電路是經常被采用的，其工作頻率約在幾MHz到幾百MHz的范圍，頻率穩(wěn)定度也比變壓器耦合振蕩電路高一些，約為10–3~10–4量級，采取一些穩(wěn)頻措施后，還可以再提高一點。三端式LC振蕩器有多種形式，主要有：電感三端式，又稱哈特萊振蕩器(Hartley)；電容三端式，又稱考畢茲振蕩器(Coplitts)；串聯(lián)型改進電容三端式，又稱克拉潑振蕩器(Clapp)；并聯(lián)型改進電容三端式，又稱西勒振蕩器(Selier)。LC三端式振蕩器組成法則(相位平衡條件的判斷準則)5.3.2三端式LC振蕩器第27頁/共78頁第二十七頁，共79頁。

(a)共發(fā)電感反饋三端式振蕩器電路(b)等效電路由h參數(shù)等效電路可以推導，電感反饋三端電路的起振條件

hfe＞＞電感反饋三端電路的振蕩頻率為電感反饋三端式振蕩器(哈特萊電路)

L=L1+L2+2M第28頁/共78頁第二十八頁，共79頁。F值過小，A0F＞1不易滿足；F值過大，L2+M由圖可知，F(xiàn)，L2+M接入系數(shù)Pbe=管子輸入阻抗Zi折合到cb的阻抗cb回路的Q值減小Rp，F(xiàn)不能取得太小，也不能取得太大，否則振蕩條件均難以滿足。即要求的hfe加大，難于起振，同時影響了振蕩波形產生失真。第29頁/共78頁第二十九頁，共79頁。哈特萊電路的優(yōu)點：

1、L1、L2之間有互感，反饋較強，容易起振；電路的缺點：1、振蕩波形不好，因為反饋電壓是在電感上獲得，而電感對高次諧波呈高阻抗，因此對高次諧波的反饋較強，使波形失真大；2、電感反饋三端電路的振蕩頻率不能做得太高，這是因為頻率太高，L太小且分布參數(shù)的影響太大。2、振蕩頻率調節(jié)方便，只要調整電容C的大小即可。3、而且C的改變基本上不影響電路的反饋系數(shù)。第30頁/共78頁第三十頁，共79頁。電容反饋三端振蕩器(考畢茲電路)電容三端式振蕩電路（a）（b）可推導電容反饋三端電路的起振條件

hfe＞＞電容反饋三端電路的振蕩頻率

第31頁/共78頁第三十一頁，共79頁?？籍吰濍娐返膬?yōu)點：1）電容反饋三端電路的優(yōu)點是振蕩波形好。2）電路的頻率穩(wěn)定度較高，適當加大回路的電容量，就可以減小不穩(wěn)定因素對振蕩頻率的影響。3）電容三端電路的工作頻率可以做得較高，可直接利用振蕩管的輸出、輸入電容作為回路的振蕩電容。它的工作頻率可做到幾十MHz到幾百MHz的甚高頻波段范圍。電路的缺點：調C1或C2來改變振蕩頻率時，反饋系數(shù)也將改變。但只要在L兩端并上一個可變電容器，并令C1與C2為固定電容，則在調整頻率時，基本上不會影響反饋系數(shù)。第32頁/共78頁第三十二頁，共79頁。串聯(lián)型改進電容三端式振蕩器(克拉潑電路)（a）克拉潑電路的實用電路（b）高頻等效電路因為C3遠遠小于C1和C2，所以三電容串聯(lián)后的等效電容振蕩角頻率故克拉潑電路的振蕩頻率幾乎與C1、C2無關。第33頁/共78頁第三十三頁，共79頁。和電容三端式電路中Cce與諧振回路的接入系數(shù)Pce=C2/(C1+C2)比較，由于C3<<C1，C3<<C2，所以Pce<<Pce，同理Pbe<<Pbe。

由于Cce的接入系數(shù)大大減小，所以它等效到回路兩端的電容值也大大減小，對振蕩頻率的影響也大大減小。同理，Cbe對振蕩頻率的影響也極小。因此，克拉潑電路的頻率穩(wěn)定度比電容三端式電路要好

克拉潑電路的接入系數(shù):Pce≈C3/C1

Pbe≈C3/C2第34頁/共78頁第三十四頁，共79頁。(1)由于Cce、Cbe的接入系數(shù)減小，晶體管與諧振回路是松耦合。(2)調整C1C2的值可以改變反饋系數(shù),但對諧振頻率的影響很小。而由于管子的放大倍數(shù)與頻率成反比，故隨著放大頻率的升高振蕩的幅度明顯下降，上限頻率受到限制。故:(3)調整C3值可以改變系統(tǒng)的諧振頻率,對反饋系數(shù)無影響。(1)克拉潑電路的波段覆蓋的范圍窄。(2)工作波段內輸出波形隨著頻率的變化大?？死瓭婋娐返奶攸c:因為克拉潑電路要求的起振條件為第35頁/共78頁第三十五頁，共79頁。并聯(lián)型改進電容三端式振蕩器(西勒(Seiler)電路)(a)實際電路(b)高頻等效電路其回路等效電容振蕩頻率第36頁/共78頁第三十六頁，共79頁。(1)波段覆蓋率寬。(2)工作波段內,輸出波形不隨頻率變化。因為西勒電路要求的起振條件為：而晶體管的放大系數(shù)正好滿足特性。西勒(Seiler)電路特點：C3的選擇要合理，C3過小時，振蕩管與回路間的耦合過弱，振幅平衡條件不易滿足，電路難于起振;C3過大時，頻率穩(wěn)定度會下降。在保證起振條件得到滿足的前提下，盡可能的減小電容C3值。第37頁/共78頁第三十七頁，共79頁。LC三端式振蕩器組成法則(相位平衡條件的判斷準則)三端式振蕩器的原理電路三端式LC振蕩器是一種反饋式LC振蕩器。當回路元件的電阻很小，可以忽略其影響，同時也忽略三極管的輸入阻抗與輸出阻抗的影響，則電路要振蕩必須滿足條件：xbe+xce+xcb=0(回路諧振)

對于振蕩管而言，其集電極電壓vo與基極輸入電壓是反相的，二者相差180，為了滿足振蕩系統(tǒng)的相位平衡條件，反饋系數(shù)F也須產生180相位差，為此，xeb與xce必須性質相同，即為同名電抗，則xcb必然為異名電抗。因為AF=1,F=1/A>0,所以F=xbe/xce>0,xeb與xce性質相同第38頁/共78頁第三十八頁，共79頁。簡言之就是“ce，be同抗件，cb反抗件”

以此準則可迅速判斷振蕩電路組成是否合理，能否起振。也可用于分析復雜電路與寄生振蕩現(xiàn)象。

xeb、xce電抗性質相同，xcb與xeb、xec電抗性質相反。許多變形的三端式LC振蕩電路，xce和xbe、xcb往往不都是單一的電抗元件，而是可以由不同符號的電抗元件組成。但是，多個不同符號的電抗元件構成的復雜電路，在頻率一定時，可以等效為一個電感或電容。根據等效電抗是否具備上述三端式LC振蕩器電路相位平衡判斷準則的條件，便可判明該電路是否起振。由此得出三端電路組成法則為：第39頁/共78頁第三十九頁，共79頁。例5-1振蕩電路如圖(a)所示，試畫出交流等效電路，并判斷電路在什么條件下起振，屬于什么形式的振蕩電路？

2)根據交流等效電路可知，因為xeb為容性電抗，為了滿足三端電路相位平衡判斷準則，xce也必須呈容性。同理，xcb應該呈感性。(b)(a)解1)根據畫交流等效電路原則，將所有偏置視為開路，將耦合電容、交流旁路電容視為短路，則該電路的交流等效電路如圖(b)所示。第40頁/共78頁第四十頁，共79頁。根據并聯(lián)諧振回路的相頻特性，當振蕩頻率f0＞f1(回路L1C1的固有頻率)時，L1C1呈容性。根據xbe+xce+xbc=0，L3C3回路應呈感性，振蕩電路才能正常工作。由圖可知，f0＜f3時可以振蕩，等效為電容三端振蕩電路。其條件可寫為＜即L1C1＞L3C3并聯(lián)諧振回路的相頻特性第41頁/共78頁第四十一頁，共79頁。例5-2有一振蕩器的交流等效電路如圖所示。已知回路參數(shù)L1C1＞L2C2＞L3C3，試問該電路能否起振，等效為哪種類型的振蕩電路？其振蕩頻率與各回路的固有諧振頻率之間有何關系？解：該電路要振蕩必須滿足相位平衡判斷準則。先假定xce、xbe均為電感，則xcb應為電容。根據已知條件L1C1＞L2C2＞L3C3，則有f1＜f2＜f3，若要xce、xbe為電感，則應該f0＜f1，f0＜f2，同時f0＞f3，由已知條件看出f0不可能同時大于f3小于f2，故不成立。若xce、xbe同為電容，則f0＞f2＞f1，同時應該f0＜f3，有已知條件知振蕩頻率可滿足該條件，即f1＜f2＜f0＜f3，所以，該電路應為電容三端振蕩器。第42頁/共78頁第四十二頁，共79頁。頻率穩(wěn)定，就是在各種外界條件發(fā)生變化的情況下，要求振蕩器的實際工作頻率與標稱頻率間的偏差及偏差的變化最小。絕對準確度相對準確度5.4振蕩器的頻率穩(wěn)定問題振蕩器的實際工作頻率f與標稱頻率f0之間的偏差，稱為振蕩頻率的準確度。它通常分為絕對頻率準確度與相對頻率準確度兩種，其表達式為頻率準確度:5.4.1頻率穩(wěn)定度的定義第43頁/共78頁第四十三頁，共79頁。指在一定時間間隔內，由于各種因素變化，引起的振蕩頻率相對于標稱頻率變化的程度，如t時間內測得頻率的最大變化為fmax，則頻率穩(wěn)定度定義為:

長期頻率穩(wěn)定度：一般指一天以上乃至幾個月的相對頻率變化的最大值。

短期頻率穩(wěn)定度：一般指一天以內頻率的相對變化最大值。瞬間頻率穩(wěn)定度：指秒或毫秒內隨機頻率變化，即頻率的瞬間無規(guī)則變化，通常稱為振蕩器的相對抖動或相位噪聲。振蕩器的頻率穩(wěn)定度

指在一定時間間隔內,頻率準確度變化的最大值.第44頁/共78頁第四十四頁，共79頁。短期頻率穩(wěn)定度主要與溫度變化、電源電壓變化和電路參數(shù)不穩(wěn)定性等因素有關。長期頻率穩(wěn)定度主要取決于有源器件和電路元件及石英晶體和老化特性，與頻率的瞬間變化無關。瞬間頻率穩(wěn)定度主要是由于頻率源內部噪聲而引起的頻率起伏，它與外界條件和長期頻率穩(wěn)定度無關。振蕩器的頻率穩(wěn)定度第45頁/共78頁第四十五頁，共79頁。1.振蕩回路參數(shù)對頻率的影響因為振蕩頻率其相對頻率變化量為2.回路品質因素Q值對頻率的影響如右圖，Q值越高，則相同的相角變化引起頻率偏移越小。5.4.2影響頻率穩(wěn)定度的因素第46頁/共78頁第四十六頁，共79頁。3.有源器件的參數(shù)對頻率的影響振蕩管為有源器件，若它的工作狀態(tài)(電源電壓或周圍溫度等)有所改變，則由式如果晶體管參數(shù)h與hi將發(fā)生變化，即引起振蕩頻率的改變。另外，當外界因素(如電源電壓、溫度、濕度等)變化時，這些參數(shù)隨之而來的變化就會造成振蕩器頻率的變化。第47頁/共78頁第四十七頁，共79頁。1.減小外因變化，根除“病因”減小溫度的變化，可將振蕩器放在恒溫槽內；另使振蕩器遠離熱源，如采用正、負溫度系數(shù)不同的L、C，抵消L、C。減小電源的變化，采用二次穩(wěn)壓電源供電；或者振蕩器采取單獨供電。3)減小濕度和大氣壓力的影響，通常將振蕩器密封起來。4)減小磁場感應對頻率的影響，對振蕩器進行屏蔽。5.4.3振蕩器穩(wěn)定頻率的方法第48頁/共78頁第四十八頁，共79頁。5)消除機械振動的影響通?？杉酉鹌|圈作減振器。減小負載的影響:在振蕩器和下級電路之間加緩沖器，提高回路Q值；本級采用低阻抗輸出;本級輸出與下一級采取松耦合；采取克拉潑或西勒電路，減弱晶體管與振蕩回路之間耦合，使折算到回路內的有源器件參數(shù)減小，提高回路標準性，提高頻率穩(wěn)定度。第49頁/共78頁第四十九頁，共79頁。

2.提高回路的標準性

所謂回路的標準性即指振蕩回路在外界因素變化時保持其固有諧振頻率不變的能力。要提高回路標準性即要減小L和C，因此可采取優(yōu)質材料的電感和電容。

3.減小相角YF及其變化量YF

為使振蕩器的頻率穩(wěn)定度高，則要求YF的數(shù)值小，且變化量小?？墒拐袷幤鞯墓ぷ黝l率比振蕩管的特性頻率低很多，即f<<fT,減小相角Y,選用電容三端式振蕩電路減小相角YF，使振蕩波形良好。第50頁/共78頁第五十頁，共79頁。5.5.1石英晶體及其特性石英晶體具有正反壓電效應。當晶體幾何尺寸和結構一定時，它本身有一個固有的機械振動頻率。當外加交流電壓的頻率等于晶體的固有頻率時，晶體片的機械振動最大，晶體表面電荷量最多，外電路中的交流電流最強，于是產生了諧振。1.石英晶體諧振器5.5石英晶體振蕩器第51頁/共78頁第五十一頁，共79頁。石英晶振的固有頻率十分穩(wěn)定，它的溫度系數(shù)（溫度變化1℃所引起的固有頻率相對變化量）在10–6以下。石英晶振的振動具有多諧性,有基頻振動和奇次諧波泛音振動。前者稱為基頻晶體，后者稱為泛音晶體。晶體厚度與振動頻率成反比，工作頻率越高，要求晶片越薄。機械強度越差，加工越困難，使用中也易損壞。第52頁/共78頁第五十二頁，共79頁。2.石英晶體的阻抗頻率特性符號基頻等效電路完整等效電路石英晶體諧振器如上圖：安裝電容C0

約1~10pF動態(tài)電感Lq

約103~102H動態(tài)電容Cq

約10–4~10–1pF動態(tài)電阻rq

約幾十~幾百第53頁/共78頁第五十三頁，共79頁。由以上參數(shù)可以看到石英晶振的Q值和特性阻抗都非常高。Q值可達幾萬到幾百萬。（2）由于石英晶振的接入系數(shù)P=Cq/(C0+Cq)很小，所以外接元器件參數(shù)對石英晶振的影響很小。因為而Lq較大，Cq與rq很?。?）由圖(b)可以看到，石英晶振可以等效為一個串聯(lián)諧振回路和一個并聯(lián)諧振回路。若忽略q，則晶振兩端呈現(xiàn)純電抗。串聯(lián)諧振頻率：并聯(lián)諧振頻率：第54頁/共78頁第五十四頁，共79頁。在fq~fp感性區(qū)間，石英晶振具有陡峭的電抗頻率特性，曲線斜率大，利于穩(wěn)頻。若外部因素使諧振頻率增大，則根據晶振電抗特性，必然使等效電感L增大，但由于振蕩頻率與L的平方根成反比，所以又促使諧振頻率下降，趨近于原來的值。

石英晶振產品還有一個標稱頻率fN。fN的值位于fq與fp之間，這是指石英晶振兩端并接某一規(guī)定負載電容CL時石英晶振的振蕩頻率。CL的電抗頻率曲線如圖中虛線所示。負載電容CL的值在生產廠家的產品說明書中有注明.第55頁/共78頁第五十五頁，共79頁。1.皮爾斯(Pierce)振蕩電路皮爾斯(Pierce)振蕩電路振蕩回路與晶體管、負載之間的耦合很弱。5.5.2晶體振蕩器電路晶體管c、b端的接入系數(shù)是

因為，Cq+C0+CL>>Cq，所以，Pcb很小，約為10–4。電路中的不穩(wěn)定參數(shù)對振蕩回路影響很小，提高了回路的標準性。，CCb=Co+CL第56頁/共78頁第五十六頁，共79頁。(2)振蕩頻率幾乎由石英晶振的參數(shù)決定，而石英晶振本身的參數(shù)具有高度的穩(wěn)定性。

其中CL是和晶振兩端并聯(lián)的外電路各電容的等效值，即根據產品要求的負載電容。

振蕩頻率：第57頁/共78頁第五十七頁，共79頁。(4)由于晶振的Q值和特性阻抗都很高，所以晶振的諧振電阻也很高，一般可達1010以上。這樣即使外電路接入系數(shù)很小，此諧振電阻等效到晶體管輸出端的阻抗仍很大，使晶體管的電壓增益能滿足振幅起振條件的要求。

(3)由于振蕩頻率f0一般調諧在標稱頻率fN上，位于晶振的感性區(qū)間，電抗曲線陡峭，穩(wěn)頻性能極好。第58頁/共78頁第五十八頁，共79頁。2.密勒(Miller)振蕩電路

密勒振蕩電路右圖是場效應管密勒振蕩電路。石英晶體作為電感元件連接在柵極和源極之間。LC并聯(lián)回路在振蕩頻率點等效為電感，作為另一電感元件連接在漏極和源極之間，極間電容Cgd作為構成電感三點式電路中的電容元件。由于Cgd又稱為密勒電容，故此電路有密勒振蕩電路之稱。密勒振蕩電路通常不采用晶體管，原因是正向偏置時晶體管發(fā)射結電阻太小，雖然晶振與發(fā)射結的耦合很弱，但也會在一定程度上降低回路的標準性和頻率的穩(wěn)定性，所以采用輸入阻抗高的場效應管。第59頁/共78頁第五十九頁，共79頁。

3.泛音晶體振蕩電路并聯(lián)型泛音晶體振蕩電路，假設泛音晶振為五次泛音，標稱頻率為5MHz，基頻為1MHz，則LC1回路必須調諧在三次和五次泛音頻率之間。在5MHz頻率上，LC1回路呈容性，振蕩電路滿足組成法則，而對于基頻和三次泛音頻率來說，LC1回路呈感性，電路不符合組成法則，不能起振。而在七次及其以上泛音頻率，LC1回路雖呈現(xiàn)容性，但等效容抗減小，從而使電路的電壓放大倍數(shù)減小，環(huán)路增益小于1，不滿足振幅起振條件。LC1回路的電抗特性如(b)圖所示。

(b)LC1回路的電抗特性

(a)并聯(lián)型泛音晶體振蕩電路第60頁/共78頁第六十頁，共79頁。

4.串聯(lián)型晶體振蕩器串聯(lián)型晶體振蕩電路串聯(lián)型晶體振蕩器是將石英晶振用于正反饋支路中，利用其串聯(lián)諧振時等效為短路元件，電路反饋作用最強，滿足振幅起振條件，使振蕩器在晶振串聯(lián)諧振頻率fq上起振。這種振蕩器與三點式振蕩器基本類似，只不過在正反饋支路上增加了一個晶振。第61頁/共78頁第六十一頁，共79頁。

解先畫出V1管高頻交流等效電路，如圖(b)所示，0.01F電容較大，作為高頻旁路電路，V2管是射隨器。由高頻交流等效電路可以看到，V1管的c、e極之間有一個LC回路，其諧振頻率為所以在晶振工作頻率5MHz處，此LC回路等效為一個電容。可見，這是一個皮爾斯振蕩電路，晶振等效為電感，容量為3-10pF的可變電容起微調作用，使振蕩器工作在晶振的標稱頻率5MHz上。

例5-3圖(a)是一個數(shù)字頻率計晶振電路，試分析其工作情況。(b)(a)第62頁/共78頁第六十二頁，共79頁。

1)畫出振蕩器的高頻等效電路，并指出電路的振蕩形式；

2)若把晶體換為1MHz，該電路能否起振，為什么？

3)求振蕩器的振蕩頻率；

4)指出該電路采用的穩(wěn)頻措施。例5-4已知石英晶體振蕩電路如圖所示，試求：第63頁/共78頁第六十三頁，共79頁。3）因為石英晶體的標稱頻率為7MHz所以該振蕩器的工作頻率即為7MHz。4）該電路采用的穩(wěn)頻措施有：采用晶體振蕩的克拉波電路；(b)振蕩與射級跟隨器是松耦合；(c)用射級跟隨器進行隔離；(d)電源進行穩(wěn)壓，以保晶體管參數(shù)的穩(wěn)定性

第64頁/共78頁第六十四頁，共79頁。要想電路起振，ce間必須呈現(xiàn)容性，4.7H和330pF并聯(lián)回路的諧振頻率為，4MHz=f0>1MHz，回路對于1MHz呈現(xiàn)感性，不滿足三點法則，所以把晶體換為1MHz，該電路不能起振。第65頁/共78頁第六十五頁，共79頁。6.6.1壓控振蕩器(VCO)6.6.2集成電路振蕩器5.6其它形式的振蕩器第66頁/共78頁第六十六頁，共79頁。

壓控振蕩器是以某一電壓來控制振蕩頻率或相位大小的一種振蕩器，常以符號VCO(VoltageControlledOscillator)代之。在電子設備中，壓控振蕩器的應用極為廣泛，如彩色電視接收機高頻頭中的本機振蕩電路、各種自動頻率控制(AFC)系統(tǒng)中的振蕩電路、鎖相環(huán)路(PLL)中所用的振蕩電路等均為壓控振蕩器。振蕩器輸出的波形有正弦型的，也有方波型的。5.6.1壓控振蕩器(VCO)1.變容二極管壓控振蕩器的基本工作原理在振蕩器的振蕩回路上并接或串接某一受電壓控制的電抗元件后，即可對振蕩頻率實行控制。受控電抗元件常用變容二極管取代。第67頁/共78頁第六十七頁，共79頁。變容二極管的電容量Cj取決于外加控制電壓的大小，控制電壓的變化會使變容管的Cj變化，Cj的變化會導致振蕩頻率的改變。對于圖中，若C1、C2值較大，C4又是隔直電容，容量很大，則振蕩回路中與L相并聯(lián)的總電容為第68頁/共78頁第六十八頁，共79頁。利用半導體PN結的結電容受控于外加反向電壓的特性而制成的一種晶體二極管，它屬于電壓控制的可變電抗器件，其壓控特性的典型曲線如圖所示。圖中，反向偏壓從3V增大到30V時，結電容Cj從18pF減小到3pF，電容變化比約為6倍。通常將fmax和fmin的比值稱為頻率覆蓋系數(shù)，以符號Kf表示，上述振蕩回路的頻率覆蓋系數(shù)為

(VR為最小)(VR為最大)對于不同的Cj，所對應的振蕩頻率為變容二極管的特性第69頁/共78頁第六十九頁，共79頁。

某彩色電視接收機VHF調諧器中第6-12頻段的本振電路如圖所示電路中，控制電壓VC為0.5-30V，改變這個電壓，就使變容管的結電容發(fā)生變化，從而獲得頻率的變化。由圖(b)可見，這是一典型的西勒振蕩電路，振蕩管呈共集電極組態(tài)，振蕩頻率約為170-220MHz，這種通過改變直流電壓來實現(xiàn)頻率調節(jié)的方法，通常稱為電調諧，與機械調諧相比它有很大的優(yōu)越性。

2.VCO的實際電路電視接收機VHF本振電路(b)第70頁/共78頁第七十頁，共79頁。5.6.2集成電路振蕩器1.差分對管振蕩電路

在集成電路振蕩器里，廣泛采用如圖(a)所示的差分對管振蕩電路，其中V2管集電極外接的LC回路調諧在振蕩頻率上。(b)圖為其交流等效電路。(b)圖中Rce為恒流源I0的交流等效電阻。這是共集–共基反饋電路。由于共集電路與共基電路均為同相放大電路，且電壓增益可調至大于1，根據瞬時極法判斷，在V1管基極斷開，有vb1

vbe(ve2)vc2vb1，所以是正反饋。在振蕩頻率點，并聯(lián)LC回路阻抗最大，正反饋電壓vf(vo)最強，且滿足相位穩(wěn)定條