第六章半導體存儲器6.1概述6.2只讀存儲器（ROM）6.3隨機存取器（RAM）6.4存儲器的應用6.1概述(1)一、存儲器的構造特點：1、數目龐大與管腳有限2、分組技術3、地址譯碼技術4、共享通道技術從存、取功能上分

只讀存儲器(ROM)

隨機存儲器(RAM)

SRAMDRAM

二、存儲器的分類從制造工藝上分

雙極型MOS型UVEPROME2PROM快閃存儲器

（FLASH）掩模ROMPROMEPROM6.1概述(2)三、存儲器的主要技術指標：1、存儲容量：所存放信息的多少，用Bit表示2、存儲時間：用讀（寫）周期表示6.1概述(2)6.2只讀存儲器（ROM）(1)一、掩模只讀存儲器1、ROM的電路結構

ROM的電路結構包含存儲矩陣、地址譯碼器和輸出緩沖器三個組成部分2、ROM電路的工作原理6.2只讀存儲器（ROM）(2)二、可編程只讀存儲器(PROM)

6.2只讀存儲器（ROM）(3)6.2只讀存儲器（ROM）(4)三、可擦除的可編ROM(EPROM)1、UVEPROM6.2只讀存儲器（ROM）(5)2、E2PROM6.2只讀存儲器（ROM）(6)3、快閃存儲器快閃存儲器既吸收了EPROM結構簡單、編程可靠的優(yōu)點，又保留了E2PROM用隧道效應檫除的快捷特性，而且集成度可以做得很高。6.2只讀存儲器（ROM）(7)6.3隨機存取器(1)一、靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)1、SRAM的結構和工作原理

SRAM電路通常由存儲矩陣、地址譯碼器和讀／寫控制電路三部分組成。6.3隨機存取器(2)（六管NMOS靜態(tài)存儲單元）2、SRAM的靜態(tài)存儲單元6.3隨機存取器(3)二、動態(tài)隨機存儲器(DRAM)1、DRAM的動態(tài)存儲單元的特點1）利用MOS管柵極電容存儲電荷2）柵極電容的容量很小(通常僅為幾皮法)，漏電流又不可能絕對等于零，所以電荷保存的時間有限3）為了及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信號丟失，必須定時地給柵極電容補充電荷---刷新或再生。三管MOS動態(tài)存儲單元6.3隨機存取器(4)6.4存儲器的應用(1)一、思路：1、存儲器的譯碼器輸出包含了輸入地址變量全部的最小項2、存儲器數據輸出又都是若干個最小項之和3、而任何的組合邏輯函數可用輸入邏輯變量的最小項之和表示二、推論

n位輸入地址、m位數據輸出的存儲器可以設計一組(最多為m個)任何形式的n輸入邏輯變量組合邏輯函數三、方法：只要根據函數的形式向存儲器寫入相應的數據即可。6.4存儲器的應用(2)四、步驟：1、根據輸入變量數和輸出端個數確定存儲器的類型；2、將函數化為最小項之和的形式（列出函數的真值表）；3、列出函數的數據表；4、畫出相應的電路的結點圖（編程寫入數據）

6.4存儲器的應用(3)1、作函數運算表電路（Y=X2）2、實現組合邏輯函數3、用ROM設計一個8段字符顯示的譯碼器4、數字波形發(fā)生數據存儲器舉例6.4存儲器的應用(4)6.4存儲器的應用(5)