《計算光刻與版圖優(yōu)化》最新版讀書筆記，下載可以直接修改思維導(dǎo)圖PPT模板光刻工藝參考文獻版圖設(shè)計集成電路制造流程模型技術(shù)刻蝕圖形第章效應(yīng)分辨率制造性專業(yè)成像器件本書關(guān)鍵字分析思維導(dǎo)圖01內(nèi)容簡介第2章集成電路物理設(shè)計第4章分辨率增強技術(shù)第1章概述第3章光刻模型第5章刻蝕效應(yīng)修正目錄030502040607第6章可制造性設(shè)計附錄A專業(yè)詞語檢索第7章設(shè)計與工藝協(xié)同優(yōu)化目錄0908內(nèi)容摘要光刻是集成電路制造的核心技術(shù)，光刻工藝成本已經(jīng)超出集成電路制造總成本的三分之一。在集成電路制造的諸多工藝單元中，只有光刻工藝可以在硅片上產(chǎn)生圖形，從而完成器件和電路三維結(jié)構(gòu)的制造。計算光刻被公認為是一種可以進一步提高光刻成像質(zhì)量和工藝窗口的有效手段。基于光刻成像模型，計算光刻不僅可以對光源的照明方式做優(yōu)化，對掩模上圖形的形狀和尺寸做修正，還可以從工藝難度的角度對設(shè)計版圖提出修改意見，最終保證光刻工藝有足夠的分辨率和工藝窗口。本書共7章，首先對集成電路設(shè)計與制造的流程做簡要介紹，接著介紹集成電路物理設(shè)計（版圖設(shè)計）的全流程，然后介紹光刻模型、分辨率增強技術(shù)、刻蝕效應(yīng)修正、可制造性設(shè)計，最后介紹設(shè)計與工藝協(xié)同優(yōu)化。本書內(nèi)容緊扣先進技術(shù)節(jié)點集成電路制造的實際情況，涵蓋計算光刻與版圖優(yōu)化的發(fā)展狀態(tài)和未來趨勢，系統(tǒng)介紹了計算光刻與刻蝕的理論，論述了版圖設(shè)計與制造工藝的關(guān)系，以及版圖設(shè)計對制造良率的影響，講述和討論了版圖設(shè)計與制造工藝協(xié)同優(yōu)化的概念和方法論，并結(jié)合具體實施案例介紹了業(yè)界的具體做法。本書不僅適合集成電路設(shè)計與制造領(lǐng)域的從業(yè)者閱讀，而且適合高等院校微電子相關(guān)專業(yè)的本科生、研究生閱讀和參考。內(nèi)容簡介第1章概述1.1集成電路的設(shè)計流程和設(shè)計工具1.2集成電路制造流程1.3可制造性檢查與設(shè)計制造協(xié)同優(yōu)化本章參考文獻第1章概述第2章集成電路物理設(shè)計2.1設(shè)計導(dǎo)入2.2布圖與電源規(guī)劃2.3布局2.4時鐘樹綜合第2章集成電路物理設(shè)計2.5布線本章參考文獻2.6簽核第2章集成電路物理設(shè)計第3章光刻模型3.1基本的光學(xué)成像理論3.2光刻光學(xué)成像理論3.3光刻膠模型3.4光刻光學(xué)成像的評價指標本章參考文獻12345第3章光刻模型第4章分辨率增強技術(shù)4.1傳統(tǒng)分辨率增強技術(shù)4.2多重圖形技術(shù)4.3光學(xué)鄰近效應(yīng)修正技術(shù)4.4光源-掩模聯(lián)合優(yōu)化技術(shù)本章參考文獻12345第4章分辨率增強技術(shù)第5章刻蝕效應(yīng)修正5.1刻蝕效應(yīng)修正流程5.2基于規(guī)則的刻蝕效應(yīng)修正5.3基于模型的刻蝕效應(yīng)修正5.4EPC修正策略第5章刻蝕效應(yīng)修正5.5非傳統(tǒng)的刻蝕效應(yīng)修正流程本章參考文獻5.6基于機器學(xué)習(xí)的刻蝕效應(yīng)修正第5章刻蝕效應(yīng)修正第6章可制造性設(shè)計6.1DFM的內(nèi)涵和外延6.2增強版圖的健壯性6.3與光刻工藝關(guān)聯(lián)的DFM6.4與CMP工藝關(guān)聯(lián)的DFM第6章可制造性設(shè)計6.5DFM的發(fā)展及其與設(shè)計流程的結(jié)合6.6提高器件可靠性的設(shè)計（DFR）6.7基于設(shè)計的測量與DFM結(jié)果的驗證本章參考文獻第6章可制造性設(shè)計第7章設(shè)計與工藝協(xié)同優(yōu)化7.1工藝流程建立過程中的DTCO7.2設(shè)計