/第四章一、選擇題存取周期是指——A存儲器的寫入時間B存儲器進(jìn)行連續(xù)寫操作允許的最短間隔時間C存儲器進(jìn)行連續(xù)讀或?qū)懖僮魉试S的最短間隔時間2。和輔存相比，主存的特點是.A容量小，速度快，成本高Ｂ。容量小,速度快，成本低c.容量大，速度快,成本高3．一個1６Ｋ×3２位的存儲器，其地址線和數(shù)據(jù)線的總和是Ａ*4８B．46C．364．一個512KB的存儲器，其地址線和數(shù)據(jù)線的總和是A．1７B．１9C。2７5.某計算機(jī)字長是16位，它的存儲容量是64ＫB，按字編址，它的尋址范圍是A．64KB.32KＢC．3２K６．某計算機(jī)字長是16位，它的存儲容量是1MB,按字編址，它的尋址范圍是A．5１２ＫB．1MC。512ＫB７．某計算機(jī)字長是32位，它的存儲容量是64KB．按字編址，它的尋址范圍是A．16KBB。1６KC．32K8．某計算機(jī)字長是32位，它的存儲容量是２56KB,按字編址，它的尋址范圍是Ａ．12８KB．64KC.64KB９．某一ＲAＭ芯片，其容量為5１2×8位,除電源和接地端外,該芯片引出線的最少數(shù)目是A．9B．17C。10．某一ＲAM芯片，其容量為32Ｋｘ8位，除電源和接地端外,該芯片引出線的最少數(shù)是A．２5B．40C.2311.某一RAM芯片,其容量為1２８Kx16位,除電源和接地端外,該芯片引出線的最少數(shù)目A．33B．35C.2512．若主存每個存儲單元為１6位，則其地址線為A。16根B。其地址線數(shù)與１６無關(guān)C。其地址線數(shù)與16有關(guān)1３．某存儲器容量為32Kｘ1６位,則A地址線為１6根，數(shù)據(jù)線為3２根Ｂ。地址線為32根,數(shù)據(jù)線為1６根C。地址線為1５根，數(shù)據(jù)線為16根1４．下列敘述中是正確的。A．主存可由ＲAＭ和ROＭ組成B．主存只能由ROM組成C．主存只能由ＲAＭ組成1５＊EPROM是指。A只讀存儲器B．可編程的只讀存儲器C.可擦洗可編程的只讀存儲器1６.可編程的只讀存儲A.不一定是可改寫的Ｂ．一定是可改寫的C.一定是不可改寫的１７．下述說法中——是正確的.Ｂ．半導(dǎo)體RＡM是易失性BＡM,而靜態(tài)RAＭ中的存儲信息是不易失的C。半導(dǎo)體RAM是易失性RAＭ,而靜態(tài)RAM只有在電源不掉電時，所存信息是不易失的１8．下述說法中是正確的。A.EPROM是可改寫的，因而也是隨機(jī)存儲器的一種B.EPROM是可改寫的，但它不能作為隨機(jī)存儲器C.EPROＭ只能改寫一次，故不能作為隨機(jī)存儲器1９.和動態(tài)MOS存儲器相比,雙極型半導(dǎo)體存儲器的性能是Ａ集成度高，存取周期快，位平均功耗少B.集成度高,存取周期快,位平均功耗大Ｃ．集成度低，存取周期快,位平均功耗大20.在磁盤和磁帶兩種磁表面存儲器中，存取時間與存儲單元的物理位置有關(guān)，按存儲方式A二者都是串行存取B．磁盤是部分串行存取，磁帶是串行存取22.在磁表面存儲器的記錄方式中，A．不歸零制和歸零制的記錄密度是一樣的不歸零制B.歸零制的記錄方式中不需要同步信號，故記錄密度比歸零制高C。不歸零制記錄方式由于磁頭線圈中始終有電流，因此抗干擾性能好23．磁盤存儲器的等待時間通常是指。A。磁盤旋轉(zhuǎn)一周所需的時間B。磁盤旋轉(zhuǎn)半周所需的時間C.磁盤旋轉(zhuǎn)２／３周所需的時間24.活動頭磁盤存儲器的尋道時間通常是指A．最大尋道時間B．最大尋道時間和最小尋道時間的平均值2５.活動頭磁盤存儲中,信息寫入或讀出磁盤是Ａ.并行方式B．串行方式26．磁盤轉(zhuǎn)速提高一倍,則Ａ．平均查找時間縮小一半B。其存取速度也提高一倍C．不影響查找時間進(jìn)行的串并方式２7。相聯(lián)存儲器與傳統(tǒng)存儲器的主要區(qū)別是前者又叫按A．地址Ｂ。內(nèi)容C．堆棧29.一個四體并行低位交叉存儲器,每個模塊的容量是６4Kx3２位，存取周期為200ns，在上述說法中——是正確的。Ａ在20０nｓ內(nèi),存儲器能向CPU提供256位二進(jìn)制信息B。在2０0nｓ內(nèi)，存儲器能向ＣPＵ提供１2８位二進(jìn)制信息C。在５0ns內(nèi),每個模塊能向CPＵ提供３２位二進(jìn)制信息3０．采用四體并行低位交叉存儲器，設(shè)每個體的存儲容量為32Ｋx1６位，存取周期為400nｓ，在下述說法中—-是正確的。A在0。1ｎs內(nèi)，存儲器可向CPU提供2位二進(jìn)制信息B．在0.1ns內(nèi)，每個體可向ＣPU提供16位二進(jìn)制信息C.在０．４5ns內(nèi)，存儲器可向ＣPU提供2‘位二進(jìn)制信息３１．采用八體并行低位交叉存儲器，設(shè)每個體的存儲容量為32K×16位400ns,在下述說法中正確的是—-。A．在400ｎs內(nèi)，存儲器可向ＣPU提供2’B．在100nｓ內(nèi)，每個體可向ＣPU提供2’C．在4０0ｎｓ內(nèi)，存儲器可向CPU提供２‘位二進(jìn)制信息3２．主存和ＣPU之間增加高速緩沖存儲器的目的是存取周期為A.解決CＰＵ和主存之間的速度匹配問題Ｂ。擴(kuò)大主存容量C。既擴(kuò)大主存容量，又提高存取速度3３.在程序的執(zhí)行過程中,Caｅｈe與主存的地址映射是由A.操作系統(tǒng)來管理的B＊程序員調(diào)度的C。由硬件自動完成的３4。采用虛擬存儲器的目的是A．提高主存的速度Ｂ.擴(kuò)大輔存的存取空間C.擴(kuò)大存儲器的尋址空間35．常用的虛擬存儲器尋址系統(tǒng)由A.主存一輔存B．Cachｅ-—主存C.Cａｃhｅ—-輔存兩級存儲器組成。３6.在虛擬存儲器中，當(dāng)程序正在執(zhí)行時,由完成地址映射A．程序員B．編譯器C。操作系統(tǒng)１3．什么是刷新?刷新有幾種方式？簡要說明之。1４．存儲芯片內(nèi)的地址譯碼有幾種方式?試分析它們各自的特點及應(yīng)用場合。15。簡述主存的讀／寫過程.1６.為什么多體結(jié)構(gòu)存儲器可以提高訪存速度?17。提高訪存速度可采取哪些措施?簡要說明之1８.什么是快速緩沖存儲器,它與主存有什么關(guān)系？21．設(shè)寫入磁盤存儲器的數(shù)據(jù)代碼是1011０１1100,分別畫出歸零制(Ｒｚ）、不歸零制（NRｚ)、調(diào)相制(ＰＭ)。調(diào)頻制（FM）四種記錄方式的寫磁頭電流波形。2２.磁盤組有６片磁盤,每片有兩個記錄面，存儲區(qū)域內(nèi)徑２2cｍ，外徑33cｍ，道密度為40tｐm（道／毫米）內(nèi)層位密度為40ｂpm,轉(zhuǎn)速為２400叩m，問：(1）共有多少存儲面可用？（２）共有多少柱面？（3）盤組總存儲容量是多少？（4)數(shù)據(jù)傳輸率是多少?3．果磁盤存儲器轉(zhuǎn)速為３000rpm,共有４個記錄盤面，道密度為5tpm。每道記錄信息1228８Ｂ，最小磁道直徑為230mｍ，共有275道,求：(1）磁盤存儲器的存儲容量。（2）最高位密度（最小磁道的位密度)和最低位密度.（3）磁盤數(shù)據(jù)傳輸率。（４）平均等待時間。25.什么是“程序訪問的局部性"?存儲系統(tǒng)中哪一級采用了程序訪問的局部性原理？26.使用4Kx8位的RＡＭ芯片組成一個容量為8Ｋx16位的存儲器,畫出結(jié)構(gòu)框圖，并標(biāo)明圖中信號線的種類、方向及條數(shù)。２7。判斷下列敘述中哪些是正確的，哪些是錯誤的。為什么?（1）大多數(shù)個人計算機(jī)中可配置的最大主存容量受地址總線位數(shù)的限制。（２）大多數(shù)個人計算機(jī)中可配置的最大主存容量受指令中地址碼位數(shù)的限制。（3）可編程邏輯陣列也是主存的一部分。（４）可編程的只讀存儲芯片不一定是可改寫的.（5)雙極型半導(dǎo)體存儲芯片通常比金屬氧化物半導(dǎo)體存儲芯片存取速度快，但價格也責(zé)。（６)磁盤上的信息必須定時刷新，否則無法長期保存。2８.設(shè)有一個具有14位地址和8位字長的存儲器,試問該存儲器的存儲容量是多少？若存儲器用1Kxl位RAM芯片組成，需多少片？需要哪幾位地址作芯片選擇，如何選擇?２9.已知某8位機(jī)的主存采用半導(dǎo)體存儲器,其地址碼為18位，采用4Kx4位的靜態(tài)RAM芯片組成該機(jī)所允許的最大主存空間,并選用模塊板形式,問：(１)若每個模塊板為32Kx8位，共需幾個模塊板?（2)每個模塊板內(nèi)共有多少片ＲＡM芯片．（３）主存共需要多少ＲAM芯片?CＰU如何選擇各模塊板？如何選擇具體芯片（說明選用的器件及地址碼的分配）？3１．在Cacｈｅ管理中,當(dāng)新的主存塊需要調(diào)入Cachｅ時,有幾種替換算法？各有何特點?哪種算法平均命中率高？３2.已知接收到的海明碼（按配偶原則配置)為,檢查該代碼是否出錯?第幾位出錯？33．某計算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存由Cａche和主存構(gòu)成,Ｃ