JESD22標(biāo)準(zhǔn)定義及意義詳細(xì)如下順序號(hào)標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)簡(jiǎn)稱現(xiàn)行版本標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目1.A100DJul2013現(xiàn)行循環(huán)溫濕度偏置壽命2.A101THBCMar2009現(xiàn)行穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命3.A102ACDNov2010現(xiàn)行加速水汽抵抗性-無偏置高壓蒸煮（高壓鍋）4.A103HTSLDDec2010現(xiàn)行高溫貯存壽命5.A104TCDMar2009現(xiàn)行溫度循環(huán)本實(shí)驗(yàn)用來確定組件、互聯(lián)器件對(duì)交替溫度極限變化產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力的耐受性6.A105PTCCJan2004現(xiàn)行上電溫循適用于半導(dǎo)體器件，在交替的高低溫極限中周期的施加卸除偏壓，用于模擬樣件所遭受的最惡劣環(huán)境7.A106BJun2004現(xiàn)行熱沖擊8.A107CApr2013現(xiàn)行鹽霧9.A108HTOLDNov2010現(xiàn)行溫度，偏置電壓，以及工作壽命10.A109BNov2011現(xiàn)行，指向軍標(biāo)密封11.A110HASTDNov2010現(xiàn)行高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST）（有偏置電壓未飽和高壓蒸汽）12.A111ANov2010現(xiàn)行安裝在單面板底面的小型表貼固態(tài)器件耐浸焊能力的評(píng)價(jià)流程13.A112/被替代塑封表貼器件水汽誘發(fā)的應(yīng)力敏感性（被J-STD-020替代）14.A113PCFOct2008現(xiàn)行塑封表貼器件可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理15.A114FDec2008現(xiàn)行靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）人體模型（HBM）16.A115CNov2010現(xiàn)行靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）機(jī)器模型（MM）17.A117COct2011現(xiàn)行電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）編程/擦除耐久性以及數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)18.A118UHSTAMar2011現(xiàn)行加速水汽抵抗性——無偏壓HAST（無偏置電壓未飽和高壓蒸汽）高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)是為評(píng)估非氣密性固態(tài)設(shè)備器件在潮濕的環(huán)境中的可靠性。19.A119Nov2004現(xiàn)行低溫貯存壽命20.A120AJan2008現(xiàn)行用于集成電路的有機(jī)材料的水汽擴(kuò)散率以及水溶解度試驗(yàn)方法21.A121AJul2008現(xiàn)行錫及錫合金表面鍍層晶須生長(zhǎng)的測(cè)試方法22.A122Aug2007現(xiàn)行功率循環(huán)

23.B100BJun2003現(xiàn)行物理尺寸24.B101BAug2009現(xiàn)行外部目檢25.B102EOct2007現(xiàn)行可焊性26.B103BJun20022現(xiàn)行振動(dòng)，變頻27.B104CNov2004現(xiàn)行機(jī)械沖擊28.B105DJul2011現(xiàn)行引出端完整性29.B106DApr2008現(xiàn)行通孔安裝期間的耐焊接沖擊30.B107DMar2011現(xiàn)行標(biāo)識(shí)耐久性31.B108BSep2010現(xiàn)行表貼半導(dǎo)體器件的共面性試驗(yàn)32.B109AJan2009現(xiàn)行倒裝芯片拉脫試驗(yàn)33.B110BJul2013現(xiàn)行組件機(jī)械沖擊34.B111Jul2003現(xiàn)行手持電子產(chǎn)品組件的板級(jí)跌落試驗(yàn)35.B112AOct2009現(xiàn)行高溫封裝翹曲度測(cè)試方法36.B113ASep2012現(xiàn)行手持電子產(chǎn)品組件互連可靠性特性的板級(jí)循環(huán)彎曲試驗(yàn)方法37.B114AMay2011現(xiàn)行標(biāo)識(shí)可識(shí)別性38.B115AAug2010現(xiàn)行焊球拉脫試驗(yàn)39.B116AAug2009現(xiàn)行引線鍵合的剪切試驗(yàn)40.B117BMay2014現(xiàn)行焊球剪切41.B118Mar2011現(xiàn)行半導(dǎo)體晶圓以及芯片背面外目檢42.C100/已廢止高溫連續(xù)性43.C101FOct2013現(xiàn)行靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）場(chǎng)誘導(dǎo)帶電器件模型1.JESD22JESD22-BPublished:Sep2000SupersededSUPERSEDEDBYTHETESTMETHODSINDICATEDBY'JESD22-'AcompletesetoftestmethodscanbeobtainedfTomGlobalEngineeringDocumentsJESD22-B發(fā)布：2000年9月已被取代被系列測(cè)試方法“JESD22-”取代“JESD22-"是一個(gè)完整的系列試驗(yàn)方法，可在全球性的工程文件中取得。AEC-Q100是基于集成電路應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理的標(biāo)準(zhǔn)，它包含以下12個(gè)測(cè)試方法：FAEC-Q100-001邦線切應(yīng)力測(cè)試FAEC-Q100-002人體模式靜電放電測(cè)試FAEC-Q100-003機(jī)械模式靜電放電測(cè)試FAEC-Q100-004集成電路閂鎖效應(yīng)測(cè)試FAEC-Q100-005可寫可擦除的永久性記憶的耐久性、數(shù)據(jù)保持及工作壽命的測(cè)試FAEC-Q100-006熱電效應(yīng)引起的寄生閘極漏電流測(cè)試FAEC-Q100-007故障仿真和測(cè)試等級(jí)FAEC-Q100-008早期壽命失效率（ELFR）FAEC-Q100-009電分配的評(píng)估FAEC-Q100-010錫球剪切測(cè)試FAEC-Q100-011帶電器件模式的靜電放電測(cè)試FAEC-Q100-01212V系統(tǒng)靈敏功率設(shè)備的短路可靠性描述AEC-Q101是汽車級(jí)半導(dǎo)體分立器件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證，它包含以下6個(gè)測(cè)試方法:』 AEC-Q101-001人體模式靜電放電測(cè)試』 AEC-Q101-002機(jī)械模式靜電放電測(cè)試』 AEC-Q101-003邦線切應(yīng)力測(cè)試』 AEC-Q101-004雜項(xiàng)測(cè)試方法』 AEC-Q101-005帶電器件模式的靜電放電測(cè)試』 AEC-Q101-00612V系統(tǒng)靈敏功率設(shè)備的短路可靠性描述2.A100循環(huán)溫濕度偏置壽命JESD22-A100CPublished:Oct-2007CYCLEDTEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST:TheCycledTemperature-humidity-biasLifeTestisperformedforthepurposeofevaluatingthereliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesinhumidenvironments.Itemploysconditionsoftemperaturecycling,humidity,andbiasthatacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(encapsulateorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectivematerialandthemetallicconductorsthatpassthroughit.TheCycledTemperature-Humidity-BiasLifeTestistypicallyperformedoncavitypackages(e.g.,MQUADs,liddedceramicpingridarrays,etc.)asanalternativetoJESD22-A100C發(fā)布：2007年10月循環(huán)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)循環(huán)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)以評(píng)估非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境中的可靠性為目的。它使用循環(huán)溫度，濕度，以及偏置條件來加速水汽對(duì)外部保護(hù)性材料（封裝或密封）或沿著外部保護(hù)材料和貫通其的金屬導(dǎo)體的界面的穿透作用。循環(huán)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)通常用于腔體封裝（例如MQIADs,有蓋陶瓷引腳陣列封裝等），作為JESD22-A101或JESD22-A110的替代試驗(yàn)。

JESD22-A101orJESD22-A110.3.A101穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命JESD22-A101-BPublished:Apr-1997STEADY-STATETEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST:Thisstandardestablishesadefinedmethodandconditionsforperformingatemperaturehumiditylifetestwithbiasapplied.Thetestisusedtoevaluatethereliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesinhumidenvironments.Itemployshightemperatureandhumidityconditionstoacceleratethepenetrationofmoisturethroughexternalprotectivematerialoralonginterfacesbetweentheexternalprotectivecoatingandconductorsorotherfeatureswhichpassthroughit.Thisrevisionenhancestheabilitytoperformthistestonadevicewhichcannotbebiasedtoachieveverylowpowerdissipation.JESD22-A101-B發(fā)布：1997年8月穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)本標(biāo)準(zhǔn)建立了一個(gè)定義的方法，用于進(jìn)行一個(gè)施加偏置電壓的溫濕度壽命試驗(yàn)。本試驗(yàn)用于評(píng)估非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境下的可靠性。試驗(yàn)采用高溫和高濕條件以加速水汽對(duì)外部保護(hù)材料或沿著外部保護(hù)材料和外部保護(hù)涂層，貫通其的導(dǎo)體或其他部件的穿透作用。本修訂版加強(qiáng)了在無法施加偏置以達(dá)到很低功率耗散的器件上運(yùn)用本試驗(yàn)的能力。4.A102加速水汽抵抗性-無偏置高壓蒸煮JESD22-A102-CPublished:Dec-2000ReaffirmedJune2008ACCELERATEDMOISTURERESIS-TANCEUNBIASEDAUTOCLAVE:Thistestallowstheusertoevaluatethemoistureresistanceofnonhermeticpackagedsolidstatedevices.TheUnbiasedAutoclaveTestisperformedtoevaluatethemoistureresistanceintegrityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesusingmoisturecondensingormoisturesaturatedsteamenvironments.Itisahighlyacceleratedtestwhichemploysconditionsofpressure,humidityandtemperatureundercondensingconditionstoacceleratemoisturepenetrationthroughtheexternalprotectivematerial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternal-protectivematerialandthemetallicconductorspassingthroughit.Thistestisusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.JESD22-A102-C發(fā)布：2000年12月，2008年6月經(jīng)重新確認(rèn)有效加速水汽抵抗性——無偏置高壓蒸煮本試驗(yàn)允許用戶評(píng)估非氣密封裝固態(tài)器件對(duì)水汽的抵抗力。進(jìn)行無偏置高壓蒸煮試驗(yàn)的目的在于利用水汽冷凝或水汽飽和蒸汽環(huán)境評(píng)估非氣密封裝固態(tài)器件的水汽抵抗力。本方法是一個(gè)高加速試驗(yàn)，使用冷凝條件下的壓力，濕度和溫度以加速水汽對(duì)外部保護(hù)性材料（封裝或密封）或沿著外部保護(hù)材料和貫通其的金屬導(dǎo)體的界面的穿透作用。這試驗(yàn)用于識(shí)別封裝內(nèi)部的失效機(jī)理，本試驗(yàn)為破壞性。5.A103高溫貯存壽命JESD22-A103CPublished:Nov-2004HIGHTEMPERATURESTORAGELIFE:Thetestisapplicableforevaluation,screening,monitoring,and/orqualificationofallsolidstatedevices.HighTemperaturestoragetestistypicallyusedtodeterminetheeffectoftimeandtemperature,understorageconditions,forthermallyactivatedfailuremechanismsofsolidstateelectronicdevices,includingnonvolatilememorydevices(dataretentionfailuremechanisms).DuringtheJESD22-A103C發(fā)布：2004年11月高溫貯存壽命：試驗(yàn)可應(yīng)用于所有固態(tài)器件的評(píng)估，篩選，監(jiān)控，以及鑒定。典型情況下，高溫貯存試驗(yàn)用于確定在貯存條件下，時(shí)間和溫度對(duì)固態(tài)器件，包括非易失存儲(chǔ)器件（數(shù)據(jù)保留失效機(jī)理）的影響（由熱激發(fā)的失效機(jī)理）。在試驗(yàn)中，只施加提高的溫度應(yīng)

testelevatedtemperatures(acceleratedtestconditions)areusedwithoutelectricalstressapplied.Thistestmaybedestructive,dependingonTime,TemperatureandPackaging(ifany).力（加速試驗(yàn)條件），而不施加電應(yīng)力。本試驗(yàn)取決于時(shí)間，溫度和包裝（如果有），可能為破壞性。6.A104溫度循環(huán)JESD22-A104CPublished:May-2005TEMPERATURECYCLING:Thisstandardprovidesamethodfordeterminingsolidstatedevicescapabilitytowithstandextremetemperaturecycling.Changesinthisrevisionincluderequirementsthattheworst-caseloadtemperaturemustreachthespecificextremesratherthanjustrequiringthatthechamberambienttemperaturereachtheextremes.Thisensuresthatthetestspecimenswillreachthespecifiedtemperatureextremesregardlessofchamberloading.DefinitionsareprovidedforLoad,MonitoringSensor,Worst-CaseLoadTemperature,andWorkingZone.Thetransfertimehasbeentightenedfrom5minutesto1minute.Fivenewtestconditionshavebeenaddedaswellasacautionontestconditionswhichexceedtheglasstransitiontemperatureofplasticpackagesoliddevices.JESD22-A104C發(fā)布：2005年5月溫度循環(huán)：本標(biāo)準(zhǔn)提供了一種用于確定固態(tài)器件耐受極限溫度循環(huán)能力的方法。在本修訂版中，改變之處包括最壞條件下，加載溫度而不是試驗(yàn)箱環(huán)境溫度必須達(dá)到規(guī)定的極值的要求。這保證了無論試驗(yàn)箱負(fù)載情況如何，試驗(yàn)樣品均會(huì)達(dá)到規(guī)定的溫度極值。本修訂版提供了負(fù)載監(jiān)控傳感器，最壞情況負(fù)載溫度，以及工作區(qū)的定義。轉(zhuǎn)換時(shí)間由5分鐘加嚴(yán)到1分鐘。新增了五個(gè)試驗(yàn)條件，以及試驗(yàn)條件超過塑封固態(tài)器件玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)的注意事項(xiàng)。7.A105上電溫循JESD22-A105CPublished:Jan-2004POWERANDTEMPERATURECYCLING:Thepowerandtemperaturecyclingtestisperformedtodeterminetheabilityofadevicetowithstandalternateexposuresathighandlowtemperatureextremesandsimultaneouslytheoperatingbiasesareperiodicallyappliedandremoved.Itisintendedtosimulateworstcaseconditionsencounteredinapplicationenvironments.Thepowerandtemperaturecyclingtestisconsidereddestructiveandisonlyintendedfordevicequalification.Thistestmethodappliestosemiconductordevicesthataresubjectedtotemperatureexcursionsandrequiredtopoweronandoffduringalltemperatures.JESD22-A105C發(fā)布：2004年1月功率溫度循環(huán)：功率溫度循環(huán)試驗(yàn)用于確定器件耐受變化的暴露于極限高低溫，同時(shí)周期性施加和去除工作偏置。本試驗(yàn)的目的是模擬應(yīng)叱境中達(dá)到的最嚴(yán)苛條件。功率溫度循環(huán)試驗(yàn)視為破壞性，且只用于器件的鑒定。本試驗(yàn)方法應(yīng)用于需經(jīng)受超溫，需要在所有溫度條件上下電的半導(dǎo)體器件。8.A106熱沖擊JESD22-A106BPublished:Jun-2004THERMALSHOCK:Thistestisconductedtodeterminetheresistanceofaparttosuddenexposuretoextremechangesintemperatureandtotheeffectofalternateexposurestotheseextremes.JESD22-A106C發(fā)布：2004年6月熱沖擊：本試驗(yàn)用于確定部件對(duì)于突然暴露于極限溫變條件的抵抗力，以及交替暴露于這些極限條件的影響。9.A107JESD22-A107CJESD22-A107C

鹽霧Published:April-2013SALTATMOSPHERE:ThissaltAtmospheretestisconductedtodeterminetheresistanceofsolidstatedevicestocorrosion.Itisanacceleratedtestthatsimulatestheeffectsofsevereseacoastatmosphereonallexposedsurfaces.Thesaltatmospheretestisconsidereddestructive.Itisintendedforlotacceptance,processmonitor,andqualificationtesting.ThelatestrevisionofMethod1041ofMIL-STD-750shallbeusedfordiscretesolid-statedevices.ThelatestrevisionofMethod1009ofMIL-STD-883shallbeusedforsolid-statemicrocircuits,integratedcircuits,hybrids,andmodules.發(fā)布：2013年4月鹽霧：本鹽霧試驗(yàn)用于確定固態(tài)器件對(duì)于腐蝕的抵抗力。本方法是一個(gè)加速試驗(yàn)方法，模擬嚴(yán)酷的海濱氣氛環(huán)境對(duì)所有暴露表面的影響。本鹽霧試驗(yàn)視為破壞性。本試驗(yàn)可用于批接收，工藝監(jiān)控，以及鑒定試驗(yàn)。MIL-STD-750試驗(yàn)方法1041的最后修訂版應(yīng)用于分立固態(tài)器件。MIL-STD-883試驗(yàn)方法1009的最后修訂版應(yīng)用于固態(tài)微電路、集成電路及組件。10.A108溫度，偏置電壓，以及工作壽命JESD22-A108CPublished:Jun-2005TEMPERATURE,BIAS,ANDOPERATINGLIFE:Arevisedmethodfordeterminingtheeffectsofbiasconditionsandtemperature,overtime,onsolid statedevicesisnowavailable.RevisionBofA108includeslowtemperatureoperatinglife(LTOL)andhightemperaturegatebibias(HTGB)stressconditions,revisedcooldownrequirementsforhightemperaturestress,andaproceduretofollowifpartsarenottestedwithintheallowedtimewindow.JESD22-A108C發(fā)布：2005年6月溫度，偏置電壓，以及工作壽命：本標(biāo)準(zhǔn)提供了一個(gè)可用的經(jīng)修訂的試驗(yàn)方法，用于確定偏置條件和溫度在長(zhǎng)時(shí)間下對(duì)固態(tài)器件的作用。A108修訂版B包括了低溫工作壽命（LTOL）以及高溫柵偏（HTGB）應(yīng)力條件，修訂了高溫應(yīng)力的冷卻需求，以及如果樣品沒有在允許的時(shí)間窗口中測(cè)試的情況下，應(yīng)遵循的程序。11.A109密封（指向軍標(biāo)）JESD22-A109BPublished:Nov-2011,RewriteoftotaldoctopointtoMilitarystandards.HERMETICITY:Mostofthesetestsarecontrolledandupdatedinthemilitarystandards,thetwostandardsthatapplyareMIL-STD-750forDiscretes,&MIL-STD-883formicrocircuits.Thetestwithinthesestandardscanbeusedforallpackagetypes.Withinthesestandardsthetestsaresimilar;MIL-STD-750TestMethod1071HermeticSealisrecommendedforanycommercialhermeticrequirements.ForMIL-STD-883theapplicabletestmethodis1014Seal.JESD22-A109A發(fā)布：2011年11月，重新編制了整份文檔以指向軍用標(biāo)準(zhǔn)。密封：大部分這些試驗(yàn)在軍用標(biāo)準(zhǔn)中控制和更新，應(yīng)用的兩份標(biāo)準(zhǔn)分別是MIL-STD-750（分立器件），以及MIL-STD-883（微電路）。這些試驗(yàn)?zāi)軌虮挥糜谒械姆庋b類型。在這些標(biāo)準(zhǔn)中，試驗(yàn)方法是類似的， MIL-STD-750試驗(yàn)方法1071推薦作為所有商用密封的要求。對(duì)于MIL-STD-883，可應(yīng)用的試驗(yàn)方法是試驗(yàn)方法1014密封。12.A110高加速JESD22-A110DPublished:Nov-2010JESD22-A110D發(fā)布：2010年11月

溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST）HIGHLYACCELERATEDTEMPERATUREANDHUMIDITYSTRESSTEST(HAST):Thepurposeofthisnewtestmethodistoevaluatethereliabilityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesinhumidenvironments.Itemployssevereconditionsoftemperature,humidity,andbiasthatacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectivematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST）：該新的試驗(yàn)方法的目的是評(píng)價(jià)非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境下的可靠性。它采用嚴(yán)酷的溫度、濕度和偏執(zhí)電壓以加速水汽對(duì)外部保護(hù)材料（封裝或密封）或沿著外部保護(hù)性材料和金屬導(dǎo)體間的界面的穿透作用。13.A111安裝在單面板底面的小型表貼固態(tài)器件耐浸焊能力的評(píng)價(jià)流程JESD22-A111APublished:May-2004EVALUATIONPROCEDUREFORDETERMININGCAPABILITYTOBOTTOMSIDEBOARDATTACHBYFULLBODYSOLDERIMMERSIONOFSMALLSURFACEMOUNTSOLIDSTATEDEVICES:Frequently,smallSurfaceMountDevices(SMDs)areattachedtothebottomsideofaprintedcircuitboardbypassingthemthroughawavesolder(fullbodyimmersion)whilesimultaneouslysolderingdeviceswithpinsonthetopoftheboard(platedthroughholeattach).Asaresult,thesesmallSMDsmaybeexposedtohightemperaturesashighas265°Cduringthistypeofboardattachmethod.Ifsufficientmoistureexistsinthepackage,exposuretothemoltensoldercausesthemoisturetoturntovapor,resultinginincreasedpressurewithinthepackagewhichinturnmaycausequalityand/orreliabilitydegradation.Thetestmethodinthisdocumentwilladdresstheissuesrelatedtothedeterminationofthecapabilityofasolidstatedevicetowithstandthestressesoffullbodywavesolderimmersionandsubsequentfielduse.JESD22-A111A發(fā)布：2004年5月安裝在單面板底面的小型表貼固態(tài)器件耐浸焊能力的評(píng)價(jià)流程：小型表貼器件（SMDs）常常被貼裝在印制線路板底面，通過一次波峰焊接（整體浸焊）同時(shí)焊接表貼器件和安裝在印制線路板正面的插裝器件（通過通孔安裝）。結(jié)果是在這種組裝方法下，這些小型SMDs可能暴露于高至265℃的高溫。如果足夠多的水汽存在于封裝內(nèi)，暴露于熔化的焊料引起水分變?yōu)檎羝?，?dǎo)致封裝內(nèi)部壓強(qiáng)，可引起質(zhì)量和可靠性退化。本試驗(yàn)方法關(guān)注與確定固態(tài)器件耐受整體波峰/浸焊能力，以及隨后的使用相關(guān)的問題。14.A112塑封表貼器件水汽誘發(fā)的應(yīng)力敏感性（被J-STD-020替代）JESD22-A112-APublished:Nov-1995RescindedMay2000MOISTURE-INDUCEDSTRESSSENSITIVITYFORPLASTICSURFACEMOUNTDEVICES-SUPERSEDEDBYJ-STD-020A,April1999.J-STD-020isnowonrevisionD.01.JESD22-A112-A發(fā)布：1995年11月，2000年5月取消塑封表貼器件水汽誘發(fā)的應(yīng)力敏感性，被J-STD-020A替代，1999年4月。J-STD-020現(xiàn)行版本為修訂版D.01.15.A113塑封表貼器件JESD22-A113FPublished:Oct-2008PRECONDITIONINGOFPLASTICSURFACEMOUNJESD22-A113F發(fā)布：2008年8月塑封表貼器件可靠性試驗(yàn)前的預(yù)

可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理TDEVICESPRIORTORELIABILITYTESTING:ThisTestMethodestablishesanindustrystandardpreconditioningflowfornonhermeticsolidstateSMDs(surfacemountdevices)thatisrepresentativeofatypicalindustrymultiplesolderreflowoperation.TheseSMDsshouldbesubjectedtotheappropriatepreconditioningsequenceofthisdocumentbythesemiconductormanufacturerpriortobeingsubmittedtospecificin-housereliabilitytesting(qualificationandreliabilitymonitoring)toevaluatelongtermreliability(whichmightbeimpactedbysolderreflow).處理：本試驗(yàn)方法建立了一個(gè)非氣密固態(tài)SMDs（表面貼裝器件）的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的預(yù)處理流程，這一流程代表了一個(gè)典型的工業(yè)化多次回流焊接操作。這些SMDs在由半導(dǎo)體制造商進(jìn)行規(guī)定的內(nèi)部可靠性試驗(yàn)（鑒定及可靠性監(jiān)控）刖，應(yīng)經(jīng)受本文檔中適當(dāng)?shù)念A(yù)處理序列，以評(píng)估長(zhǎng)期可靠性（器件的長(zhǎng)期可靠性可能受到回流焊接過程的影響）。16.A114靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）人體模型（HBM）JESD22-A114FPublished:Dec-2008ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYTESTINGHUMANBODYMODEL(HB M):ThistestmethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefinedelectrostaticHumanBodyModel(HBM)discharge(ESD).Theobjectiveistoprovidereliable,repeatableHBMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.JESD22-A114F發(fā)布：2008年12月靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）人體模型（HBM）：本試驗(yàn)方法建立了一個(gè)通過將微電路暴露在定義的人體模型的靜電放電應(yīng)力下，根據(jù)其受損或降級(jí)的敏感度，對(duì)微電路進(jìn)行試驗(yàn)和評(píng)級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)化流程。目標(biāo)是提供可靠的，可重復(fù)性的HBMESD試驗(yàn)結(jié)果，以使準(zhǔn)確的等級(jí)評(píng)定能夠進(jìn)行。17.A115靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）機(jī)器模型（MM）JESD22-A115APublished:Oct1997。Thisisavalidtestmethod,howeveritisnotcurrentlybeingusedintheindustry,thepreferredindustrytestmethodsareJESD22A114orJESD22C101ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYTESTINGMACHINEMODEL(MM):ThismethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefinedMachineModel(MM)electrostaticdischarge(ESD).Theobjectiveistoprovidereliable,repeatableMMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.A115A發(fā)布：1997年10月。本試驗(yàn)方法有效，然而卻不是業(yè)界常用標(biāo)準(zhǔn)，推薦的工業(yè)試驗(yàn)方法為JESD22A114或JESD22C101靜電放電敏感性試驗(yàn)（ESD）機(jī)器模型（MM）：本試驗(yàn)方法建立了一個(gè)通過將微電路暴露在定義的人體模型的靜電放電應(yīng)力下，根據(jù)其受損或降級(jí)的敏感度，對(duì)微電路進(jìn)行試驗(yàn)和評(píng)級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)化流程。目標(biāo)是提供可靠的，可重復(fù)性的MMESD試驗(yàn)結(jié)果，以使準(zhǔn)確的等級(jí)評(píng)定能夠進(jìn)行。18.A117電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）編JESD22-A117APublished:Mar-2006ELECTRICALLYERASABLEPROGRAMMABLEROM(EEPROM)PROGRAM/ERASEENDURANCEANDDATARETENTIONTEST:ThismethodestablishesastandardprocedurefordeterminingthedatacyclingenduranceanddataretentioncapabilityoJESD22-JESD22-A117A發(fā)布：2006年3月電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）編程/擦除耐久性以及數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)：本方法建立了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的流程，以確定非易失存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)循環(huán)耐久性和數(shù)

程/擦除耐久性以及數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)fnon-volatilememorycells.Itisintendedasaqualificationandmonitortestprocedure.ThistestisalsoapplicabletoFLASHEEPROMintegratedcircuitsandErasableProgrammableLogicDevices(EPLD)withembeddedEEPROMorFLASHmemory.據(jù)保持能力。本試驗(yàn)方法可用于鑒定和監(jiān)控試驗(yàn)流程。本試驗(yàn)也可用于FLASHEEPROM集成電路以及帶有內(nèi)嵌的EEPROM或FLASH存儲(chǔ)器的可擦除可編程邏輯器件（EPLD）。19.A118加速水汽抵抗性 無偏壓HASTJESD22-A118APublished:Mar-2011ACCELERATEDMOISTURERESISTANCE-UNBIASEDHAST:TheUnbiasedHASTisperformedforthepurposeofevaluatingthereliabilityofnon-hermeticpackagedsolid-statedevicesinhumidenvironments.Itisahighlyacceleratedtestwhichemploystemperatureandhumidityundernoncondensingconditionstoacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectivematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.Biasisnotappliedinthistesttoensurethefailuremechanismspotentiallyovershadowedbybiascanbeuncovered(e.g.galvaniccorrosion).Thistestisusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.JESD22-A118A發(fā)布：2011年3月加速水汽抵抗性——無偏壓HAST：無偏壓HAST用于評(píng)估非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境下的可靠性。這是一個(gè)高加速試驗(yàn)方法，利用非冷凝條件下的溫度和濕度來加速水汽對(duì)外部保護(hù)性材料（封裝或密封）或沿著外部保護(hù)材料和貫通其的金屬導(dǎo)體的界面的穿透作用。不施加偏壓以保證被偏置電壓掩蓋的失效機(jī)理能夠被發(fā)現(xiàn)（如：賈凡尼式腐蝕（原電池腐蝕））。本試驗(yàn)用于確定封裝內(nèi)部的失效機(jī)理，為破壞性試驗(yàn)。20.A119低溫貯存壽命JESD22-A119Published:Nov-2004LOWTEMPERATURESTORAGELIFE：Thetestisapplicableforevaluation,screening,monitoring,and/orqualificationofallsolidstatedevices.LowTemperaturestoragetestistypicallyusedtodeterminetheeffectoftimeandtemperature,understorageconditions,forthermallyactivatedfailuremechanismsofsolidstateelectronicdevices,includingnonvolatilememorydevices(dataretentionfailuremechanisms).Duringthetestreducedtemperatures(testconditions)areusedwithoutelectricalstressapplied.Thistestmaybedestructive,dependingonTime,TemperatureandPackaging(ifany).JESD22-A119發(fā)布：2004年11月低溫貯存壽命：本試驗(yàn)可用于所有固態(tài)器件的評(píng)估，篩選，監(jiān)控以及鑒定。低溫貯存試驗(yàn)通常用于確定在貯存條件下，時(shí)間和溫度對(duì)固態(tài)電子器件，包括非易失儲(chǔ)存器件（數(shù)據(jù)滯留失效機(jī)理），由熱激發(fā)的失效機(jī)理的效應(yīng)。在試驗(yàn)中，只施加降低的溫度應(yīng)力（試驗(yàn)條件），而不施加電應(yīng)力。本試驗(yàn)取決于時(shí)間，溫度和包裝（如果有），可能為破壞性。21.A120用于集成電路的有機(jī)材料的JESD22-A120APublished:Jan-2008TESTMETHODFORTHEMEASUREMENTOFMOISTUREDIFFUSIVITYANDWATERSOLUBILITYINORGANICMATERIALSUSEDININTEGRATEDCIRCJESD22-A120A發(fā)布：2008年1月用于集成電路的有機(jī)材料的水汽擴(kuò)散率以及水溶解度試驗(yàn)方法：本規(guī)范細(xì)化了測(cè)試用于IC封裝

水汽擴(kuò)散率以及水溶解度試驗(yàn)方法UITS:ThisspecificationdetailstheproceduresforthemeasurementofcharacteristicbulkmaterialpropertiesofmoisturediffusivityandwatersolubilityinorganicmaterialsusedinthepackagingofICcomponents.ThesetwomaterialpropertiesareimportantparametersfortheeffectivereliabilityperformanceofplasticpackagedICsafterexposuretomoistureandsubjectedtohightemperaturesolderreflow.部件的有機(jī)材料的兩項(xiàng)特性，即塊狀材料的水汽擴(kuò)散率和水溶解度。由于塑封IC可能暴露于水汽環(huán)境，并經(jīng)歷高溫焊接回流過程，因此，這兩項(xiàng)材料特性是保障后其有效的可靠性能的重要參數(shù)。22.A121錫及錫合金表面鍍層晶須生長(zhǎng)的測(cè)試方法JESD22-A121APublished:Jul-2008MEASURINGWHISKERGROWTHONTINANDTINALLOYSURFACEFINISHES:ThepredominantterminalfinishesonelectroniccomponentshavebeenSn-Pballoys.AstheindustrymovestowardPb-freecomponentsandassemblyprocesses,thepredominantterminalfinishmaterialswillbepureSnandalloysofSn,includingSn-BiandSn-Ag.PureSnandSn-basedalloyelectrodepositsandsolder-dippedfinishesmaygrowtinwhiskers,whichcouldelectricallyshortacrosscomponentterminalsorbreakoffthecomponentanddegradetheperformanceofelectricalormechanicalparts.JESD22-A121A發(fā)布：2008年7月錫及錫合金表面鍍層晶須生長(zhǎng)的測(cè)試方法：電子元器件主要的引腳鍍層曾主要使用錫鉛合金。隨著業(yè)界向無鉛元器件和組裝工藝轉(zhuǎn)變，主要的引腳鍍層材料變?yōu)榧冨a以及錫合金，包括錫鉍以及錫銀合金。電鍍和浸焊的純錫及錫基合金鍍層可能生長(zhǎng)錫須，錫須會(huì)引起元器件引腳間電氣短路，或從元器件脫落，引起電氣或機(jī)械部件的性能退化。23.A122功率循環(huán)JESD22-A122Published:Aug-2007POWERCYCLINGThisTestMethodestablishesauniformmethodforperformingcomponentpackagepowercyclingstresstest.Thisspecificationcoverspowerinducedtemperaturecyclingofapackagedcomponent,simulatingthenon-uniformtemperaturedistributionresultingfromadevicepoweringonandoffintheapplication.JESD22-A122發(fā)布：2007年8月功率循環(huán)：本試驗(yàn)方法建立了一種統(tǒng)一的方法，以對(duì)元器件封裝進(jìn)行功率循環(huán)應(yīng)力試驗(yàn)。本規(guī)范覆蓋了封裝元器件功率相關(guān)的溫度循環(huán)變化，模擬在應(yīng)用條件下由于上電和下電導(dǎo)致的溫度分布不均一性。24.B100物理尺寸JESD22-B100BPublished:Jun-2003ReaffirmedJune2006PHYSICALDIMENSION:Thestandardprovidesamethodfordeterminingwhethertheexternalphysicaldimensionsofthedeviceareinaccordancewiththeapplicableprocurementdocument.Thisrevisionincludesachangeindetailstobespecifiedbytheprocurementdocument.JESD22-B100B發(fā)布：2003年6月，2006年6月重新確認(rèn)物理尺寸：本標(biāo)準(zhǔn)提供了一個(gè)確定器件的外部物理尺寸是否和采購(gòu)文件相符合的方法。本修訂版包括了一處由采購(gòu)文件規(guī)定的細(xì)節(jié)的修改。25.B101外部目檢JESD22-B101APublished:Oct-2004EXTERNALVISUAL:Thepurposeofthisinspectionistoverifythatthematerials,dJESD22-B101A發(fā)布：2004年10月外部目檢：本檢查的目的是驗(yàn)證器件的材料，設(shè)計(jì)，構(gòu)造，標(biāo)志以

esign,construction,markings,andworkmanshipofthedeviceareinaccordancewiththeapplicableprocurementdocument.Externalvisualisanondestructivetestandapplicableforallpackagetypes.Thetestisusefulforqualification,processmonitor,orlotacceptance.及工藝是否與采購(gòu)文件相符合。外部目檢是一種非破壞性測(cè)試，可對(duì)所有封裝類型應(yīng)用。本測(cè)試方法可用于鑒定，過程監(jiān)控或批接收檢驗(yàn)。26.B102可焊性JESD22-B102EPublished:Oct-2007SOLDERABILITY:Thistestmethodprovidesoptionalconditionsforpreconditioningandsolderingforthepurposeofassessingthesolderabilityofdevicepackageterminations.Itprovidesproceduresfordip&looksolderabilitytestingofthroughhole,axialandsurfacemountdevicesandasurfacemountprocesssimulationtestforsurfacemountpackages.Thepurposeofthistestmethodistoprovideameansofdeterminingthesolderabilityofdevicepackageterminationsthatareintendedtobejoinedtoanothersurfaceusinglead(Pb)containingorPb-freesolderfortheattachment.JESD22-B102E發(fā)布：2007年10月可焊性：本試驗(yàn)方法以評(píng)價(jià)器件封裝引腳的可焊性為目的，提供了一個(gè)可選的預(yù)處理及焊接的條件。本標(biāo)準(zhǔn)為通孔安裝器件，軸向及表貼器件提供了浸焊并觀察的可焊性試驗(yàn)程序，并給出了表貼封裝的表貼工藝模擬試驗(yàn)。本試驗(yàn)方法的目的是為準(zhǔn)備使用含鉛（Pb）或無鉛焊料連接到另一個(gè)表面的器件封裝引腳提供一種確定可焊性的方法。27.B103振動(dòng)，變頻JESD22-B103BPublished:Jun-2002ReaffirmedJune2006VIBRATION,VARIABLEFREQUENCY:TheVibration,VariableFrequencyTestMethodisintendedtodeterminetheabilityofcomponent(s)towithstandmoderatetoseverevibrationasaresultofmotionproducedbytransportationorfiledoperationofelectricalequipment.Thisisadestructivetestthatisintendedforcomponentqualification.JESD22-B103B發(fā)布：2002年1月，2006年6月再次確認(rèn)振動(dòng)，變頻：變頻振動(dòng)試驗(yàn)方法意在確定部件耐受由電氣設(shè)備運(yùn)輸或現(xiàn)場(chǎng)工作引起的從適度到嚴(yán)酷的振動(dòng)應(yīng)力的能力。這是一個(gè)破壞性試驗(yàn)，用于部件的鑒定。28.B104機(jī)械沖擊JESD22-B104CPublished:Nov-2004-Typofoundonpg.1intitle,anewversiondatedDecember2004hasbeenposted.ifyoudownloadedbetween11/10/04&12/10/04,pleasedownloadagainMECHANICALSHOCK:Thistestisintendedtodeterminethesuitabilityofcomponentpartsforuseinelectronicequipmentthatmaybesubjectedtomoderatelysevereshocksasaresultofsuddenlyappliedforcesorabruptchangesinmotionproducedbyroughhandling,transportation,orfieldoperation.Shockofthistypemaydisturboper atJESD22-B104C發(fā)布：2004年11月-在第一頁(yè)發(fā)現(xiàn)排版錯(cuò)誤，2004年12月發(fā)布了一個(gè)新版本。如果你在11/10/04和12/10/04之間下載，請(qǐng)?jiān)傧螺d一次機(jī)械沖擊：本試驗(yàn)意在確定用于電子設(shè)備的部件和元器件對(duì)可能的適度嚴(yán)酷沖擊應(yīng)力的適應(yīng)性，這種沖擊應(yīng)力可能來自于粗暴處理，運(yùn)輸或現(xiàn)場(chǎng)工作引發(fā)的突然施加的力或突發(fā)的運(yùn)動(dòng)改變。這種

ingcharacteristics,particularlyiftheshockpulsesarerepetitive.Thisisadestructivetestintendedfordevicequalification.Itisnormallyapplicabletocavity-typepackages.類型的沖擊可能妨礙工作特性，尤其當(dāng)沖擊脈沖為重復(fù)性時(shí)。本試驗(yàn)時(shí)種破壞性試驗(yàn)，用于器件鑒定。通?？蓱?yīng)用于空腔類型的封裝形式。29.B105引出端完整性JESD22-B105CPublished:May-2003ReaffirmedJune2006LEADINTEGRITY:Thistestmethodprovidesvarioustestsfordeterminingtheintegritylead/packageinterfaceandtheleaditselfwhenthelead(s)arebentduetofaultyboardassemblyfollowedbyreworkofthepartforreassembly.ForhermeticpackagesitisrecommendthatthistestbefollowedbyhermeticitytestsinaccordancewithTestMethodA109todetermineifthereareanyadverseeffectsfromthestressesappliedtothesealsaswellastotheleads.Thesetests,includingeachofitstestconditions,isconsidereddestructiveandisonlyrecommendedforqualificationtesting.Thistestisapplicabletoallthrough-holedevicesandsurface-mountdevicesrequiringleadformingbytheuser.JESD22-B105C發(fā)布：2003年5月,2006年6月再次確認(rèn)引出端完整性：本試驗(yàn)方法提供了多種試驗(yàn)，以確定在由于不當(dāng)?shù)陌寮?jí)組裝，伴隨部件返修的重組裝時(shí)，引腳/封裝界面以及引腳本身的完整性。對(duì)于氣密封裝，推薦在本試驗(yàn)后進(jìn)行密封試驗(yàn)，可根據(jù)試驗(yàn)方法A109進(jìn)行，以確定施加在密封處以及引腳上的應(yīng)力是否產(chǎn)生了任何不利的影響。這些試驗(yàn)，包括每個(gè)試驗(yàn)條件，均視為破壞性，只推薦用于鑒定試驗(yàn)。本試驗(yàn)適用于需要由用戶進(jìn)行整腳的通孔安裝和表貼器件。30.B106通孔安裝期間的耐焊接沖擊JESD22-B106DPublished:Apr-2008RESISTANCETOSOLDERSHOCKFORTHROUGH-HOLEMOUNTEDDEVICES:Thismethodestablishedastandardprocedurefordeterminingwhetherthrough-holesolidstatedevicescanwithstandtheeffectsofthetemperaturet owhichtheywillbesubjectduringsolderingoftheirleads.Thisrevisionupdatesthereferencestocurrentlymilitarystandards.JESD22-B106D發(fā)布：2008年4月通孔安裝期間的耐焊接沖擊：本試驗(yàn)方法建立了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的流程，以確定通孔安裝固態(tài)器件是否能耐受它們?cè)谝_焊接過程中可能經(jīng)受的溫度。本修訂版更新了對(duì)現(xiàn)有軍用標(biāo)準(zhǔn)的參考。31.B107標(biāo)識(shí)耐久性JESD22-B107CPublished:Sep-2004MARKINGPERMANENCY:Thistestmethodprovidestwotestsfordeterminingthemarkingpermanencyofinkmarkedintegratedcircuits.Anewnon-destructivetapetestmethodisintroducedtoquicklydeterminemarkingintegrity.ThetestmethodalsospecifiesaresistancetosolventsmethodbaseduponMILStd883Method2015.JESD22-B107C發(fā)布：2004年9月標(biāo)識(shí)耐久性：本試驗(yàn)方法提供了兩個(gè)試驗(yàn)，以確定墨水打標(biāo)的集成電路的標(biāo)識(shí)的耐久性。介紹了一個(gè)新的非破壞性的膠帶試驗(yàn)方法以快速確定標(biāo)識(shí)的完整性。本試驗(yàn)方法也規(guī)定了一種基于MIL-STD-883方法2015的耐溶劑性試驗(yàn)。32.B108表貼半導(dǎo)體器JESD22-B108APublished:Jan-2003COPLANARITYTESTFORSURFACE-JESD22-B108A發(fā)布：2003年1月表貼半導(dǎo)體器件的共面性試驗(yàn)：

件的共面性試驗(yàn)MOUNTSEMICONDUCTORDEVICES:Thepurposeofthistestistomeasurethedeviationoftheterminals(leadsorsolderballs)fromcoplanarityforsurface-mountsemiconductordevices.本試驗(yàn)的目的是測(cè)量表貼半導(dǎo)體器件引出端（引腳或焊球）的共面性偏差。33.B109倒裝芯片拉脫試驗(yàn)JESD22-B109Published:Jun-2002FLIPCHIPTENSILEPULL:TheFlipChipTensilePullTestMethodisperformedtodeterminethefracturemodeandstrengthofthesolderbumpinterconnectionbetweentheflipchipdieandthesubstrate.Itshouldbeusedtoassesstheconsistencyofthechipjoinprocess.Thistestmethodisadestructivetest.JESD22-B109發(fā)布：2002年6月倒裝芯片拉脫試驗(yàn)：倒裝芯片拉脫試驗(yàn)方法用于確定斷裂模式以及倒裝芯片和基板間焊球互連的強(qiáng)度。34.B110組件機(jī)械沖擊JESD22-B110APublished:Nov-2004SUBASSEMBLYMECHANICALSHOCK:ThenewtestmethodJESD22-B110providesguidanceforin-situtestingofmechanicalshockresistanceofcomponentsasmountedinasubassembly.Usingterms,procedures,andtestlevelsincommonwithJESD22-B104B,thistestmethodprovidesarangeoftestleveloptionstoimprovetestapplicabilityandcompatibilitywithfragilitytestprocedures.Testproceduresaredetailed,includingtestcardandfixtureneeds,testtolerances,testdocumentation,componentpreparation,anddefinitionofterms.JESD22-B110A發(fā)布：2004年11月組件機(jī)械沖擊：這個(gè)心的試驗(yàn)方法JESD22-B110提供了部件機(jī)械沖擊抵抗力原位試驗(yàn)的指引，原位指的是試驗(yàn)時(shí)部件的安裝條件與子組件中一致。本試驗(yàn)方法采用的條款，流程以及試驗(yàn)水平與JESD22-B104B通用，提供了可供選擇的試驗(yàn)水平的范圍，以增進(jìn)試驗(yàn)的應(yīng)用性以及與脆弱性試驗(yàn)的兼容性。本標(biāo)準(zhǔn)細(xì)化了試驗(yàn)流程，包括試驗(yàn)卡以及夾具的需求，試驗(yàn)的容差，試驗(yàn)文件，部件預(yù)處理以及條款的定義。35.B111手持電子產(chǎn)品組件的板級(jí)跌落試驗(yàn)JESD22-B111Published:Jul-2003BOARDLEVELDROPTESTMETHODOFCOMPONENTSFORHANDHELDELECTRONICPRODUCTS:ThisBoardLevelDropTestMethodisintendedtoevaluateandcomparedropperformanceofsurfacemountelectroniccomponentsforhandheldelectronicproductapplicationsinanacceleratedtestenvironment,whereexcessiveflexureofacircuitboardcausesproductfailure.Thepurposeistostandardizethetestboardandtestmethodologytoprovideareproducibleassessmentofthedroptestperformanceofsurfacemountedcomponentswhileduplicatingthefailuremodesnormallyobservedduringproductleveltest.JESD22-B111發(fā)布：2003年7月手持電子產(chǎn)品組件的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法：本板級(jí)跌落試驗(yàn)方法意在以一個(gè)加速試驗(yàn)環(huán)境評(píng)估和比較手持電子產(chǎn)品應(yīng)用的表貼電子部件的抗跌落性能，在這個(gè)加速試驗(yàn)環(huán)境中，過度的彎曲電路板引起產(chǎn)品失效。這一試驗(yàn)的目的是標(biāo)準(zhǔn)化試驗(yàn)板和試驗(yàn)方法，以提供一個(gè)表貼部件跌落試驗(yàn)性能的高再現(xiàn)性的評(píng)定方法，暴露通常在產(chǎn)品級(jí)試驗(yàn)中失效模式36.B112高溫封JESD22-B112Published:May-2005JESD22-B112發(fā)布：2005年5月

裝翹曲度測(cè)試方法HIGHTEMPERATUREPACKAGEWARPAGEMEASUREMENTMETHODOLOGYThepurposeofthistestmethodistomeasurethedeviationfromuniformflatnessofanintegratedcircuitpackagebodyfortherangeofenvironmentalconditionsexperiencedduringthesurface-mountsolderingoperation.高溫封裝翹曲度測(cè)試方法：本試驗(yàn)方面的目的是測(cè)量在經(jīng)歷了表面組裝焊接過程中的環(huán)境條件范圍后，集成電路封裝體平坦度的偏差。37.B113手持電子產(chǎn)品組件互連可靠性特性的板級(jí)循環(huán)彎曲試驗(yàn)方法JESD22-B113Published:Mar-2006BOARDLEVELCYCLICBENDTESTMETHODFORINTERCONNECTRELIABILITYCHARACTERIZATIONOFCOMPONENTSFORHANDHELDELECTRONICPRODUCTSTheBoardLevelCyclicBendTestMethodisintendedtoevaluateandcomparetheperformanceofsurfacemountelectroniccomponentsinanacceleratedtestenvironmentforhandheldelectronicproductsapplications.Thepurposeistostandardizethetestmethodologytoprovideareproducibleperformanceassessmentofsurfacemountedcomponentswhileduplicatingthefailuremodesnormallyobservedduringproductleveltest.Thisisnotacomponentqualificationtestandisnotmeanttoreplaceanyproductleveltestthatmaybeneededtoqualifyaspecificproductandassembly.JESD22-B113發(fā)布：2006年3月手持電子產(chǎn)品組件互連可靠性特性的板級(jí)循環(huán)彎曲試驗(yàn)方法：板級(jí)循環(huán)彎曲試驗(yàn)方法旨在評(píng)估和比較手持電子產(chǎn)品中應(yīng)用的表貼電子元器件，在個(gè)加速的試驗(yàn)環(huán)境下的性能。標(biāo)準(zhǔn)化本試驗(yàn)方法的目的在于為表貼元器件提供一個(gè)可再現(xiàn)的性能評(píng)價(jià)方法，以復(fù)現(xiàn)通常在產(chǎn)品級(jí)試驗(yàn)刊能觀察到的失效模式。本方法不是一個(gè)元器件鑒定試驗(yàn)方法，并且不能取代任何用以鑒定特定產(chǎn)品或組件的