國際（國內(nèi)）半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展

中國電子材料行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體材料分會秘書長朱黎輝教授/研究員

2011年3月

2目錄：

一.半導(dǎo)體硅材料在國民經(jīng)濟中的作用與地位二.國際半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展概況三.硅太陽能電池用多晶硅內(nèi)在純度的重要性四.我國半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展概況五.對我國發(fā)展半導(dǎo)體硅材料的幾點淺見3一.半導(dǎo)體硅材料在國民經(jīng)濟中的

作用與地位

（一）在電子信息技術(shù)、產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。能源、信息、材料是人類社會的三大支柱。半導(dǎo)體硅（多晶、單晶）材料則是電子信息產(chǎn)業(yè)（尤其是集成電路產(chǎn)業(yè)）和新能源、綠色能源硅光伏產(chǎn)業(yè)的主體功能材料，硅材料的使用量至今仍然占全球半導(dǎo)體材料的95%以上，是第一大電子功能材料，且早已是一種戰(zhàn)略性的物資和產(chǎn)業(yè)。半個世紀(jì)以來，美、日、德等國際十大公司一直壟斷著半導(dǎo)體硅材料的技術(shù)、市場和售價，對我國進行封鎖，嚴(yán)重地制約著我國現(xiàn)代化的進程。硅占地殼的四分之一，是地球上豐度最高的元素之一。我國已發(fā)現(xiàn)了高品位的硅（水晶、SiO2）礦140億噸以上，一萬年也用不完。

5

半導(dǎo)體工業(yè)（尤其是集成電路工業(yè)）是信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心，是國民經(jīng)濟現(xiàn)代化與信息化建設(shè)的先導(dǎo)與支柱產(chǎn)業(yè)，是改造和提升傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)及眾多高新技術(shù)的核心技術(shù)。而半導(dǎo)體硅（單晶）材料則是半導(dǎo)體工業(yè)的最重要的主體功能材料，是第一大功能電子材料，至今全球硅材料的使用仍占半導(dǎo)體材料總量的95％以上，而且國際集成電路（IC）芯片及各類半導(dǎo)體器件的95％以上也是用硅片制造的（請見表1.硅的主要器件應(yīng)用）。硅材料、硅器件和硅集成電路的發(fā)展與應(yīng)用水平早已成為衡量一個國家的國力、國防、國民經(jīng)濟現(xiàn)代化及人民生活水平的重要標(biāo)志。鑒于其在一個獨立國家中的這種戰(zhàn)略地位，因此多年來，各發(fā)達國家和地區(qū)都投以巨資發(fā)展硅材料，硅器件和硅集成電路。6表1.硅的主要器件應(yīng)用

材料種類

制作的器件

應(yīng)用狀態(tài)與說明

CZ單晶

二極管、晶體管、SOLAR

切、磨片

CZ單晶

雙極IC，MOS、CMOSIC

（吸除）拋光片

MCZ單晶CCD，高集成度IC（雙面）拋光片

FZ單晶

電力電子器件：SR、SCR、MCT、BCT、LTT；GTR、GTO、SITH、IGBT、PIN、PIC、SMARTPOWER、SOLAR

切、磨片；拋光片

薄層硅外延片

雙極IC，MOS、CMOSIC高集成度時用

高阻厚層硅外延片

VDMOS、IGBT、GTR、SIT、BSIT

新型電力電子器件用

SOI（SGOI）片

SOI（SGOI）-IC

材料與器件正在高速發(fā)展

非晶硅薄膜

SOLAR、TFT-LCD

金屬或玻璃襯底

注：MOS-金屬、氧化物、半導(dǎo)體；CMOS-互補MOS；CCD-電荷耦合器件；SR-整流器；SCR-可控硅；MCT-MOS晶閘管；BCT-雙向晶閘管；LTT-光控晶閘管；GTR-巨型晶體管；GTO-電路關(guān)斷晶閘管；SIT-靜電感應(yīng)晶體管；BSIT-雙極型靜電感應(yīng)晶體管；SITH-靜電感應(yīng)晶閘管；PIN-高反壓光電二極管、探測器；PIC-功率集成電路；SMARTPOWER-智能型功率器件；VDMOS-縱向雙擴散MOS器件；TFT-LCD－薄膜液晶；SOI（SGOI）-IC-絕緣體上半導(dǎo)體材料（Si、Ge）與電路；SOLAR—太陽能電池7（二）在新能源、可再生能源、綠色能源硅光伏產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。

隨著地球上礦物能源（煤、天然氣、石油、鈾）的加速消耗所造成的“能源危機”不斷加劇及傳統(tǒng)能源消耗所產(chǎn)生的二氧化碳等溫室氣體對環(huán)境壓力的不斷加重。開發(fā)新能源、可再生能源、綠色能源已成為人類社會今后的重大課題，其中利用太陽能發(fā)電的硅太陽能電池的研究與生產(chǎn)是最具前途的科技之一。因此，半導(dǎo)體硅材料的研究與生產(chǎn)又進入了新的發(fā)展期。我國的能源消耗是以煤為主的，但我國的煤只能開采約80年了，我國已成為世界最大的碳排放國；且隨著現(xiàn)代化建設(shè)的進程，我國已成為世界上第二大石油消耗國和輸入國，能源壓力將日趨嚴(yán)重，能源安全問題早已提到議事日程上，因此大力加速發(fā)展可再生能源硅光伏產(chǎn)業(yè)及其基礎(chǔ)材料－高純半導(dǎo)體硅（多晶、單晶片）材料已成為當(dāng)務(wù)之急。與建硅集成電路生產(chǎn)線相比，建設(shè)硅太陽能電池生產(chǎn)線其投資強度與技術(shù)難度的門檻都較低，比較合乎我國的國情，加之其國際市場十分看好，其利潤空間較大，引發(fā)了我國不少地區(qū)與企業(yè)的巨大興趣（請見表2.我國太陽能電池/組件產(chǎn)能計劃情況）。

9

因此可以預(yù)測，硅光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在我國將有著極好的前景，對我國半導(dǎo)體硅材料，尤其是對高純多晶硅的研制生產(chǎn)帶來了巨大的市場空間，極好的機遇和嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。但是，我國前幾年多晶硅的嚴(yán)重短缺以及銷售價格二十幾倍的暴漲所造成的各類硅片供應(yīng)極度緊張狀態(tài)已經(jīng)成為我國發(fā)展半導(dǎo)體工業(yè)、電子信息產(chǎn)業(yè)及新能源硅光伏產(chǎn)業(yè)的主要瓶頸，是當(dāng)時我國電子工業(yè)中最大的結(jié)構(gòu)性矛盾。半導(dǎo)體高純多晶硅材料已成為一種戰(zhàn)略性的物資。近一年來國際金融、經(jīng)濟危機的發(fā)生對硅光伏市場造成了一定的沖擊。國際上對硅太陽能電池訂單的減少給國內(nèi)不少企業(yè)帶來壓力。但隨著美、日、歐把新能源硅光伏產(chǎn)業(yè)作為救市的重要手段及我國的率先復(fù)蘇，迎來了新年我國硅光伏產(chǎn)業(yè)的又一次大發(fā)展，則仍然可以預(yù)測，隨著國內(nèi)、外經(jīng)濟的復(fù)蘇，將帶來硅材料及硅光伏產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展階段。10二.國際半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展概況（一）國際十大多晶硅生產(chǎn)廠家的簡況。至今為止，國際上生產(chǎn)高純多晶硅的主要方法仍然以“改良西門子法－三氯氫硅氫還原法”（約占全球總產(chǎn)量的80％）和硅烷熱分解法（占總量的約20％）為主。可見：表3：國外多晶硅十個主要生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)能力及發(fā)展預(yù)測表4：對未來幾年世界主要多晶硅廠家在產(chǎn)能與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面的預(yù)測表5：世界未來多晶硅生產(chǎn)能力和市場需求的統(tǒng)計、預(yù)測

表6：國外多晶硅新增及擴產(chǎn)計劃，金屬時評2007.7表6（新）：世界多晶硅的生產(chǎn)與發(fā)展預(yù)測《稀有金屬新聞》（日）2009年3月8日No.238811表3.國外多晶硅十個主要生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)能力及發(fā)展預(yù)測

2005年末用途2006年末用途2007年末2008年

能力實際產(chǎn)量半導(dǎo)體用太陽能用能力預(yù)測產(chǎn)量半導(dǎo)體用太陽能用能力預(yù)測產(chǎn)量能力（日本）

德山52005200410011005400540041001300540054005400三菱材料160016001400200160016001400200160016001600住友鈦80080080009009008000900900900（美國）

黑姆洛克770077004800290010000950060003500145001400018000ASiMi3000300028002003300330020001300360036003600SGS2202200022002200220002100220022004400MEMC27001500150002700150015000270017006700三菱多晶硅120011001000100120011001000100150014001500（德國）

Wacker55005000320018006000600035002500800079009000（意大利）

MEMC10001000100001000100010000100010001000總計309002910020600850034300325002130011100414003950052100引自2006年3月1日，日文≤稀有金屬新聞≥P1單位：噸13表5.世界未來多晶硅生產(chǎn)能力和市場需求的統(tǒng)計、預(yù)測

《金屬時評》NO1992,2006年7月25日出版

2005年2006年2007年2008年2009年2010年

供給量生產(chǎn)總量2875032950332000428505635064250半導(dǎo)體用202501925019250224002300023900太陽能電池用85001370013700204503335040350需求量需求總量340003890044590512005890067900半導(dǎo)體用190002090022900253002780030600太陽能電池用150001800021600259003110037300

缺口半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域+1250-1650-3490-2900-4800-6700太陽能電池應(yīng)用領(lǐng)域-6500-4300-7900-5450+2250+3050單位：噸14表6：國外多晶硅新增及擴產(chǎn)計劃，金屬時評2007.7企業(yè)名稱2006年末2007年末2008年末2009年末2010年末日本德山54005400540080008400三菱（日本）16001600180018001800住友9001300140014001400JFE100100500~1000500~1000500~1000新日鐵—500500500500M.setek—500300030003000日本太陽硅公司（智索、新日鐵控股、東邦鈦）——100100100美國Hemlock1000014500190002750031750REC(REC先進硅ASiMI)

(REC太陽級硅SGS)5970667013500135001350015表6．國外多晶硅新增及擴產(chǎn)計劃(續(xù))企業(yè)名稱2006年末2007年末2008年末2009年末2010年末美國MEMC27002700670067006700三菱（美國）12001500150015001500道康寧10001000100010001000Hoku——150020002000歐洲Wacker（德國）65008000100001450014500MEMC（意大利）10001000100010001000JSSI（德國）——850850850Elkem（挪威）——500050005000SilPro（法國）——250025002500亞洲中國（各地）2901000150030003000DC化學(xué)（韓國）——300030003000總計3667045770792509685010150017（二）國際上各主要生產(chǎn)多晶硅企業(yè)的擴產(chǎn)計劃公司名稱多晶硅擴產(chǎn)計劃1美國HemlockSemi公司該公司2006年已擁有10000噸/年的產(chǎn)能。2007年將達到14500噸的規(guī)模。該公司計劃2008年和2009年再分別擴產(chǎn)4500噸和8500噸，至2010年達到31750噸的規(guī)模。2德國Wacker公司該公司2006年生產(chǎn)了6500噸多晶硅。2007年將達到8000噸/年，2008擴產(chǎn)至10000噸/年，至2010年達到1.95萬噸的規(guī)模。與2006年比，至2010年該公司的太陽能級多晶硅將增加13000噸/年，半導(dǎo)體級多晶硅將增加1500噸/年。3日本Tokuyama公司該公司2006年產(chǎn)能為5400噸。該公司的VLD法將于2009年完成千噸級新線的建設(shè)工程，至2010年在日本境內(nèi)總產(chǎn)量將達到8400噸/年。2010年又在馬來西亞建一座6000噸/年的多晶硅廠。4美國REC(SGS)公司(原ASiMI)該公司將重點發(fā)展其SGS分公司的太陽能級多晶硅生產(chǎn)，并于2009年達到SG硅8500噸/年。2010年總產(chǎn)量將達到13500噸/年。5美國MEMC公司該公司將繼續(xù)發(fā)展其SiH4熱解流床法生產(chǎn)粒狀硅的工藝，至2010年達到6700噸/年的能力。6Mitsubishi和Sumitomo已合并稱SUMCO

全球第二大硅晶圓廠，其中三菱的多晶硅2010年將增產(chǎn)至1800噸，住友鈦的多晶硅2008年將增至1400噸。7日本新日鐵公司

日本JEE制鋼公司

正在建太陽能級多晶硅1500噸/年

正在籌建物理法（等離子焰和電子束+定向結(jié)晶法）至2010年達到500～1000噸/年的能力。

8德國Degussa與JSSI合資用硅烷熱解硅管反應(yīng)器法于2008年9月達850噸/年多晶硅生產(chǎn)能力。

9西班牙安達盧西亞

投資2.5億歐元將于2009年后，建成2500噸/年多晶硅生產(chǎn)能力（改良西門子法）。

10韓國DCChemical（東洋制鐵化學(xué)公司）

投資2500億韓元（2.6億美元）建廠生產(chǎn)多晶硅（與德國Wacker公司合作）。至2008年達到3000噸/年。最近報道將提高年產(chǎn)量到37000噸。11韓國OCI該公司三年間快速投入多晶硅，2010年達產(chǎn)多晶硅21,000噸，自稱至2012年要建成年產(chǎn)多晶硅60,000噸，宣布要占領(lǐng)中國的硅光伏市場。表7.國際上各多晶硅廠擴產(chǎn)計劃的簡況18（三）國際上太陽能電池用多晶硅新工藝方法研究簡況

表8.多晶硅太陽能電池級新工藝方法研究狀況1.VLD（VaporLiquidDeposition）方法，氣液沉積法，簡稱“熔融析出法”，為日本德山公司1999年開始研制。仍采用SiHCl3氫還原，多晶硅以液態(tài)沉積在1500℃的石墨管壁上，然后滴下在反應(yīng)器底部固化成粒狀多晶硅。其優(yōu)點是沉積速度比改良西門子法高十倍，缺點是含碳量高（100PPma）。2.SiHCl3氫還原+FBR(Fluidizedbedreactor)法，德國Wacker公司從2000年開始這項研究，采用改良西門子工藝，應(yīng)用流床反應(yīng)器生產(chǎn)粒狀硅。2006年底達到1200噸/年的規(guī)模，2007年達產(chǎn)3000噸/年。

3.SiH4熱解用硅管反應(yīng)器的方法

，由德國JSSI(JointSolarSiliconGmbH&CoKG)公司研制。2003年

，由德國SolarWorldAG和

DequssaAG合資創(chuàng)辦。硅管內(nèi)沉積溫度為800℃。該法節(jié)能，且無金屬污染。

4.挪威可再生能源公司(REC,NorwegianRenewableEnergyCorporation)于2005年買斷美國ASiMI(AdvancedSiliconMaterials)公司。并早與美國太陽能硅(SGS,SolarGradeSiliconLLC)(AsiMI所有)合作于2002年開始在華盛頓州的MosesLake用硅烷熱解棒狀法(或稱西門子反應(yīng)器法)生產(chǎn)非一級多晶硅(或稱泡沫硅)，計劃于2008年達到5000噸/年，2010年達到13500噸/年。5.挪威ElkemSolar公司，Elkem母公司原來具有生產(chǎn)20萬噸/年金屬硅的能力。該公司采用Pyrometallurgicalrefining火花精煉法讓液態(tài)金屬硅與火山巖(Scoriae)反應(yīng)，簡化與酸反應(yīng)的濕化冶金。該公司對精制加工第三步仍然保密，據(jù)稱近日有突破。

6.冶金法

碳還原硅石結(jié)合物理化學(xué)提純的工藝方法。在金屬硅的工藝后，利用其高溫液態(tài)通入H2O、O2、Cl2或HCl后造渣去除碳和金屬雜質(zhì)達到進一步提高純度的目的。硅液進入石英坩堝采用定向結(jié)晶（凝固）爐提高純度制作太陽能電池用多晶硅片的連續(xù)工藝。但硅的純度仍未能突破六個9。

7.SiCl4與金屬還原劑(Na、Zn等)反應(yīng)制取多晶硅。較為節(jié)能，但金屬還原劑的回收循環(huán)技術(shù)不利于降低成本。8.物理提純法

在金屬硅制備時，利用電子束加熱或等離子氣體加熱，甚或進一步采用高真空脫氣技術(shù)去除高溫硅液中各類雜質(zhì)后進入石英坩堝，最后采用定向結(jié)晶爐制取多晶硅錠。硅的最高純度至今仍未突破六個919筆者認(rèn)為：該表中第4項美國SGS公司的泡沫硅早已投產(chǎn)，工藝成熟。第2項德國Wacker公司于2006年投產(chǎn)的“SiHCl3氫還原＋流床法”質(zhì)量可靠，已投入批量生產(chǎn)。第3項德國JSSI公司研究的“SiH4熱解用硅管反應(yīng)器”的方法即節(jié)能又能保證質(zhì)量，將是低成本工藝中最具發(fā)展前途的工藝方法。21

在發(fā)展SOI材料的同時，SiGe/Si結(jié)構(gòu)的應(yīng)變硅材料技術(shù)的研究被認(rèn)為是CMOS電路最具前景的結(jié)構(gòu)。而且近年來，隨著SOI技術(shù)和SiGe技術(shù)的日漸成熟，一種基于這兩種技術(shù)的微電子技術(shù)SiGe-OI應(yīng)運而生，應(yīng)變硅技術(shù)與SOI技術(shù)相結(jié)合，即SSOI（或稱SGOI）技術(shù)將成為新一代極大規(guī)模硅基集成電路的主流技術(shù)和新的基礎(chǔ)材料。近年來，在硅片深亞微米加工微電子技術(shù)發(fā)展的同時，與精密機械加工技術(shù)及其它功能的微型傳感技術(shù)相融合而高速發(fā)展的微電子機械系統(tǒng)MEMS、NEMS技術(shù)代表著21世紀(jì)微納電子技術(shù)的一個新的發(fā)展方向，利用三維加工技術(shù)制造微米、納米尺度的零件、部件或集光機電磁等多功能于一體完成一定功能的復(fù)雜微細(xì)系統(tǒng)，受到世界范圍的關(guān)注。22三.硅太陽能電池用多晶硅內(nèi)在純度的重要性

（一）硅太陽能電池對原始多晶硅內(nèi)在質(zhì)量的基本要求

圖1：硅中載流子濃度與電阻率的關(guān)系

23

從“圖1：硅中載流子濃度與電阻率的關(guān)系”的曲線中可以查到目前用于制作硅太陽能電池的P型硅片中低電阻率（0.3Ω-cm，0.5Ω-cm）和航天級硅太陽能電池用硅片電阻率所對應(yīng)的摻硼雜質(zhì)的濃度（載流子濃度）?？梢姳?：硅太陽能電池對原始硅材料純度的最低要求。從表9的數(shù)據(jù)對照中可以推論如下：普通硅太陽能電池制作所用多晶硅的純度最低應(yīng)高于7個9，航天級的硅太陽能電池制作所用多晶硅的純度甚至應(yīng)該在8至9個9以上。請見表10和表11，可見美國ASiMI公司出售的用于直拉法和定向凝固結(jié)晶法的太陽能電池級多晶硅的純度（對應(yīng)磷、硼含量）是高于8個9的（其中碳含量也高于6個9）。25表10.26表11.29表12.硅中各種雜質(zhì)的能級元素

E1-Ev(eV)

Ec-E2(eV)

元素

E1-Ev(eV)

Ec-E2(eV)

B0.045（A）

Mn0.53（D）

Al0.057（A）Hg0.33（D）0.25（D）

0.31（A）0.35（A）

Ga0.065（A）

W0.31（D）0.34（D）

0.22（A）0.36（A）0.37（A）

In0.16（A）

Mo0.30（D）0.34（D）

0.33（D）

Tl0.26（A）

Pt0.31（D）0.37（D）

P0.044（D）

Zn0.31（A）

0.55（A）

As0.049（D）

Zn+B1

0.092（A）

注：B1為硼的第一種形式注：B2為硼的第二種形式

Sn0.039（D）

Zn+B2

0.126（A）

Bi0.067（D）

Zn+Al0.078（A）

O0.13（D）0.30（D）

Zn+Ga0.063（A）

S0.18（D）0.37（D）

注：E1-Ev—離滿帶頂?shù)哪芗壩恢?。Ec-E2—離導(dǎo)帶底的能級位置。Ev—滿帶頂。A—受主。Ec—導(dǎo)帶底。D—施主。

Li0.033（D）

Au0.35（D）

0.54（A）

Cu0.24（D）0.49（A）

Ag0.34（A）

Fe0.46（D）

0.55（D）

Ni0.23（A）

0.35（A）

30表13.有關(guān)雜質(zhì)在硅中的分凝系數(shù)

元素

分凝系數(shù)k測量方法

元素

分凝系數(shù)k測量方法

B0.9CAu3×10-5

R,C.Al≧0.004CSn0.02RGa0.01R,CTa1×10-7

RIn5×10-4

R.Fe5×10-4

RP0.35R,C.S1×10-5

As0.30R,C.Co10-4

Sb0.04R,C.Pt10-8

Bi8×10-4

Cd～10-8

Cu4×10-4

RPd～10-8

Ag1×10-8

Mn10-5

Li1×10-2

Zn～10-5

O1.25C0.07

1.

分凝系數(shù)ｋ＝CS/CL：為在平衡時固體中雜質(zhì)濃度（CS）與液體中雜質(zhì)濃度（CL）之比。2．

測量方法中C表示用電阻率測量法，R表示用放射性示蹤法。3．

實際上分凝系數(shù)與晶體生長速度有關(guān)，所以引用有效分凝系數(shù)（k有效）

式中：f—晶體生長速度。

e—自然對數(shù)底

δ—雜質(zhì)積累層（一般為10-3-10-1cm）。

D—雜質(zhì)在硅液體中的擴散系數(shù)。31?

有關(guān)雜質(zhì)在硅中的揮發(fā)（1）當(dāng)在真空下生長時，不但要考慮雜質(zhì)在硅中的分凝效應(yīng)，而且還要考慮到雜質(zhì)在硅中的揮發(fā)效應(yīng)。雜質(zhì)在硅中的分凝效應(yīng)用下式表示：

…………..(1)雜質(zhì)在硅中的揮發(fā)效應(yīng)用下式表示：

…….…..……………(2)考慮這兩種效應(yīng)的綜合效率，用下式表示：

…………….(3)上列各式中：

CS—單晶中的雜質(zhì)濃度。

CL—液體中的雜質(zhì)濃度。

CO—最初始的雜質(zhì)濃度。

k—雜質(zhì)在硅中的分凝系數(shù)。

B—揮發(fā)系數(shù)。

SL—揮發(fā)面積。

VL—溶體體積。

t—揮發(fā)時間。

x—固液交接面位置（全長的分?jǐn)?shù)）32表14．有關(guān)雜質(zhì)在熔硅中的揮發(fā)常數(shù)雜質(zhì)PAsSbBAlGaInCuFeMnE厘米/秒10-45×10-37×10-25×10-610-410-35×10-35×10-52×10-52×10-4t揮發(fā)5小時5分0.5分100小時5小時0.5小時5分10小時20小時2小時1．表中t揮發(fā)表示雜質(zhì)在熔硅中揮發(fā)掉大半的時間（令其體積與表面積之比等于2CM）2．重?fù)诫s應(yīng)在氣氛中進行

（2）揮發(fā)常數(shù)。當(dāng)雜質(zhì)濃度很小時，真空下單位時間從熔體中揮發(fā)的雜質(zhì)量。

N=EACL式中：

A為溶體揮發(fā)表面。

CL是溶體中雜質(zhì)濃度。

E是揮發(fā)常數(shù)。33?

有關(guān)雜質(zhì)在硅中的擴散

在高溫時必須充分考慮雜質(zhì)在硅中的擴散運動，這個運動可以用擴散方程來表示：………………….(1)

式中：J擴散—擴散流密度，即單位時間通過單位面積的原子數(shù)。

—雜質(zhì)濃度沿x軸梯度。

D—擴散系數(shù)。負(fù)號表示雜質(zhì)擴散向濃度小的方向進行。擴散系數(shù)D隨溫度按指數(shù)迅速變化：……..(2)式中：Do—常數(shù)。R—氣體常數(shù)。

T—絕對溫度。

E—激活能。

34元素D（在1200℃）（cm2/秒）Do（cm2/秒）E（千卡/克分子）Li～4×10-52.4×10-31.9×10-32.2×10-31.8×1041.47×1041.62×104Cu8×10-65×10-5(在900℃)——Au1.3×10-71.1×10-32.58×104Zn～5×10-7（在1100～1300℃）——B4×10-1210.58.5×104Al1.5×10-113.0×10-101.5×10-111.5×10-118.0———8.0×1048.9×104——Ga4.0×10-123.68.1×104In～9.0×10-1316.59.0×104Tl～9.0×10-1316.59.0×104Ge～3.0×10-136.26×1051.2182×105P4.0×10-1210.58.5×104As3.0×10-130.328.5×104Sb2.0×10-131.5×10-113.0×10-125.60.112—9.1×1046.6×104—Bi2.0×10-181.03×1031.07×105O1.8×10-10（在1300℃）——Fe7×10-60.00622.0×104表15．有關(guān)雜質(zhì)在硅中當(dāng)溫度等于1200℃時的擴散系數(shù)：

35圖2．硅中雜質(zhì)的固相溶解度36

硅中的堿金屬雜質(zhì)如鉀、鈉（鋰、鈣）等原子（或離子）在硅太陽能電池片制作工藝的堿腐蝕清洗、制絨、高溫氧化、擴散時其遷移率很高，很容易穿透氧化硅膜層而形成表面態(tài)和界面態(tài)，加速非平衡少數(shù)載流子的表面復(fù)合，產(chǎn)生表面、界面的漏電流，降低少子的表面壽命（及有效壽命）。硅中的重金屬雜質(zhì)和過渡金屬雜質(zhì)如金、銀、銅、鐵、錳、鎳、鈷、汞……等屬于深能級雜質(zhì)，有的甚至是多重能級雜質(zhì)和既是施主，又是受主的雙重深能級雜質(zhì)（如銅、金、鐵、鎳、汞、鎢、鉑…）。這些雜質(zhì)在硅中對少數(shù)載流子的俘獲截面往往比正常摻雜的元素（硼、磷…）大2至3個數(shù)量級。因此，上述重金屬雜質(zhì)的存在更嚴(yán)重地影響少子的

體內(nèi)壽命（及有效壽命），它們?nèi)缭陔姵仄谋砻婊蚪缑嫣?，則降低表面壽命。金屬雜質(zhì)所造成的硅中少數(shù)載流子的表面壽命、體內(nèi)壽命及有效壽命的降低最終將造成硅太陽能電池的短路電流密度和開路電壓的降低，大大降低電池的光電轉(zhuǎn)換效率；因此，從這種意義上講，硅太陽能電池片中的上述各類金屬雜質(zhì)的對應(yīng)純度應(yīng)該更高（或稱其含量應(yīng)該更少），應(yīng)該在9個9以上。（注：有專家指出：最高限度，硅中的Co、Fe、Mn、Cr的含量不應(yīng)該超過1015cm-3，Ti、V、Nb、Mo、W、Zr和Ta等雜質(zhì)含量不應(yīng)該超過1013cm-3）。37

從“表15：硅中雜質(zhì)的擴散系數(shù)”可以看出：硅中金屬雜質(zhì)高溫下的擴散系數(shù)（如鐵Fe為7×10-6，銅Cu為8×10-6）比硅中正常摻雜元素的擴散系數(shù)（如施主雜質(zhì)磷P為4.0×10-12、砷As為3.0×10-13、銻Sb為1.5～3.0×10-12和受主雜質(zhì)硼B(yǎng)為4×10-12）高出6至7個數(shù)量級。硅片制作成太陽能電池組件后，在太陽下長時間曝曬使用后，各類金屬雜質(zhì)會逐漸擴散遷移至P-N結(jié)界面處，使電池片表面P-N結(jié)界面處漏電流增大，少子壽命降低，從而逐漸降低硅太陽能電池組件系統(tǒng)的光電轉(zhuǎn)換效率及發(fā)電量，使組件發(fā)電量不斷衰退，大大縮短電池組件系統(tǒng)的使用壽命，嚴(yán)重降低硅太陽能電池發(fā)電能力的再生比。

38?硅中氧、碳含量對電學(xué)參數(shù)和硅太陽能電池性能的影響。

氧和碳是半導(dǎo)體硅（多晶硅、單晶硅）中含量最高的最主要的非金屬雜質(zhì)，無論直拉法生產(chǎn)的單晶硅或定向凝固結(jié)晶法生產(chǎn)的多晶硅片的兩種工藝都采用石墨（碳）加熱系統(tǒng)和石英（二氧化硅）坩堝。所以至今用于制作硅太陽能電池的晶體硅片（約占電池用材料的90％）中主要的雜質(zhì)沾污就是氧（含量達5×1017至2×1018cm-3）和碳（含量高于1～5×1016cm-3），在硅晶格中氧主要處于間隙態(tài)，碳主要處于替位態(tài)?？偟膩碚f，氧、碳含量對硅太陽能電池是有害雜質(zhì)，在多晶硅生產(chǎn)和單晶硅生產(chǎn)工藝中最難去除的雜質(zhì)元素也是氧和碳（真空區(qū)熔工藝?yán)猓?。硅中氧的存在有著一系列有關(guān)氧的熱施主、新施主及氧沉淀（缺陷工程）及其電學(xué)行為的論述。高濃度的氧及其與硅中空位的絡(luò)合物與金屬雜質(zhì)的作用、氧沉淀…等都是少數(shù)載流子的復(fù)合中心，降低少子的壽命（但另一方面，在缺陷工程中，巧用氧沉淀又是“吸雜技術(shù)”，改進集成電路性能的重要技術(shù)）。但是，氧在硅晶體中又是一個“陷阱”，非平衡少數(shù)載流子在運動中往往被“氧陷阱”俘獲，但過一會兒又把少子放了出來，39表現(xiàn)在用光電導(dǎo)衰退法測少子壽命時，示波器上光注入脈沖衰減曲線的余輝拉得很長，測量的少子“表觀”壽命很長。但實驗證明，含氧量很高的硅晶體經(jīng)過熱處理后或器件制造過程中的“氧化”、“擴散”等熱處理后，再測量晶片的少子壽命時（此時氧在硅中形態(tài)已經(jīng)改變，已經(jīng)不對少子起“陷阱”作用），發(fā)現(xiàn)此時的少子壽命下降得非常嚴(yán)重（至少會降低一個數(shù)量級）。

但應(yīng)該指出，熱處理后所測得的少子壽命是真實的、是實用的，而我們則可以把熱處理前因氧含量高的“陷阱”作用所測得的少子壽命稱之為假壽命。這就是在上世紀(jì)八、九十年代在討論硅中氧對器件性能的影響時曾經(jīng)十分熱門的所謂“硅單晶熱穩(wěn)定性的研究”的主要內(nèi)容。這就意味著，為了測得硅晶體的真實“壽命τ”，必須要求對樣品先作熱處理（條件是：在850～900℃甚至1100℃溫度下熱處理2～3小時〈可以參照硅太陽能電池制作工藝過程中的熱處理條件〉，然后退火降溫至450～500℃左右迅速拉出爐管冷卻）后再測少子壽命。

40主要雜質(zhì)含量指標(biāo)備注施主雜質(zhì)（P）Max：2（0.3）PPba相當(dāng)于N型55（400）Ω-㎝受主雜質(zhì)（B）Max：1.0（0.1）PPba相當(dāng)于P型300（1000）Ω-㎝碳含量（C）Max：1.0（0.3）PPma

金屬雜質(zhì)（Fe、Ni、Cr、Na）總含量Max：10PPbw應(yīng)作多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量的檢測少子壽命（τ）﹥200μs熱處理后20μs

表16．太陽能電池用多晶硅質(zhì)量指標(biāo)（三）在我國硅太陽能電池生產(chǎn)中建議采用的多晶硅質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。在綜合國際上改良西門子工藝與硅烷熱分解工藝的高純多晶硅質(zhì)量指標(biāo)的基礎(chǔ)上，筆者建議我國自己的太陽能電池用多晶硅的質(zhì)量指標(biāo)的純度標(biāo)準(zhǔn)如下：制作成太陽能電池硅片其幾何尺寸采用SEMI標(biāo)準(zhǔn)中的規(guī)定。

41四.我國半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展概況（一）我國半導(dǎo)體硅單晶（片）的生產(chǎn)與發(fā)展。

由于多種原因，我國從1980年至1994年間硅單晶年產(chǎn)量始終在40多噸徘徊了十五年。半導(dǎo)體級的多晶硅的生產(chǎn)至2004年時甚至只剩下了峨嵋半導(dǎo)體材料廠一家，當(dāng)年該廠生產(chǎn)了多晶硅60噸。

42

由于我國改革開放政策的激勵，在國務(wù)院各部委相關(guān)政策和有限科技攻關(guān)資金（約5000萬元）及產(chǎn)業(yè)化資金（約2.5億元）的引導(dǎo)下，拉動了全國各地民營資本對半導(dǎo)體硅材料產(chǎn)業(yè)的巨大投入。目前我國有近50家多晶硅企業(yè)在啟動，其中1000噸／年級至10000噸／年級多晶硅廠約15家（相當(dāng)于已投資近600億元）集成電路用硅單晶拋光片廠近10家和太陽能電池用硅片廠近100家，擁有拉制６″以上硅單晶的直拉硅單晶爐10000臺以上（相當(dāng)于投資100億元以上），定向結(jié)晶鑄硅爐2000臺以上（相當(dāng)于投資12億美元）和進口硅多線切方、切片機近10000臺（相當(dāng)于投資80億美元）。我國已是世界上硅單晶爐、定向結(jié)晶鑄硅爐和多線切方、切片機最多的國家。我國的高純多晶硅年產(chǎn)量從2004年的60噸（正品約40噸）增至2008年的4500噸，2009年超過2萬噸，由于又一輪的光伏產(chǎn)業(yè)建設(shè)高潮，2010年達到4.5萬噸，短短5年間增長800倍。估計我國今年的多晶硅產(chǎn)量將會超過６萬噸。我國的單晶硅年產(chǎn)量從1994年的40噸增至2007年的單晶硅和鑄硅（片）總產(chǎn)量約10000噸，2008年的單晶硅和鑄硅（片）總產(chǎn)量約24000噸，2009年達到42000噸（15年間增長了1000倍），支撐著我國的晶硅太陽能電池的總產(chǎn)量連續(xù)叁年達到世界第一（2007年全球太陽能電池的總產(chǎn)量為4000.5MW，我國的總產(chǎn)量是1088.6MW；2008年全球太陽能電池總產(chǎn)量為6800MW，我國的總產(chǎn)量是2570MW，2009年全球總產(chǎn)量是10000MW，我國的總產(chǎn)量為4000MW，2010年全球的總產(chǎn)量是14,000MW，我國的產(chǎn)量超過8,000MW），超過了日本、美國、德國等發(fā)達國家。我國多晶硅產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展促使國際國內(nèi)的太陽能電池級多晶硅的售價在8個月內(nèi)從每公斤售價3000元以上迅速降到500元左右（2010年由于大發(fā)展，近日又上漲至700元/公斤以上），回歸了理性。而且可以肯定：我國硅太陽能電池總產(chǎn)量躍居世界第一的態(tài)勢仍將繼續(xù)保持下去，這種大好的局面是與我國硅材料的高速發(fā)展分不開的，兩者相輔相成、共同發(fā)展。4344（二）我國太陽能電池用“定向結(jié)晶法”生產(chǎn)的多晶硅片的增長。與上述單晶硅片相比，采用定向凝固結(jié)晶法生產(chǎn)的多晶硅片也能制作硅太陽能電池，多晶硅片制作的太陽能電池其光電轉(zhuǎn)換效率雖比單晶硅片制作的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率低1.5-3％，但定向結(jié)晶法比單晶生長的直拉法約節(jié)電50％以上，且對原始多晶硅材料的尺寸大小要求不嚴(yán)，因此采用定向凝固結(jié)晶工藝技術(shù)生產(chǎn)太陽能電池用硅片在國際上頗受重視。我國的定向結(jié)晶法生產(chǎn)太陽能電池多晶硅片的企業(yè)近兩年發(fā)展很快，2006年江西省新余市的“賽維LDK太陽能硅片廠”購買了美國GT-Solar公司的定向凝固爐100臺，當(dāng)年投產(chǎn)即成為亞洲最大的多晶硅片廠，該廠2007年又已決定進一步引進定向凝固爐100臺；至2007年底，該廠已成為世界上最大的太陽能電池用多晶硅片廠，將能達到年產(chǎn)“156×156mm、厚200μm”多晶硅片36,000萬片，至2009年7月已發(fā)展至430臺定向結(jié)晶爐。2006年河北省保定市“天威英利新能源公司”亦開始興建500MW太陽能電池多晶硅片生產(chǎn)線（約年產(chǎn)硅片20,000萬片），并已經(jīng)建成500MW硅太陽能電池生產(chǎn)能力。采用定向凝固法生產(chǎn)多晶硅片的廠家還有“寧波晶元太陽能有限公司”和“精功紹興太陽能公司”……等。至今我國引進的定向結(jié)晶爐已超過2000臺（國產(chǎn)約占200臺），而且國內(nèi)已有多家工廠開始制造定向結(jié)晶爐?？傆嬑覈?010年底將能達到生產(chǎn)太陽能電池用多晶硅片（156×156mm）300,000萬片以上的生產(chǎn)能力，這些多晶硅片廠所用原始多晶硅材料至今仍有50%以上從國外進口。45

應(yīng)該指出：2006年，我國自己生產(chǎn)的高純多晶硅不到300噸，卻依靠進口多晶硅最終在國內(nèi)生產(chǎn)了約400MW的硅太陽能電池片及相關(guān)組件，2007年我國只生產(chǎn)了1180.6噸多晶硅，卻生產(chǎn)了1088.6MW的太陽能電池。根據(jù)表2：“我國太陽能電池/組件產(chǎn)能情況（單位：MW）”表格所統(tǒng)計的數(shù)據(jù)：到2010年我國各主要企業(yè)計劃生產(chǎn)的硅太陽能電池已達到8000MW以上。如以每制作1MW太陽能電池消耗多晶硅（或單晶硅）7噸計，則到2010年需多晶硅6萬噸以上（約合156×156mm硅片40億片）（注：我國還年出口硅片2萬噸以上）。46（三）我國多晶硅研制的發(fā)展態(tài)勢。1．我國的大部分省、區(qū)都有著品位較高的豐富的水晶礦或硅石礦，總的蘊藏量至少以百億噸計。每年的春、夏季春汛期后，各省山區(qū)的水庫蓄滿，利用短期內(nèi)用不完的小水電，以電弧法用（焦、木）炭還原大量制取低純的工業(yè)硅（含硅量93～99%）。據(jù)不完全估算，我國大致具有年產(chǎn)冶金級工業(yè)硅90至120萬噸的能力，這些工業(yè)硅大部分廉價賣到了國外。由于失于統(tǒng)一管理，無序競爭，彼此互相壓價；質(zhì)量參差不齊，利潤微薄，幾乎相當(dāng)于只是賣電的價格；而且污染環(huán)境，破壞生態(tài)。大有必要由政府出面來統(tǒng)籌整頓治理。2．我國半導(dǎo)體硅材料的研制、生產(chǎn)自20世紀(jì)50年代中期開始，幾乎與日本同時起步，1970年前后刮電子風(fēng)的時候，全國的多晶硅廠與單晶硅廠以百家計。但由于投資少又過于分散，技術(shù)、設(shè)備落后等多種原因而不斷關(guān)、停、并、轉(zhuǎn)，至2004年時只剩下峨嵋半導(dǎo)體材料廠一家有一條國家計委批準(zhǔn)建設(shè)的100噸/年多晶硅工業(yè)試驗性生產(chǎn)線，當(dāng)年生產(chǎn)了60噸多晶硅。473．經(jīng)國家計委批準(zhǔn)，采用我國自己的三氯氫硅氫還原法技術(shù)，2005年底建成了洛陽中硅高科公司的年產(chǎn)300噸多晶硅項目，該項目已于2006年底通過河南省發(fā)改委驗收，目前早已達到原設(shè)計的生產(chǎn)能力。其產(chǎn)品質(zhì)量相當(dāng)于基磷200～500Ω-㎝，基硼1000至2000Ω-㎝的水平；由于還原爐硅芯只有12對，還原電耗在300度/公斤以上，已啟動氯化、合成及尾氣干法回收。2006年“中硅公司”開始承擔(dān)國家“863”項目“24對棒還原爐”的科技攻關(guān)。并于2007年3月完成了由科技部“863”辦公室組織的專家組驗收評審：該爐達到了單產(chǎn)大于4噸/爐、直徑大于150mm及耗電180度/公斤，接近當(dāng)時國際先進水平，并已應(yīng)用在其700噸/年的生產(chǎn)線上。作為國家重大科技攻關(guān)項目，又完成了1000噸級多晶硅生產(chǎn)線的“合成精餾”、“24對棒加壓還原爐、四氯化硅氫化及尾氣干法回收”等多項技術(shù)的科技攻關(guān)，盡快把能耗、物耗進一步降下去，使多晶硅的純度更上一層樓。由國家計委批準(zhǔn)并與俄羅斯聯(lián)合設(shè)計的樂山新光硅業(yè)公司的年產(chǎn)1260噸多晶硅項目由于資金不能按時到位等多種原因，工期受到影響，已于2007年春節(jié)前后投產(chǎn)，2007年生產(chǎn)了多晶硅230噸。并于2009年一季度完成1000噸/年國家驗收。4．在電子信息產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展及硅光伏新能源產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的拉動下，又由于多晶硅的價格暴漲，利潤空間較大，我國現(xiàn)在至少有三十個省、市地區(qū)在啟動多晶硅項目，現(xiàn)將部分在建項目列表17．48表17．我國目前已建成和在建的多晶硅項目（不完全統(tǒng)計）表序號公司或項目名稱規(guī)?？偼顿Y地址備注1四川新光硅業(yè)1260噸/年12.9億元四川樂山車子鎮(zhèn)已投產(chǎn)，09年生產(chǎn)了多晶硅1000噸（改造為1500噸/年），并早已著手3支持3000噸×2的建設(shè)（樂電天威、新津天威）。2河南洛陽中硅300噸/年（一期），700噸/年（二期）2.4億元+4億元河南偃師高龍06年12月已通過驗收。二期700噸/年，投資4億元，07年5月投產(chǎn)。三期2000噸×2已相繼投產(chǎn)，并計劃在渝林建20000噸/年。3四川東汽739廠200噸/年投產(chǎn)，擴建500噸/年（區(qū)熔）25億元正在五通橋建1500噸×2/年已安裝，在樂山五通橋擴產(chǎn)1500噸/年多晶硅。在新疆特變建1500噸/年.

4宜昌南玻硅材料廠1500噸/年（一期）1.5億美元湖北宜昌已投產(chǎn)，二期至4500噸。5徐州中能光伏1500噸×2/年（一期），6000噸/年（二期）80億元徐州金山橋已投產(chǎn)，08年底二、三期發(fā)展至萬噸/年。09年就地再建1萬噸/年，至09年7月建成1.8萬噸/年，宣稱2011年底建成60,000噸/年6寧夏陽光硅業(yè)4000噸/年35億元寧夏石嘴山完成培訓(xùn)，已投產(chǎn)1000噸/年生產(chǎn)線。7江蘇大全集團（鎮(zhèn)江）3300噸/年（一期）5億美元重慶萬州已投產(chǎn)1500噸（一期）和1800噸/年正在新疆石合子再建5000噸/年。8江蘇順達半導(dǎo)體發(fā)展公司6000噸/年45億元江蘇揚州開發(fā)區(qū)已投產(chǎn)1500噸、另有直拉單晶爐300臺、多線切片機200臺。9昆明冶研新材料股份有限公司3000噸/年30億元云南曲靖開始投產(chǎn)。10亞洲硅業(yè)1000噸/年1億美元青海西寧市已投產(chǎn)。11無錫新大中鋼鐵有限公司300噸/年500噸/年1.5億元2.5億元無錫市已投產(chǎn)，正在連云港建1500噸/年生產(chǎn)線。12神州硅業(yè)有限公司1500噸/年18億元內(nèi)蒙呼和浩特市開始投產(chǎn)，并已建成二期3000噸/年。13年產(chǎn)1500噸多晶硅生產(chǎn)線項目1500噸/年1.5億美元黃河上游電力委員會已投產(chǎn)。14天宏硅材料廠1750噸/年18億元咸陽已投產(chǎn)。15四川瑞能硅材料1500噸/年12億元四川省眉山市已投產(chǎn)，計劃再建一條1500噸/年生產(chǎn)線。16江西省新余市LDK賽維新能源6000噸/年15000噸/年180億元江西省新余市占地8000畝多晶硅生產(chǎn)線全面竣工，另有直拉單晶爐270臺、定向結(jié)晶爐430臺、多線切割機280臺，已是世界最大的硅片生產(chǎn)廠家。17永祥多晶硅廠1000噸/年10億元四川樂山市五通橋區(qū)具有合成、精餾、還原、氫化等。建有氣相白炭黑、單體有機硅、草干膦等綜合利用。49

據(jù)不完全統(tǒng)計，我國至今約有近40多個單位在籌建多晶硅項目，上表只是其中的一部分。筆者認(rèn)為，美國能有六大公司十幾個工廠在生產(chǎn)高質(zhì)量的多晶硅（約占目前全球多晶硅產(chǎn)量的60%，70%出口），我國也可以利用東部與西部地勢落差大所具備的水力電力潛在資源豐富的優(yōu)勢，大力發(fā)展半導(dǎo)體級高純多晶硅產(chǎn)業(yè)，以能作為反制東亞地區(qū)某些用礦砂轄制我國經(jīng)濟建設(shè)的國家與地區(qū)的外交籌碼；并進一步大力促進我國電子信息產(chǎn)業(yè)及新能源硅光伏產(chǎn)業(yè)等大產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。當(dāng)然，筆者也認(rèn)為，建設(shè)多晶硅生產(chǎn)線應(yīng)具備如下基本條件：（1）建設(shè)規(guī)模應(yīng)大于3000噸/年。以利于降低成本，取得規(guī)模效益。（2）3000噸/年的規(guī)模應(yīng)有28～32億元的資金投入。（3）對應(yīng)3000噸/年的規(guī)模應(yīng)具備25～30萬千瓦（KW）的配電站，且應(yīng)有雙路電源。（4）由于電力消耗占多晶硅成本的30～40%，因此在選址上應(yīng)該選電價低于0.3～0.4元/KWh的地方。（5）應(yīng)該擁有一支高水平的熟練的技術(shù)技工團隊。（6）最好有成套技術(shù)設(shè)備引進，或在國內(nèi)找到強有力的技術(shù)支撐單位。（7）項目應(yīng)做好氯離子平衡，還原尾氣應(yīng)干法回收，SiCl4應(yīng)氫化，HCl應(yīng)回收。能耗、單耗指標(biāo)低。如還原電耗低于70度/公斤等。（8）全流程工藝應(yīng)閉路循環(huán)、不污染環(huán)境。在上述各企業(yè)或地區(qū)在建或擬建多晶硅生產(chǎn)線外，在國家科技部主管部門的支持下，由中國電子材料行業(yè)協(xié)會組織專家對有關(guān)高等院校（企業(yè)）申報的“太陽能電池用低成本多晶硅新工藝方法的研究”以及“高純多晶硅”的合成精餾、加壓還原爐、四氯化硅氫化（高溫、低溫兩種）、還原尾氣干法回收及太陽能電池用多晶硅質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)制訂等課題進行了立項評審，并協(xié)助國家制定了“多晶硅準(zhǔn)入條件”。50五．對我國應(yīng)大力發(fā)展半導(dǎo)體硅材料的幾點淺見近一年來，國內(nèi)科技界有人對我國應(yīng)否發(fā)展半導(dǎo)體多晶硅產(chǎn)業(yè)及硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)頗有微辭，出現(xiàn)了一些不諧音，認(rèn)為：“生產(chǎn)多晶硅耗能大、污染大，造出的綠色電池用在國外”，個別媒體記者對專家的采訪斷章取義；少數(shù)已經(jīng)干了多晶硅的企業(yè)從本身商業(yè)利益出發(fā)，制造輿論，多報產(chǎn)能，反對別人上多晶硅；個別奸商在生產(chǎn)硅單晶片過程中摻低純度的工業(yè)硅冶金級硅，以假亂真，牟取暴利；國外低質(zhì)量的硅材料也混入我國市場；也發(fā)現(xiàn)少數(shù)國外的技術(shù)騙子打著懂多晶硅技術(shù)的幌子來到國