精品文檔-下載后可編輯RFMD推出MEMS技術(shù)將在RF應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)突破性性能及空前水平功能整合-新品速遞據(jù)RFMD公司新聞報(bào)道，日前，設(shè)計(jì)與制造高性能射頻系統(tǒng)與解決方案的者RFMicroDevices(RFMD)宣布推出專有微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)——面向RF及其他應(yīng)用的技術(shù)。RFMD期望其專有的MEMS技術(shù)將在RF及其他應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)突破性的性能及空前水平的功能整合。RFMD是開發(fā)面向低成本整合RF應(yīng)用的MEMS技術(shù)的先驅(qū)者，公司自2022年起便已開始積極進(jìn)行MEMS技術(shù)的商業(yè)化。RFMD期望其專有的MEMS技術(shù)將在RF及其他應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)突破性的性能及空前水平的功能整合。

RFMD推出的批RFMEMS器件將是面向3G多模手機(jī)的RFMEMS發(fā)送接收開關(guān)及RFMEMS模式開關(guān)。通過極大減小產(chǎn)品占位面積并提高效率，從而延長(zhǎng)手機(jī)通話時(shí)間，RFMD的MEMS開關(guān)技術(shù)將有助于加速3G部署。當(dāng)與面向前端解決方案(GaAs、SOI及硅)的RFMD業(yè)界工藝技術(shù)相結(jié)合時(shí)，RFMD的RFMEMS開關(guān)技術(shù)將樹立低成本、小尺寸及超高性能前端的新標(biāo)準(zhǔn)。

RFMD的MEMS開關(guān)還將在功率放大器(PA)的輸出電路中使用，以創(chuàng)建可調(diào)諧的PA，公司預(yù)計(jì)這將實(shí)現(xiàn)真正自適應(yīng)的收發(fā)器解決方案。

RFMD研發(fā)副總裁VictorSteel指出：“RFMD專有MEMS技術(shù)的商業(yè)化以及我們200mmMEMS研發(fā)制造廠的建設(shè)強(qiáng)調(diào)了RFMD不斷致力于通過一流的創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品地位。RFMD是能夠?qū)⒒旌闲盘?hào)CMOS、功率管理、功率放大器、RF開關(guān)及RFMEMS結(jié)合在低成本晶圓級(jí)封裝的單片解決方案中的公司。隨著我們業(yè)界MEMS功能的商業(yè)化，我們將能夠進(jìn)一步提供可預(yù)計(jì)并超出我們客戶日益增長(zhǎng)的RF需求的高整合度RF解決方案?！?/p>

加州大學(xué)圣地亞哥分校教授GabrielM.Rebeiz強(qiáng)調(diào)：“現(xiàn)有RFMEMS開關(guān)技術(shù)基于小制造批次及晶圓到晶圓封裝技術(shù)，這終會(huì)增加器件成本。RFMD方法及其硅片上的高整合度針鋒相對(duì)地解決了這一問題，并終將提高產(chǎn)量及性能以及極大降低成本?！?/p>

RFMD的RFMEMS開關(guān)為高功率歐姆接觸式MEMS開關(guān)，它們是RFCMOSSOI晶圓上后處理的IC，密封在晶圓級(jí)封裝(WLP)電介質(zhì)圓頂中。使RFMEMS開關(guān)運(yùn)行所需的所有必要電路均被集成到了基本CMOS中，包括可靠接通功率MEMS開關(guān)所需的大電壓及控制信號(hào)的產(chǎn)生。RFMEMS開關(guān)完全支持RFMD苛刻的蜂窩RF功率模塊要求，包括低插損及高隔離(典型0.2dB35dB@1.9GHz)以及高諧波抑制(典型90dBc)，同時(shí)還符合嚴(yán)格的可靠性及設(shè)計(jì)與生產(chǎn)成本要求。

除RFMEMS開關(guān)外，RFMD還正在積極推動(dòng)其他MEMS器件的商業(yè)化，例如RFMEMS濾波器、RFMEMS共鳴器(晶體替代器件)及MEMS傳感器。公司期望其MEMS技術(shù)連同其在高性能射頻系統(tǒng)中的現(xiàn)有能力將終實(shí)現(xiàn)能夠適應(yīng)任何無線協(xié)議–蜂窩或非蜂窩–的單片前端及軟件定義無線電。

RFMD將構(gòu)建200mm研發(fā)晶圓制