硅微機(jī)電系統(tǒng)加工技術(shù)簡介第1頁/共163頁2一．簡介

自從肖特基（Schockley）等人在1947年發(fā)明晶體管以來，科技進(jìn)入了微電子時代?，F(xiàn)在微電子已發(fā)展到了ULSI（甚大規(guī)模），加工精度到了深亞微米至量子級別。第2頁/共163頁3但作為一個完整的信息系統(tǒng)而言，微電子只是其中的信息處理單元，一個完整的系統(tǒng)應(yīng)包括三個部分：信息采集單元傳感器信息處理單元信息執(zhí)行單元執(zhí)行器第3頁/共163頁4第4頁/共163頁5因此，我們可以如下定義微系統(tǒng)：即加工精度在微米數(shù)量級,能實現(xiàn)信息采集,信息處理和信息執(zhí)行功能的有機(jī)整體。第5頁/共163頁6所謂的微系統(tǒng)就發(fā)展重點而言，是指微傳感器和微執(zhí)行器單元。第6頁/共163頁7

現(xiàn)在微系統(tǒng)中大量使用硅作為加工的原料，使用半導(dǎo)體工藝作為基本加工手段，是基于以下幾點考慮：硅材料來源廣泛，價格便宜。有得到完美單晶的制備經(jīng)驗。硅材料獨特的機(jī)械性質(zhì)，如強(qiáng)度、楊氏模量等性質(zhì)（詳見下表）可以享有積數(shù)十年之力積累下完整的硅電路加工技術(shù)成果，研發(fā)投入小?？梢哉瞻嵛㈦娮拥拇笠?guī)模生產(chǎn)方式，重復(fù)性好，成品率高，生產(chǎn)成本低。第7頁/共163頁8表一單晶硅的機(jī)械性能對比

材料屈服強(qiáng)度(105N/cm2)洛氏硬度(105g/cm2)楊氏模量(107N/cm2)密度(g/cm2)熱導(dǎo)率(W/cm.c)熱脹系數(shù)(10-6/C)*金剛石53700010.353.5201.0*SiC2124807.03.23.53.3*Si3N41434863.853.10.190.8*鐵12.64001.967.80.80312SiO28.48200.732.50.0140.55*硅7.08501.92.31.572.33鋼（最高強(qiáng)度）4.215002.17.90.9712W4.04854.119.31.784.5不銹鋼2.16602.07.90.32917.3*表示單晶第8頁/共163頁9二

微機(jī)械系統(tǒng)中常用工藝

現(xiàn)在硅微機(jī)械系統(tǒng)的制造還是基于IC常規(guī)工藝，如刻蝕、光刻、外延、摻雜工藝等等，也有微機(jī)械特有的工藝,如鍵合。用以加工出懸臂梁、孔、軸、彈簧等用于微機(jī)械的結(jié)構(gòu)。第9頁/共163頁102.1氧化（oxidation）工藝

氧化工藝是IC工藝的基礎(chǔ)，主要用途為：對硅表面進(jìn)行鈍化保護(hù)在擴(kuò)散、刻蝕工藝工程中對圖形進(jìn)行屏蔽保護(hù)作為電絕緣材料在硅表面微機(jī)械加工中當(dāng)作犧牲層★氧化工藝的實現(xiàn)方式有兩種：熱生長法和化學(xué)氣相淀積法（CVD）第10頁/共163頁11熱生長法

就是在高溫條件下（900C-1100C），使氧氣（干氧法）或水蒸汽（濕氧法）通過單晶硅、多晶硅表面，使硅發(fā)生反應(yīng)，生長出SiO2反應(yīng)方程式：Si+O2=SiO2(干氧)Si+2H2O=SiO2+2H2(濕氧)

第11頁/共163頁12特點：1熱生長法是一種自限制的過程。2熱氧化過程中，硅作為反應(yīng)物從而被消耗減少，消耗Si的厚度與生長SiO2的厚度比為

1：2.33熱生長出來的SiO2薄膜較淀積生長的SiO2膜致密，兩者之間腐蝕速度比較見表2.1.1應(yīng)用：熱生長SiO2薄膜主要用于表面鈍化，屏蔽保護(hù)。第12頁/共163頁132.1.2CVD(chemicalvapordeposition)法：是一種將反應(yīng)物以蒸汽形式送入反應(yīng)室，在一定條件下發(fā)生發(fā)應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加工對象表面的一種薄膜生長方法。加工示意圖如下：鼓泡器加熱裝置淀積室硅片尾氣處理第13頁/共163頁14在微系統(tǒng)加工中，大量使用低壓化學(xué)氣相淀積技術(shù)（LPCVD），LPCVD根據(jù)反應(yīng)溫度和反應(yīng)機(jī)理不同，有可分為：LTO,TEOS,HTO等,反應(yīng)方程式為：LTO：SiH4+O2=SiO2+2H2TEOS：Si(C2H5O)4+12O2=SiO2+8CO2+10H2O在TEOS中，產(chǎn)生副產(chǎn)物水，會使SiO2膜質(zhì)量下降，所以現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中大量使用LTO。LPCVD提供了一種生長較大厚度SiO2膜的方法，幾種生長方法比較如下表：第14頁/共163頁15

淀積方法熱氧化LTOLEOS源氣體O2SiH4+O2TEOS+O2工藝溫度(℃)900-1100400-500700組分SiO2SiO2(H)SiO2(Cl)密度(g/㎝3)2.22.12.2強(qiáng)度(109dyne/cm2)3C3T1CTEOS:Si(OC2H5)4

第15頁/共163頁16氧化法

49％HFBHF28ml49%HF+113gNH3F+170mlH2OP-Etch15ml49%HF+10mlHNO3+300mlH2O熱氧化69001000-2500128LTO1090049001200不同生長SiO2的腐蝕速度比較（A／ｍｉｎ）第16頁/共163頁17特點及應(yīng)用可以生長大于1m厚的SiO2薄膜，這在硅表面微機(jī)械中有重要應(yīng)用。LPCVD法生長的SiO2質(zhì)地疏松，可以用作犧牲層。第17頁/共163頁182．2光刻（lithography）工藝

光刻是一種圖形轉(zhuǎn)移動的方法，即通過曝光，把光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再通過刻蝕等方法轉(zhuǎn)移到硅片上。光刻的工藝流程為：第18頁/共163頁19帶掩膜的硅片硅片清洗前烘對準(zhǔn)曝光顯影刻蝕掩膜去除未暴光的膠第19頁/共163頁20帶掩膜的硅片硅掩膜第20頁/共163頁21清洗、上膠、前烘硅掩膜光刻膠第21頁/共163頁22光刻版對位曝光硅掩膜光刻膠第22頁/共163頁23顯影硅掩膜光刻膠第23頁/共163頁24刻蝕掩膜硅掩膜光刻膠第24頁/共163頁25去除未曝光的光刻膠硅掩膜第25頁/共163頁26光刻膠●光刻膠按曝光工作波長，可分為紫外光刻膠，電子束光刻膠和X光光刻膠?！褡贤夤饪棠z：分為負(fù)型光刻膠和正型光刻膠兩種。負(fù)型光刻膠曝光部分為不溶解性正型光刻膠曝光部分為可溶解性。第26頁/共163頁27光刻版掩模光刻膠負(fù)型光刻膠曝光示意圖第27頁/共163頁28光刻版掩模光刻膠正型光刻膠曝光示意圖第28頁/共163頁29光刻種類按工作波長，光刻可分為近紫外光刻，遠(yuǎn)紫外光刻，電子束光刻和X光光刻等。在IC生產(chǎn)中大量使用的是遠(yuǎn)紫外光刻。按光刻的工作方式，可分為接觸式光刻，和投影步進(jìn)式光刻，其中步進(jìn)式光刻是當(dāng)今IC工業(yè)生產(chǎn)的主流。第29頁/共163頁30●接觸式光刻：就是將光學(xué)掩膜用0.05到0.3個大氣壓壓在涂膠的基片上進(jìn)行曝光?？梢缘玫?微米的線寬?！裢队肮饪蹋壕褪茄谀ぐ孢h(yuǎn)離基片，將掩膜上的圖案投影到光刻膠上進(jìn)行曝光的方法。投影光刻可分為1：1投影和N：1步進(jìn)式投影兩種?！锾攸c：1曝光精度高

2掩膜版使用壽命長

3光路復(fù)雜第30頁/共163頁312．3刻蝕（etching）工藝

●刻蝕工藝是微機(jī)械最重要對工藝，它主要是用于制作三維結(jié)構(gòu)，另外還可以對表面拋光?！窨涛g工藝分為濕法腐蝕和干法刻蝕兩種?！窨涛g對對象可以是：硅、砷化鎵等半導(dǎo)體，金屬、多晶硅等導(dǎo)體，二氧化硅、氮化硅等絕緣體。

第31頁/共163頁32濕法腐蝕工藝●濕法腐蝕主要應(yīng)用在體硅微機(jī)械的加工中，用于加工微結(jié)構(gòu)?！駶穹ǜg的反應(yīng)機(jī)理是電化學(xué)反應(yīng)。（反應(yīng)方程式見下頁）●濕法腐蝕有各向同性腐蝕和各向異性腐蝕兩種。第32頁/共163頁33濕法腐蝕反應(yīng)機(jī)理：絡(luò)合化物反應(yīng)陽極反應(yīng)式Si+2h+→Si2+Si2＋與(OH)-結(jié)合：Si2++2(OH)－→Si(OH)2Si(OH)2分解：Si(OH)2→SiO2+H2用HF溶解SiO2，生成絡(luò)合物H2SiF6：SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O第33頁/共163頁34各向同性腐蝕各向同性腐蝕就是腐蝕液對各個晶向的腐蝕速度相同的腐蝕。典型的腐蝕液：49％HF＋69％HNO3＋CH3COOH，即HNA溶液。反應(yīng)方程式：Si＋HNO3＋6HF＝H2SiF6＋H2NO2＋H2O＋H2

特點及應(yīng)用：對SiO2腐蝕明顯，不能用SiO2作掩膜。主要用于平面拋光。第34頁/共163頁35硅掩膜光刻膠各向同性腐蝕示意圖第35頁/共163頁36各向異性腐蝕各項異性腐蝕是不同晶向的腐蝕速度不同的腐蝕。<111>面腐蝕速度最慢，<100>面腐蝕速度最快，<110>面速度居中。應(yīng)用：利用各個晶面腐蝕速度的不同，可以加工出各種微結(jié)構(gòu)。第36頁/共163頁37<100><111>54.75。<110><111><110>,<100>晶向各向異性腐蝕圖第37頁/共163頁38

各向異性腐蝕液主要有兩種：乙二胺，鄰苯二酚和水的混合液（EDP）；KOH和水的混合液。

EDP最適合微機(jī)械的加工，其特點是：●能進(jìn)行各向異性腐蝕，可以加工出各種獨特點形狀?！襁x擇腐蝕性強(qiáng)，適用于SiO2，Si3N4，Cr，Au等多種材料作掩膜的腐蝕?！窀g速度和摻雜濃度密切相關(guān)。第38頁/共163頁39KOH的水溶液（有時加入異丙醇），也是進(jìn)行各向異性腐蝕的常用溶液，缺點是對SiO2的腐蝕速度較快，腐蝕時要注意SiO2層的厚度。必要時可使用Si3N4作掩膜。第39頁/共163頁40KOH各向異性腐蝕例圖第40頁/共163頁41腐蝕液典型配比溫度℃腐蝕速度(um/min)<100>/<111>腐蝕速度比與摻雜的關(guān)系掩膜HF:HNO3:醋酸10：30:80ml220.7--31:1≦1017cm-3腐蝕速度減少50倍SiO2(300A/min)25:50:30ml22401:1無關(guān)Si3N49:75:30ml2271:1SiO2(700A/min)KOH（水，異丙醇）40g:100ml851.4400:1摻雜≧1020時，腐蝕速度減小20倍Si3N4SiO2(14A/min)50g:100ml501.0第41頁/共163頁42腐蝕液典型配比溫度（℃）腐蝕速度(um/min)<100>/<111>腐蝕速度比與摻雜關(guān)系掩膜乙二胺：鄰苯二酚：水(EDP)75ml:120g:240ml1150.7535:1摻硼大于7×1019cm-3時，腐蝕速度減小50倍SiO2(2A/min)Si3N4(1A/min)Au,Cr750ml:120g:240ml1151.25各種硅腐蝕液工藝條件和特性第42頁/共163頁43自停止腐蝕

腐蝕的速度與摻雜濃度密切相關(guān)，在各向異性腐蝕中，重?fù)诫s硼（≥7×1019cm－3）時，腐蝕速度在KOH中減小5－100倍，在EDP中減小250倍。腐蝕速度與低摻雜時的腐蝕速度比近似為0。所以假設(shè)腐蝕時間無限長，腐蝕會在一定位置處（重?fù)綕舛忍帲┩Ｖ?，這就叫自停止腐蝕。第43頁/共163頁44應(yīng)用：用于體微機(jī)械深挖槽工藝，制作懸臂梁、閥門等結(jié)構(gòu)。缺點：●重?fù)诫s表面不能再加工電路●重?fù)綍砭w體缺陷，產(chǎn)生應(yīng)力，影響機(jī)械性能。第44頁/共163頁45自停止腐蝕工藝示意圖硅襯底第45頁/共163頁46自停止腐蝕工藝示意圖硅襯底重?fù)脚饏^(qū)擴(kuò)散或離子注入形成P＋區(qū)第46頁/共163頁47自停止腐蝕工藝示意圖硅襯底重?fù)脚饏^(qū)掩膜背面生長掩膜第47頁/共163頁48自停止腐蝕工藝示意圖硅襯底重?fù)脚饏^(qū)掩膜第48頁/共163頁49自停止腐蝕工藝示意圖硅襯底重?fù)脚饏^(qū)掩膜自停止腐蝕第49頁/共163頁50電化學(xué)腐蝕

＋Pt硅片電化學(xué)腐蝕工藝和自停止腐蝕工藝相反，電化學(xué)腐蝕用來腐蝕重?fù)降囊r底，留下輕摻雜的外延層，這樣可以加工出和自停止腐蝕相同的結(jié)構(gòu)，而避免了自停止工藝的缺點。第50頁/共163頁51電化學(xué)腐蝕示意圖重?fù)揭r底第51頁/共163頁52電化學(xué)腐蝕示意圖重?fù)揭r底輕摻外延第52頁/共163頁53電化學(xué)腐蝕示意圖重?fù)揭r底輕摻外延掩膜第53頁/共163頁54電化學(xué)腐蝕示意圖重?fù)揭r底輕摻外延掩膜第54頁/共163頁55＋－Pt重?fù)揭r底輕摻外延掩膜第55頁/共163頁56電化學(xué)腐蝕示意圖重?fù)揭r底輕摻外延掩膜第56頁/共163頁57干法刻蝕

干法刻蝕:利用等離子體刻蝕作用進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移稱為干法刻蝕。其最主要的優(yōu)點是其各向異性的刻蝕。與一般的濕法刻蝕相比，干法刻蝕基本沒有側(cè)向掏蝕、鉆蝕現(xiàn)象，適用的基底材料范圍更大，控制精度更高。第57頁/共163頁58干法刻蝕種類：等離子體刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、離子銑、反應(yīng)離子束刻蝕等。其中以反應(yīng)離子刻蝕最常用。加工材料（M）刻蝕用氣體刻蝕速率（A/min)刻蝕選擇性M/膠M/SiM/SiO2多晶硅Cl2500—800525—30SiO2CF4+H2500520SiSF6+Cl21000-4500580干法刻蝕工藝參數(shù)第58頁/共163頁59DRIE加工例圖第59頁/共163頁60干法刻蝕與濕法腐蝕區(qū)別干法刻蝕的側(cè)向腐蝕小，故刻蝕出來的槽陡直?？梢赃M(jìn)行大縱深圖形的加工。濕法腐蝕側(cè)向腐蝕明顯,可以制作出非陡直結(jié)構(gòu)。第60頁/共163頁61RIE各向異性刻蝕效果圖第61頁/共163頁62硅濕法鏡面腐蝕圖第62頁/共163頁632.4外延及摻雜技術(shù)

在晶片上生長一層與襯底同晶向材料的過程就叫外延。外延分為：氣相外延和掖相外延兩種。微機(jī)械工藝中，多使用氣相外延。方法是：LPCVD用途：生長多晶硅。用于硅表面微機(jī)械。第63頁/共163頁64?多晶硅外延反應(yīng)方程式：SiH4=Si+2H2(580°C熱分解)?典型生長速度：100A/min630°C?多晶硅組分：由許多微小的單晶晶粒組成，晶粒大小決定了多晶硅表面的粗糙度。晶粒結(jié)果會隨溫度的變化而改變。?影響晶粒生長的因素：應(yīng)力、晶粒邊界和雜質(zhì)第64頁/共163頁65摻雜工藝摻雜工藝是IC生產(chǎn)的常用工藝。為了得到所希望的特性，如電阻率，把雜質(zhì)摻如單晶中，這就是摻雜。有P、N兩種雜質(zhì)。對于硅，P型雜質(zhì)有：B,Al,AsN型雜質(zhì)有：P,Ga,Te等摻雜的方法有：熔體摻雜、外延生長摻雜、擴(kuò)散摻雜和離子注入等。外延生長摻雜：即在外延生長的時，材料生長氣體和包含雜質(zhì)的氣體同時進(jìn)入反應(yīng)室，通過控制氣體組分來控制摻雜濃度。第65頁/共163頁66擴(kuò)散摻雜工藝：在高溫條件下，對雜質(zhì)形成濃度梯度，使得雜質(zhì)原子在晶格中遷移，最終形成穩(wěn)定的雜質(zhì)濃度分布的過程。?擴(kuò)散分為：按雜質(zhì)分布曲線，分為表面源擴(kuò)散和恒定源擴(kuò)散兩種。分別對應(yīng)于不同的擴(kuò)散方程和曲線。這二者結(jié)合為兩步擴(kuò)散法。按摻雜源的不同，可分為：固相源擴(kuò)散、液相源擴(kuò)散和氣相源擴(kuò)散三種。分別對應(yīng)于不同的擴(kuò)散系統(tǒng)。第66頁/共163頁67離子注入摻雜：將雜質(zhì)以離子的形式加速到很高的能量，打入到晶片內(nèi)，實現(xiàn)雜質(zhì)的摻入。離子注入的優(yōu)點是加工效率高，加工時間短。缺點也很明顯：離子能量大，使晶格損傷，產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，這對微機(jī)械加工來說是致命的；結(jié)深控制難度大；注入的離子不能激活，還要經(jīng)過高溫退火過程。應(yīng)用：在微機(jī)械加工中，通常使用擴(kuò)散法進(jìn)行摻雜。第67頁/共163頁682.5鍵合工藝鍵合工藝是微機(jī)械的特殊工藝，它是將玻璃與金屬、半導(dǎo)體或半導(dǎo)體之間不用任何粘接劑直接封接在一起，鍵合界面有良好的氣密性和長期穩(wěn)定性。

鍵合工藝分為硅硅鍵合、硅和玻璃鍵合等。第68頁/共163頁69硅硅鍵合過程：硅片拋光硅片清洗硅片貼緊高溫退火第69頁/共163頁70硅硅鍵合的問題1平整度的問題2清洗問題3對位問題第70頁/共163頁71硅和玻璃鍵合又稱靜電鍵合、場助鍵合。原理是硅片接正極，玻璃接負(fù)極，硅片和玻璃緊密貼緊，并對硅和玻璃加熱。這樣，玻璃中對Na＋離子在外電壓的作用下向負(fù)極方向移動，在緊鄰硅片對玻璃表面形成幾個微米寬的耗盡層。耗盡層帶負(fù)電，硅片帶正電，所以硅和玻璃間產(chǎn)生靜電吸引，在一定溫度下，硅和玻璃間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成牢固的化學(xué)鍵，主要是Si-O鍵，使硅和玻璃間形成穩(wěn)固的封接。第71頁/共163頁72硅與玻璃鍵合示意圖第72頁/共163頁73

目前靜電鍵合理論認(rèn)為在界面處發(fā)生了如下的電化反應(yīng)：陽極硅面：Si＋2H2O=SiO2+4H++4eSi+O-Si-OH=Si-O-Si+h++e

玻璃表面：Na2O=2Na+0.5O2+2eN2O+H+=2Na++OH-陰極：玻璃表面：Na++e＝Na第73頁/共163頁74影響硅和玻璃鍵合的因素1.

鍵合材料的表面平整度2.

鍵合材料熱膨脹特性3.

鍵合溫度4.

鍵合工作電壓5.

電極形狀第74頁/共163頁75三.硅微機(jī)械加工實例微機(jī)械按加工方式可分為:體微機(jī)械和多晶硅表面微機(jī)械。體微機(jī)械的特點是：用刻蝕技術(shù)對硅進(jìn)行各項同性、異性挖槽。多晶硅表面微機(jī)械的特點是：用CVD法在硅表面外延多晶硅和淀積犧牲層。第75頁/共163頁763.1懸臂梁的制作懸臂梁的制作可分為體硅腐蝕和表面生長兩種。第76頁/共163頁77體硅腐蝕制作懸臂梁工藝流程圖硅襯底SiO2掩膜光刻膠光刻版生長SiO2掩膜第77頁/共163頁78硅襯底SiO2掩膜光刻膠光刻版第78頁/共163頁79懸臂梁光刻版第79頁/共163頁80硅襯底SiO2掩膜光刻膠光刻版腐蝕SiO2層第80頁/共163頁81硅襯底SiO2掩膜光刻膠光刻版各項同性腐蝕出懸臂梁第81頁/共163頁82硅襯底SiO2掩膜光刻膠光刻版去處SiO2掩膜第82頁/共163頁83體硅腐蝕加工懸臂梁結(jié)構(gòu)第83頁/共163頁84多晶硅表面加工懸臂梁流程圖第84頁/共163頁85硅襯底絕緣層多晶硅犧牲層生長絕緣層第85頁/共163頁86硅襯底絕緣層多晶硅犧牲層生長犧牲層第86頁/共163頁87硅襯底絕緣層多晶硅犧牲層第一次光刻：光刻錨點第87頁/共163頁88錨點光刻版圖第88頁/共163頁89硅襯底絕緣層多晶硅犧牲層濕法腐蝕出錨點位置第89頁/共163頁90硅襯底絕緣層多晶硅犧牲層第二次光刻：光刻墊子第90頁/共163頁91墊子光刻版圖第91頁/共163頁92硅襯底絕緣層多晶硅犧牲層腐蝕出墊子的位置第92頁/共163頁93硅襯底絕緣層多晶硅犧牲層LPCVD生長多晶硅第93頁/共163頁94懸臂梁光刻版圖第94頁/共163頁95硅襯底絕緣層多晶硅犧牲層第三次光刻：光刻懸臂梁圖形第95頁/共163頁96硅襯底絕緣層多晶硅犧牲層完整的懸臂梁拋面圖第96頁/共163頁973.2微閥制作微閥是一種執(zhí)行器。閥門開啟和關(guān)閉受控于信息處理單元。加工中要用到鍵合工藝。第97頁/共163頁98微閥制作工藝流程硅第98頁/共163頁99硅掩膜第99頁/共163頁100硅加熱電阻光刻版光刻膠第一次光刻：光刻腔體第100頁/共163頁101硅掩膜第101頁/共163頁102硅掩膜第102頁/共163頁103硅第103頁/共163頁104硅加熱電阻背面淀積金屬第104頁/共163頁105硅加熱電阻光刻版光刻膠第二次光刻：光刻加熱電阻圖形第105頁/共163頁106硅加熱電阻光刻膠第106頁/共163頁107硅加熱電阻刻蝕加熱電阻圖形第107頁/共163頁108硅加熱電阻掩膜第108頁/共163頁109硅加熱電阻掩膜光刻膠第三次光刻：光刻進(jìn)口第109頁/共163頁110硅加熱電阻掩膜第110頁/共163頁111硅加熱電阻掩膜第111頁/共163頁112硅加熱電阻掩膜微閥上半部加工完成第112頁/共163頁113硅掩膜第113頁/共163頁114硅掩膜光刻版第四次光刻：光刻閥門第114頁/共163頁115硅掩膜第115頁/共163頁116硅掩膜第116頁/共163頁117硅第117頁/共163頁118硅掩膜第118頁/共163頁119硅掩膜光刻版第五次光刻：光刻通道第119頁/共163頁120硅掩膜第120頁/共163頁121硅加熱電阻第121頁/共163頁122硅加熱電阻掩膜背部淀積第122頁/共163頁123硅掩膜光刻版第六次光刻：光刻出口第123頁/共163頁124硅掩膜第124頁/共163頁125硅掩膜第125頁/共163頁126硅第126頁/共163頁127硅加熱電阻硅硅鍵合INOUT第127頁/共163頁1283.3微馬達(dá)的制作微馬達(dá)是典型的有源微機(jī)械器件，馬達(dá)的轉(zhuǎn)動、轉(zhuǎn)動速度都受控于外電路。微馬達(dá)工藝復(fù)雜，要用到多層犧牲層和結(jié)構(gòu)層（structurallayer)。第128頁/共163頁1292＋1/2工藝制作馬達(dá)第129頁/共163頁130硅絕緣層第130頁/共163頁131硅絕緣層多晶硅第131頁/共163頁132P擴(kuò)散第132頁/共163頁133硅絕緣層多晶硅光刻膠第一次光刻：光刻導(dǎo)電盤第133頁/共163頁134硅絕緣層多晶硅?過程：導(dǎo)電盤淀積第