固體物理與半導(dǎo)體物理知到章節(jié)測(cè)試答案智慧樹(shù)2023年最新浙江大學(xué)第一章測(cè)試半導(dǎo)體電阻率的范圍通常為（）Ω·cm

參考答案:

****半導(dǎo)體的特性包括（）

參考答案:

溫度敏感性;光敏感性;雜質(zhì)敏感性隨著溫度升高，半導(dǎo)體的電阻率一定升高（）

參考答案:

錯(cuò)半導(dǎo)體材料的電阻率，跨越了非常大的范圍，使得我們能夠通過(guò)各種效應(yīng)來(lái)對(duì)它們進(jìn)行調(diào)制，比如，我們可以通過(guò)摻雜改變半導(dǎo)體的電阻率（）

參考答案:

對(duì)摩爾定律，是指單位面積的集成電路上晶體管數(shù)目，或者說(shuō)集成電路的集成度，每18個(gè)月要增加一倍。（）

參考答案:

對(duì)第二章測(cè)試半導(dǎo)體材料最常見(jiàn)的晶體結(jié)構(gòu)不包括（）

參考答案:

密堆積結(jié)構(gòu)描述晶體結(jié)構(gòu)的最小體積重復(fù)單元的是（）

參考答案:

原胞正四面體的對(duì)稱操作有（）個(gè)

參考答案:

24晶體結(jié)構(gòu)的基本特點(diǎn)不包括（）

參考答案:

單一性;各向異性各向異性不是晶體的基本特性之一。（）

參考答案:

錯(cuò)第三章測(cè)試每個(gè)布里淵區(qū)的體積均相等，都等于倒格子（）的體積。

參考答案:

原胞周期性邊界條件決定了電子的波矢K在第（）布里淵區(qū)內(nèi)可取值數(shù)量與晶體的初基元胞數(shù)N相等。

參考答案:

一布里淵區(qū)的特點(diǎn)不包括()

參考答案:

每個(gè)布里淵區(qū)的體積都不相等;晶體結(jié)構(gòu)的布喇菲格子雖然相同，但其布里淵區(qū)形狀卻不會(huì)相同對(duì)于一定的布喇菲晶格，基矢的選擇是不唯一的，但是對(duì)應(yīng)的倒格子空間是唯一的。（）

參考答案:

對(duì)存在布里淵區(qū)經(jīng)過(guò)任何的平移都無(wú)法移到第一布里淵區(qū)且與之重合。()

參考答案:

錯(cuò)第四章測(cè)試如果電子從價(jià)帶頂躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)波矢k不發(fā)生變化,則具有這種能帶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為（）

參考答案:

直接禁帶半導(dǎo)體固體能帶論的三個(gè)基本近似不包括（）

參考答案:

玻爾茲曼近似依照量子自由電子論，下列不是K空間中電子的等能面的是（）

參考答案:

拋物面;不規(guī)則曲面;橢球面硅材料的能帶結(jié)構(gòu)和鍺材料的能帶結(jié)構(gòu)相同。（）

參考答案:

錯(cuò)根據(jù)能帶理論，電子的能態(tài)密度隨能量變化的趨勢(shì)是隨能量增高而單調(diào)增大。（）

參考答案:

錯(cuò)第五章測(cè)試將特定的雜質(zhì)原子滲入硅材料中間的過(guò)程叫做（）

參考答案:

擴(kuò)散下列工藝屬于外延生長(zhǎng)技術(shù)的是（）

參考答案:

液相外延;離子束外延;CVD;分子束外延影響CZ直拉法的兩個(gè)主要參數(shù)是拉伸速率和晶體旋轉(zhuǎn)速率（）

參考答案:

對(duì)CVD是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝（）

參考答案:

對(duì)與擴(kuò)散相比，離子注入有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)，離子注入的工藝，是低溫工藝，可以獲得良好的摻雜層。（）

參考答案:

對(duì)第六章測(cè)試雜質(zhì)半導(dǎo)體，其電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，由（）決定。

參考答案:

溫度和禁帶寬度關(guān)于空穴，下列說(shuō)法正確的是（）

參考答案:

空穴帶正電荷;半導(dǎo)體中電子空穴共同參與導(dǎo)電;空穴具有正的有效質(zhì)量關(guān)于本征半導(dǎo)體，下列說(shuō)法中正確的是（）

參考答案:

本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)E=E基本位于禁帶中線處;本征半導(dǎo)體不含有任何雜質(zhì)和缺陷;本征半導(dǎo)體的電中性條件是qn=qp費(fèi)米分布函數(shù)不適用于簡(jiǎn)并的電子系統(tǒng)。（）

參考答案:

錯(cuò)將Si摻雜入GaAs中，Si取代Ga則起受主雜質(zhì)作用，若Si取As則起施主雜質(zhì)作用。（）

參考答案:

錯(cuò)第七章測(cè)試以長(zhǎng)聲學(xué)波為主要散射機(jī)構(gòu)時(shí)，電子遷移率μ與溫度的-3/2次方的關(guān)系為（）

參考答案:

成正比反映有濃度梯度時(shí)載流子運(yùn)動(dòng)難易程度的物理量（）

參考答案:

擴(kuò)散系數(shù)由于載流子在一定（）的作用下而產(chǎn)生電流是漂移電流。

參考答案:

電場(chǎng)力總電流密度是以下哪幾項(xiàng)之和（）

參考答案:

空穴漂移電流;電子擴(kuò)散電流;電子漂移電流;空穴擴(kuò)散電流愛(ài)因斯坦關(guān)系式是描述遷移率和擴(kuò)散系數(shù)的關(guān)系式。（）

參考答案:

對(duì)第八章測(cè)試非平衡載流子的復(fù)合率定義為單位時(shí)間單位體積凈復(fù)合消失的電子-空穴對(duì)數(shù)。下面表達(dá)式中不等于復(fù)合率的（）

參考答案:

****直接復(fù)合時(shí)，小注入的小注入的N型半導(dǎo)體的非平衡載流子壽命決定于（）

參考答案:

****半導(dǎo)體中的載流子復(fù)合的途徑，不包括（）

參考答案:

通過(guò)價(jià)帶內(nèi)的復(fù)合中心進(jìn)行復(fù)合;帶間電子-空穴間接復(fù)合導(dǎo)帶中的電子越過(guò)禁帶躍遷到價(jià)帶,與價(jià)帶中的空穴復(fù)合，這樣的復(fù)合過(guò)程稱為間接復(fù)合。（）

參考答案:

錯(cuò)非平衡載流子通過(guò)復(fù)合作用產(chǎn)生。（）

參考答案:

錯(cuò)第九章測(cè)試關(guān)于pn結(jié)，下列說(shuō)法中不正確的是（）

參考答案:

平衡時(shí)，pn結(jié)空間電荷區(qū)中正電荷區(qū)和負(fù)電荷區(qū)的寬度一定相等金屬與P型半導(dǎo)體形成阻擋層，其功函數(shù)需滿足（）

參考答案:

Wm＜Ws金屬和半導(dǎo)體接觸分包括：（）

參考