YB6500高速多用途半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于航天、航空、兵器、中船、電子多個(gè)領(lǐng)域，以產(chǎn)品性?xún)r(jià)比好、可測(cè)器件和參數(shù)齊全、測(cè)試精度高、速度快、保護(hù)性強(qiáng)、穩(wěn)定性可靠性高、故障率極低、軟件豐富、操作使用方便、售后服務(wù)為宗旨。1、電學(xué)指標(biāo)A-K極間加壓范圍：±2.500mV--2000VA-K極間測(cè)流范圍：土1nA--49.90AA-K極間加流范圍：±100nA--49.90AA-K極間測(cè)壓范圍：±2.500mV--2000VG-K極間加壓范圍：±2.500mV--20VG-K極間測(cè)流范圍：±1nA--10AG-K極間加流范圍：±100nA--10AG-K極間測(cè)壓范圍：±2.500mV--20V最大電壓分辨率：1mV最大電流分辨率：1nAA-K極間加/測(cè)壓精度：1%+10mVA-K極間加/測(cè)流精度：1%+10nA+20pA/VG-K極間加/測(cè)壓精度：1%+5mVG-K極間加/測(cè)流精度：1%+10nA+20pA/V電參數(shù)測(cè)試重復(fù)性：1%2、可測(cè)試器件（DUT）種類(lèi)共計(jì)19大類(lèi)，27分類(lèi)分立器件。序號(hào)類(lèi)型名稱(chēng)符號(hào)1二極管DIODE2穩(wěn)壓（齊納）二極管ZENER3品體管TRANSISTOR(NPN/PNP)4單向可控硅（普通品閘管）SCR5雙向可控硅（雙向品閘管）TRIAC6金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET(N-CH/P-CH)7結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管J-FET(N-CH/P-CH)8絕緣柵雙極大功率晶體管IGBT(N-CH/P-CH)9達(dá)林頓陣列器件DARLINGTON10*光電耦合器OPTO-COUPLER(NPN/PNP)11*光電邏輯器件OPTO-LOGIC12*光電開(kāi)關(guān)管OPTO-SWITCH13*固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器SSOVP14*硅觸發(fā)開(kāi)關(guān)STS，SBS15*繼電器RELAY（A，B，C型）16*金屬氧化物壓變電阻MOV17*壓變電阻VARISTOR18*雙向觸發(fā)二極管DIAC19*三端穩(wěn)壓器REGULATOR*需要另行定制專(zhuān)門(mén)的測(cè)試適配器和測(cè)試夾具。1）、二極管DIODEIR；BVR；VF2）、晶體管TRANSISTORICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEV；IEBO；BVCEO（電流大于10mA，脈沖寬度300us）；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBE（VBEON）；RE（間接參數(shù)）；3）、J型場(chǎng)效應(yīng)管J-FETIGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；IDSON；RDSON；GFS；VGSOFF4）、MOS場(chǎng)效應(yīng)管MOS-FETIDSS；IDSV；IGSSF；IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF（VSD）IDON；VGSON；RDSON；GFS5）、雙向可控硅開(kāi)關(guān)器件（雙向晶閘管）TRIACIDRM；IRRM；IGKO；；VD+；VD-；BVGKO；VT+；VT-；IGT；VGT；IL+；IL-；IH+；IH-6）、單向可控硅整流器（普通晶閘管）SCRIDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH7）、絕緣柵雙極大功率晶體管IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS8）、硅觸發(fā)可控硅STSIH+；IH-；VSW+；VSW-；VPK+；VPK-；VGSW+；VGSW-9）、達(dá)林頓陣列DARLINTONICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON10）、光電耦合器件OPTO-COUPLERICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；；CTR；hFE；VCESAT；VSAT；VF（Opto-Diode）11）、穩(wěn)壓二極管、齊納二極管ZENERIR；BVZ；VzMIN；IR；VF；ZZ12）、三端電源穩(wěn)壓器件REGULATORVoInput；Output；IIN；13）、光電開(kāi)關(guān)管OPTO-SWITCHICOFF；VD；IGT；VON；ION；IOFF14）、光電邏輯器件測(cè)OPTO-LOGICIR；VF；VOH；VOL；IFON；IFOFF；ITH+B；ITH-B；ITH+I；ITH-I；15）、金屬氧化物壓變電阻MOVID+ID-；VN+；VN-；VC+；VC-16）、固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器SSOVPID+ID-；VCLAMP+,VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+IBO-；VBO+VBO-；VZ+VZ-；VT+VT-；3、技術(shù)特征該系統(tǒng)產(chǎn)品為供方引進(jìn)的合作技術(shù)項(xiàng)目，功率電源等方面采用新的航天技術(shù)做了改進(jìn)，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)同于進(jìn)口產(chǎn)品，測(cè)試穩(wěn)定性、可靠性高于進(jìn)口產(chǎn)品，故障率明顯低于進(jìn)口產(chǎn)品。代表了目前國(guó)際先進(jìn)技術(shù)水平。具有下面特征：*采用嵌入式計(jì)算機(jī)，運(yùn)行速度快，擴(kuò)展能力強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)脫機(jī)運(yùn)行；*采用高速16位并行D/A、A/D和專(zhuān)用并行內(nèi)部總線技術(shù)設(shè)計(jì)，速度快、穩(wěn)定性高；*采用脈沖法測(cè)試參數(shù)、脈寬可為300MS，占空比可達(dá)1/3000以上;*采用多級(jí)開(kāi)爾文技術(shù)，系統(tǒng)穩(wěn)定性高，測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確，重復(fù)性好；*在線系統(tǒng)狀態(tài)、測(cè)試結(jié)果、故障定位顯示功能，使得使用方便簡(jiǎn)單；*完整的系統(tǒng)自檢、校準(zhǔn)能力，10分鐘將系統(tǒng)故障定位到元件級(jí)，30分鐘完成系統(tǒng)精度檢測(cè)；*完整的軟、硬件升級(jí)/擴(kuò)展功能；*DUT引腿接觸性測(cè)試、加壓限流能力、A-K短路保護(hù)、過(guò)壓/過(guò)流保護(hù)能力，保證了系統(tǒng)安全，有效防止DUT損傷；*關(guān)鍵元器件均采用進(jìn)口原裝，精密電阻采用國(guó)產(chǎn)軍級(jí)，全部采用進(jìn)口裝濕型繼電器，裝焊工藝現(xiàn)已采用航天工藝線代工，保證系統(tǒng)可靠性高于進(jìn)口產(chǎn)品；*二極管極性自動(dòng)判別功能，不需人工關(guān)注極性，提高操作速度，減少失誤；*填表式編程，3分鐘內(nèi)即可完成一個(gè)新器件編程；*混合參數(shù)編程方式，使電參數(shù)測(cè)試編程不受器件類(lèi)別的限制，支持技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)分析編程；*單參數(shù)測(cè)試延時(shí)功能，用戶(hù)可根據(jù)需要選擇參數(shù)測(cè)試延遲時(shí)間，增加參數(shù)測(cè)試穩(wěn)定性；*提供系統(tǒng)內(nèi)部流性負(fù)載、阻性負(fù)載選擇和外部負(fù)載接口，最大極限地滿(mǎn)足測(cè)試需求；*計(jì)算步功能，允許將任意測(cè)試程序步的測(cè)試結(jié)果列式計(jì)算，形成新的參數(shù)，方便新參數(shù)定義；*分類(lèi)、分檔功能，以便通過(guò)編程確定DUT的同異性，測(cè)試后自動(dòng)分類(lèi)、分檔、配對(duì)等，提高DUT使用價(jià)值；*單步測(cè)試功能，用于對(duì)單個(gè)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，同時(shí)將測(cè)試結(jié)果值在前面板上顯示，方便在線分析；*完整的其它后測(cè)試處理能力；*所有測(cè)試夾具進(jìn)行了誤差補(bǔ)償和噪聲抑制