暨南大學本科驗報告用紙

析CAI

一節(jié)

驗專業(yè)年12512日上午溫℃一、實驗目1.測試一階RC動態(tài)電路的零輸入響應、零狀態(tài)響應及全響應。2.測試分析二階動態(tài)電路時間常數(shù)的測量方法。二、實環(huán)境1.聯(lián)想微機，windowsXP，Microsoftoffice，2.電路仿真設計工具Multisim10三、實原理1.電路中某時刻的電感電流和電容電壓稱為該時刻的電路狀態(tài)。電感的初始電流IL（0）和電容電壓Uc（0）稱為電路的初始狀態(tài)。2.在零初始狀態(tài)時僅由在t0時刻僅由外加激勵引起的響應稱為零狀態(tài)響應，它取決于外加激勵和電路特性，這種響應是由零開始隨時間按指數(shù)規(guī)律增長的。3.在沒有外加激勵時零時刻的非零初始狀態(tài)引起的響應稱為零輸入響應稱為，它取決于初始狀態(tài)和電路特性（通過時間常數(shù)=RC來體現(xiàn)），這種響應時隨時間按指數(shù)規(guī)律衰減的。4.當一個非零初始狀態(tài)的一階電路受到激勵時，電路產(chǎn)生的響應稱為全響應。四、實內(nèi)容與步驟在Multisim10中搭建RC充、放電仿真實驗電路，如圖（1）所示。（1）RC充電（零狀態(tài)響應）打開存盤的RC充、放電仿真實驗電路，打擊開關的控制鍵A，選擇工作在充電狀態(tài)，打擊“Simulate/Analayses/TransientAnalusis...按鈕，將彈出的參數(shù)選項設定如圖2）。單擊“單按鈕，即可得到零狀態(tài)響應曲線，如圖（3）。精選資料，歡迎下載

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(附頁)（2）RC放電（零輸入響應）打開存盤的RC充、放電仿真實驗電路，打擊開關的控制鍵A，選擇工作在放電狀態(tài)并將電容初始電壓設定為10V，單擊“Simulate/Analayses/TransientAnalusis...按鈕，將參數(shù)設置為：初始條件—Userdefined，Starttime—0，Endtime—0.1Sec在Output項設定輸出節(jié)點為V[2]。單擊“單擊Simulate”按鈕，即可得到零狀態(tài)響應曲線。（3）一階RC電路的全響應在Multisim10中搭建一階RC全響應實驗電路如圖5）所示。雙擊電路中的信號發(fā)生器圖標，在彈出的參數(shù)匡中如下設定：選擇方波信號并設定其頻率為25HZ、占空間比為50%、幅值為10V如圖（）所示。打開仿真開關即可得到如圖（7）所示的方波信號和電容電壓全響應波形。(4)保持電源和R參數(shù)不變，改變C參數(shù)，使其分別為＝2.4μF和C＝100nF參照實驗以上內(nèi)容仿真測試方法，對參數(shù)改變后的電路進行相同仿真測試。將三次測試結(jié)果整理記錄算并對照不同參數(shù)電路的時間常數(shù)結(jié)分析比較電路電路參數(shù)變化后對電路特性影響規(guī)律。精選資料，歡迎下載

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(附頁)(五)實驗果分析1.誤差分析驗中測出的電容電壓曲線并不精準開始值和最大值就和理論值有偏差，原因、作圖取點少、電容不能完全放完電，或充電時不能在短時間內(nèi)充到和外接電壓相等。2.零響應中電容電壓按指數(shù)形式增長應中按指數(shù)形式減少。3.三個實驗的時間常數(shù)計算：4.由計算可知路電容的C值的增大容的時間常數(shù)越大容電壓隨著電容C值的增大，電容充電越慢。（六）驗總結(jié)（）性動態(tài)電路的完全響應為零輸入響應和零狀態(tài)響應之和。（2）增加電容C，就增加了電容的充電（放電）過程的時間。若在其它參數(shù)不變情況下，增加電容外接R，就會增加電容的充電（放電）過程的時間。