載流子的漂移擴(kuò)散愛因斯坦關(guān)系式演示文稿_第1頁
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載流子的漂移擴(kuò)散愛因斯坦關(guān)系式演示文稿目前一頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)優(yōu)選載流子的漂移擴(kuò)散愛因斯坦關(guān)系式目前二頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)若半導(dǎo)體中非平衡載流子濃度不均勻,同時(shí)又有外加電場的作用,載流子要同時(shí)做

半導(dǎo)體總的電流擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散電流漂移電流1、載流子的漂移運(yùn)動(dòng)目前三頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)外加電場,電子漂移電流密度為

(5-109)空穴漂移電流密度為

漂移電流:電子、空穴電流都與電流方向一致除了平衡載流子以外,非平衡載流子對漂移電流有貢獻(xiàn)。(5-110)目前四頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)圖示n型的均勻半導(dǎo)體,x方向加一均勻電場,表面處光注入非平衡載流子。目前五頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)少數(shù)載流子空穴電流密度為

電子電流密度為

(5-111)(5-112)目前六頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)

通過對非平衡載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的討論,明顯看出,遷移率是反映載流子在電場作用下運(yùn)動(dòng)難易程度物理量,而擴(kuò)散系數(shù)反映存在濃度梯度時(shí)載流子運(yùn)動(dòng)難易程度。?擴(kuò)散系數(shù)遷移率目前七頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)2、愛因斯坦關(guān)系(n型半導(dǎo)體為例)2.1濃度梯度引起內(nèi)建電場熱平衡狀態(tài)摻雜不均勻的n型半導(dǎo)體n0(x)梯度引起擴(kuò)散電流電中性條件被破壞,引起內(nèi)建電場考慮漂移電流n=n0(x)目前八頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)(5-113)(5-114)(5-116)(5-115)電子(空穴)擴(kuò)散電流密度電子(空穴)漂移電流密度電子(空穴)漂移電流密度目前九頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)平衡時(shí),不存在宏觀電流,因此電場的方向必然使反抗擴(kuò)散電流,是平衡時(shí)電子的總電流和空穴的總電流分別為0。(5-117)(5-118)(5-119)目前十頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)注意:當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)部出現(xiàn)電場時(shí),半導(dǎo)體內(nèi)各處電勢不相等,是x函數(shù),寫為V(x),則

(5-120)在考慮電子能量時(shí),必須計(jì)入附加的靜電勢能(-qV(x))。目前十一頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)對于非簡并半導(dǎo)體,導(dǎo)帶底的能量是變化的EC(x)=EC(0)+(-q)V(x)電子的濃度(5-121)目前十二頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)求導(dǎo)得(5-122)將(5-120)(5-122)代入(5-119)得到得到(5-123)目前十三頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)非簡并情況下,愛因斯坦關(guān)系式注:雖然D,μ的關(guān)系是針對平衡載流子推導(dǎo)出來的,但實(shí)驗(yàn)證明對非平衡載流子同樣成立,因?yàn)閯偧ぐl(fā)的非平衡載流子雖具有和平衡時(shí)的載流子不同的速度和能量,但由于晶格的作用,在比壽命短的多的時(shí)間內(nèi)就達(dá)到了平衡。目前十四頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)歸納:1、該關(guān)系適合于平衡,非平衡非簡并情況;2、非均勻載流子濃度會(huì)引起擴(kuò)散;3、由于載流子的擴(kuò)散會(huì)導(dǎo)致自建場;4、有電場存在則能帶發(fā)生變化;5、非簡并情況下目前十五頁\總數(shù)十七頁\編于十三點(diǎn)

由愛因斯坦關(guān)系式,已知的遷移率數(shù)據(jù),可以得到擴(kuò)散系數(shù)。k0T/q=(1/40)V,Si:μn=1400cm2/(V·s),μp=500cm2/(V·s)Dn=35cm2/s,Dp=13cm2/s。Ge:μn=3900cm2/(V·s),μp=1900cm2/(V·s)Dn=

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