PAGEPAGE1畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）基于Multisim的調(diào)頻通信系統(tǒng)仿真專業(yè)年級(jí)電氣工程及其自動(dòng)化2013級(jí)學(xué)號(hào)姓名指導(dǎo)教師評(píng)閱人2017年3月中國(guó)馬鞍山河海大學(xué)文天學(xué)院本科畢業(yè)論文PAGE42鄭重聲明本人呈交的畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文），是在指導(dǎo)老師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果，所有數(shù)據(jù)、圖片資料真實(shí)可靠。盡我所知，除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本設(shè)計(jì)（論文）的研究成果不包含他人享有著作權(quán)的內(nèi)容。對(duì)本設(shè)計(jì)（論文）所涉及的研究工作做出貢獻(xiàn)的其他個(gè)人和集體，均已在文中以明確的方式標(biāo)明。本設(shè)計(jì)（論文）的知識(shí)產(chǎn)權(quán)歸屬于培養(yǎng)單位。本人簽名：日期：摘要調(diào)制和解調(diào)是通信技術(shù)的核心。鑒于Multisim分析高頻電路的優(yōu)點(diǎn),在深入分析雙邊帶幅度調(diào)制和解調(diào)的基礎(chǔ)上,本文在Multisim環(huán)境下建立了一個(gè)通信系統(tǒng)模型。通信系統(tǒng)模型利用磁場(chǎng)感應(yīng),采用變壓器模塊實(shí)現(xiàn)天線的收發(fā)功能;采用放大器對(duì)解調(diào)信號(hào)進(jìn)行放大,實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的再現(xiàn);利用Multisim提供的示波器模塊和頻譜分析模塊,分別對(duì)調(diào)幅波和解調(diào)波進(jìn)行了波形和頻譜分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Multisim在高頻電路仿真中具有快速、準(zhǔn)確、靈活等優(yōu)點(diǎn)。

關(guān)鍵詞：Multisim;調(diào)制;解調(diào);頻譜分析;ABSTRACTthemodulationanddemodulationisthecoreofthecommunicationtechnology.GivenMultisimanalysisoftheadvantagesofhighfrequencycircuit,inthethoroughanalysisonthebasisofdoublesidebandamplitudemodulationanddemodulation,thispaperestablishedacommunicationsysteminMultisimenvironmentmodel.Communicationsystemmodelusingmagneticfieldinduction,antennaisrealizedbyusingtransformermoduletosendandreceivefunction;Usingthedemodulationsignalamplifieramplification,realizetotherepresentationoftheinputsignal;UsingtheMultisimprovideoscilloscopeandspectrumanalysismodule,respectivelyforamplitudemodulationanddemodulationwavewaveformandspectrumanalysis.TheexperimentalresultsshowthattheMultisiminhighfrequencycircuitsimulationhastheadvantagesofrapid,accurateandflexible.Keywords:Modulation;Demodulation;Spectrumanalysis目錄摘要 IABSTRACT II目錄 III第一章概論 41.1研究背景 41.2調(diào)頻通信發(fā)展歷史及現(xiàn)狀 4第二章調(diào)頻通信的原理介紹 52.1調(diào)頻通信的基本工作原理 52.1.1調(diào)頻通信的電路原理框圖 52.1.2調(diào)頻通信的基本原理 52.2.調(diào)頻通信的問(wèn)題解決方案 62.3.開(kāi)發(fā)平臺(tái)簡(jiǎn)介 7第三章振幅調(diào)制電路仿真 113.1模擬乘法器普通調(diào)幅（AM）仿真 113.2

反饋電路的基本類型與選擇 123.2.1浪涌電流的抑制 123.2.2熱敏電阻技術(shù)分析 133.3控制電路的選擇 173.3.1單片機(jī)控制電路分析 173.3.2芯片控制電路分析 173.4

電流工作模式的方案選擇 183.4.1電流連續(xù)模式分析 183.4.3倍壓整流技術(shù) 19第四章硬件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn) 204.1采用EMI 204.1.1

EMI電源濾波器基本原理 204.2輸入濾波、整流電路原理 214.3高頻變壓器的設(shè)計(jì) 214.3.1磁芯材料的選擇 224.3.2磁芯結(jié)構(gòu)的選擇 234.3.3變壓器線圈參數(shù)的計(jì)算 254.45V/4A穩(wěn)壓輸出的設(shè)計(jì) 294.512V/1A集成電路的輸出設(shè)計(jì) 294.6反饋電路設(shè)計(jì) 29第五章結(jié)論與展望 37致謝 38

第一章概論1.1研究背景

“頻率調(diào)制”，英文名稱：frequencymodulation。是一種使載波的瞬時(shí)頻率按照所需傳遞信號(hào)的變化規(guī)律而變化的調(diào)制方法。實(shí)現(xiàn)這種調(diào)制方法的電路稱調(diào)頻器，廣泛用于調(diào)頻廣播、電視伴音、微波通信、鎖相電路和掃頻儀等方面。對(duì)調(diào)頻器的基本要求是調(diào)頻頻移大、調(diào)頻特性好、寄生調(diào)幅小。由調(diào)頻方法產(chǎn)生的無(wú)線電波叫調(diào)頻波，其基本特征是載波的振蕩幅度保持不變，振蕩頻率隨調(diào)制信號(hào)而變。在平時(shí)，干擾信號(hào)總是疊加在信號(hào)上，改變信號(hào)的幅值。調(diào)頻波在受到干擾后幅度上也會(huì)有改變，在接收端也可以用限幅器將信號(hào)幅度上的改變抹去，因此調(diào)頻波的抗干擾性特別好，所以一般用收音機(jī)接收調(diào)頻廣播，基本上聽(tīng)不到什么雜音。已調(diào)波頻率變化的大小取決于調(diào)制信號(hào)的大小，變化的周期取決于調(diào)制信號(hào)的頻率；但是已調(diào)波的振幅卻保持不變?？梢园颜{(diào)頻波的波形比作是一個(gè)被壓縮得不均勻的彈簧，載波的瞬時(shí)頻率根據(jù)調(diào)制信號(hào)的變化而變，但不變的是振幅的調(diào)制方式。載波經(jīng)過(guò)調(diào)頻后變成調(diào)頻波。用調(diào)頻波傳輸信號(hào)能夠避免幅度干擾的影響從而提高通信質(zhì)量。1.2發(fā)展歷史及現(xiàn)狀

EdwinH.Armstrong是無(wú)線廣播技術(shù)的發(fā)展先驅(qū)之一，他在1918和1933年發(fā)明了超外差無(wú)線接收機(jī)（Superheterodyneradioreceiver）和調(diào)頻技術(shù)（frequencymodulation），這兩項(xiàng)發(fā)明和他在1912年的再生電路技術(shù)已成為當(dāng)代無(wú)線電子的知識(shí)基礎(chǔ)。美國(guó)的調(diào)頻電臺(tái)廣播頻率為88-108MHz，頻道帶寬200kHz。調(diào)頻收音機(jī)在1940年問(wèn)世時(shí)僅支持單聲道。立體聲則到1960年才出現(xiàn)，內(nèi)容包括MPX多路信號(hào)以及立體/單聲道混合(stereo-monoblending)與軟靜音(softmute)等噪聲消除技術(shù)。頻率調(diào)制（FM）在當(dāng)時(shí)的電子音樂(lè)合成技術(shù)中，是最有效的合成技術(shù)之一，頻率調(diào)制是最早由美國(guó)斯坦福大學(xué)約翰.卓寧（JohnChowning）提出。在20世紀(jì)60年代，約翰.卓寧在大學(xué)里開(kāi)始嘗試各種不同的顫音，一天他發(fā)現(xiàn)當(dāng)調(diào)制信號(hào)的頻率增加并超過(guò)某個(gè)點(diǎn)的時(shí)候，顫音效果居然在調(diào)制過(guò)的聲音里消失了，出現(xiàn)了一個(gè)新的且更復(fù)雜的聲音。FM電臺(tái)在1933年獲得專利，近一個(gè)世紀(jì)中錄制和分享人類社會(huì)發(fā)展中的一個(gè)個(gè)重要瞬間。FM最常用于廣播和電視。事實(shí)上工作在88MHZ到108MHZ的FM廣播就是使用FM調(diào)制方式傳播音頻型號(hào)。每個(gè)廣播電臺(tái)可以使用寬度為38KHZ的頻帶進(jìn)行音頻廣播。模擬電視也使用的FM調(diào)制。0-72頻道的電視臺(tái)使用了54MHZ到825MHZ的不同頻帶。這些頻帶將用于各種技術(shù)，其中也包括FM廣播。Radio.no網(wǎng)站報(bào)道稱數(shù)字音頻廣播將為挪威聽(tīng)眾提供與過(guò)去相比更富有多樣性的電臺(tái)節(jié)目。在挪威，全國(guó)性數(shù)字音頻廣播頻道已經(jīng)有22個(gè)，相比之下，全國(guó)性FM電臺(tái)只有5個(gè)。著名調(diào)查機(jī)構(gòu)蓋洛普進(jìn)行的一項(xiàng)調(diào)查發(fā)現(xiàn)56%的挪威聽(tīng)眾每天收聽(tīng)數(shù)字電臺(tái)播放的節(jié)目。挪威是世界上第一個(gè)制定FM電臺(tái)停播時(shí)間表的國(guó)家，歐洲和東南亞國(guó)家也正向數(shù)字音頻廣播過(guò)渡。然而屬于頻率調(diào)制的時(shí)代正在走向沒(méi)落。2015年4月，挪威宣布2017年將徹底關(guān)閉FM廣播，挪威將成為全世界第一個(gè)全面切換到數(shù)字廣播的國(guó)家。

第二章：調(diào)頻通信的原理介紹2.1調(diào)頻的基本工作原理2.1.1無(wú)線通信系統(tǒng)的基本組成2.1.2調(diào)頻通信的基本原理

調(diào)頻的基本工作原理：音頻信號(hào)的改變往往是周期性的，一個(gè)最容易理解音頻調(diào)制技術(shù)的范例是小提琴和揉弦，揉弦通過(guò)手指和手腕在琴弦上快速顫動(dòng)，使琴弦的長(zhǎng)度發(fā)生快速變化，從而最終影響小提琴聲音的柔和度。與“FM無(wú)線電波”相同，“FM合成理論”同樣也有著發(fā)音體（載體）和調(diào)制體兩個(gè)元素。發(fā)音體或稱載波體，是實(shí)際發(fā)出聲音的頻率振蕩器；調(diào)制體或稱調(diào)制器，負(fù)責(zé)調(diào)整變化載波所產(chǎn)生出來(lái)的聲音。載波頻率、調(diào)制體頻率以及調(diào)制數(shù)值大小，是影響FM合成理論的重要因素。未加調(diào)制信號(hào)電壓時(shí)調(diào)頻波頻率等于載波頻率f0，f0稱調(diào)頻波的中心頻率或平均頻率。當(dāng)調(diào)制信號(hào)處于正半周時(shí)，調(diào)頻波的頻率隨調(diào)制信號(hào)瞬時(shí)值的增大而成正比增加，其頻率大于f0。調(diào)制信號(hào)電壓達(dá)到正峰值時(shí)，調(diào)頻波的瞬時(shí)頻率達(dá)到最大值fmax，fmax與f0的差值Δf叫調(diào)頻波的頻偏或頻移。調(diào)制信號(hào)處于負(fù)半周時(shí)，調(diào)頻波的瞬時(shí)頻率小于f0。調(diào)頻波是一種瞬時(shí)頻率與調(diào)制信號(hào)電壓的瞬時(shí)值成正比變化的等幅波，頻偏僅與調(diào)制信號(hào)電壓的振幅成正比關(guān)系，而與調(diào)制信號(hào)的頻率無(wú)關(guān)。調(diào)頻波的圖像類似于一個(gè)疏密不勻的彈簧，其疏密程度與調(diào)制信號(hào)的幅度成正比，疏密變化的速度則與調(diào)制信號(hào)的頻率成正比。因此，在頻率調(diào)制過(guò)程中，我們可以發(fā)現(xiàn)：1.調(diào)制體的頻率影響載波體的頻率的速度變化。2.調(diào)制體的振幅影響載波頻率的深度變化。3.調(diào)制體的波形（或音色）影響載波頻率的波形變化。4.載波體的振幅在頻率調(diào)制過(guò)程中保持不變。2.1.2.調(diào)頻通信的問(wèn)題解決方案為了解決無(wú)線通信系統(tǒng)中存在的問(wèn)題，發(fā)射機(jī)和接收機(jī)借助線性和非線性電子線路對(duì)攜有信息的電信號(hào)進(jìn)行變換和處理。除放大外，最主要有調(diào)制、解調(diào)。.調(diào)制：由攜有信息的電信號(hào)去控制高頻振蕩信號(hào)的某一參數(shù)，使該參數(shù)按照電信號(hào)的規(guī)律而變化。調(diào)制信號(hào)：攜有信息的電信號(hào)。載波信號(hào)：未調(diào)制的高頻振蕩信號(hào)。已調(diào)波：經(jīng)過(guò)調(diào)制后的高頻振蕩信號(hào)。調(diào)幅、調(diào)角（調(diào)頻、調(diào)相）。2.解調(diào)：調(diào)制的逆過(guò)程，將已調(diào)波轉(zhuǎn)換為載有信息的電信號(hào)。3.調(diào)制的作用：（1）顯著減小天線的尺寸；(聲音30～3000Hz，天線要幾百km)；如果天線高度為輻射信號(hào)波長(zhǎng)的四分之一，更便于發(fā)揮天線的輻射能力。于是分配民用廣播的頻段為535-1605KHz（中頻段），對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)為187-560m，天線需要幾十米到上百米；而移動(dòng)通信手機(jī)天線只不過(guò)10cm，它使用了900MHz頻段。這些廣播與移動(dòng)通信都必須進(jìn)行某種調(diào)制，而將話音或編碼基帶頻譜搬移到應(yīng)用頻段。（2）將不同電臺(tái)發(fā)送的信息分配到不同頻率的載波信號(hào)上，使接收機(jī)可選擇特定電臺(tái)的信息而抑制其它電臺(tái)發(fā)送的信息和各種干擾。在無(wú)線通信系統(tǒng)中，發(fā)射機(jī)組成包括以下幾個(gè)部分：（1）振蕩器：產(chǎn)生fosc的高頻振蕩信號(hào)，幾十kHz以上。（2）高頻放大器（倍頻器）：一或多級(jí)小信號(hào)諧振放大器，放大振蕩信號(hào)，使頻率倍增至fc，并提供足夠大的載波功率。（3）低頻放大器：多級(jí)放大器組成，前幾級(jí)為小信號(hào)放大器，用于放大微音器的電信號(hào)；后幾級(jí)為功放，提供功率足夠的調(diào)制信號(hào)。（4）高頻功放及調(diào)幅器：實(shí)現(xiàn)調(diào)幅功能，將輸入的載波信號(hào)和調(diào)制信號(hào)變換為所需的調(diào)幅波信號(hào)，并加到天線上。2.3開(kāi)發(fā)平臺(tái)簡(jiǎn)介隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，計(jì)算機(jī)技術(shù)在電子電路設(shè)計(jì)中發(fā)揮著越來(lái)越大的作用。電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)手段由傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法和簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）逐步被EDA（ElectronicDesignAutomation）技術(shù)所取代。EDA技術(shù)主要包括電路設(shè)計(jì)，電路仿真和系統(tǒng)分析三個(gè)方面的內(nèi)容，其設(shè)計(jì)過(guò)程的大部分工作都是由計(jì)算機(jī)完成的。這種先進(jìn)的方法已經(jīng)成為當(dāng)前學(xué)習(xí)電子技術(shù)的重要輔助手段，更代表著現(xiàn)在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的時(shí)代潮流。EDA就是“ElectronicDesignAutomation”的縮寫(xiě)技術(shù)已經(jīng)在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。發(fā)達(dá)國(guó)家目前已經(jīng)基本上不存在電子產(chǎn)品的手工設(shè)計(jì)。一臺(tái)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過(guò)程，從概念的確立，到包括電路原理、PCB版圖、單片機(jī)程序、機(jī)內(nèi)結(jié)構(gòu)、FPGA的構(gòu)建及仿真、外觀界面、熱穩(wěn)定分析、電磁兼容分析在內(nèi)的物理級(jí)設(shè)計(jì)，再到PCB鉆孔圖、自動(dòng)貼片、焊膏漏印、元器件清單、總裝配圖等生產(chǎn)所需資料等等全部在計(jì)算機(jī)上完成。EDA技術(shù)借助計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)量大、運(yùn)行速度快的特點(diǎn)，可對(duì)設(shè)計(jì)方案進(jìn)行人工難以完成的模擬評(píng)估、設(shè)計(jì)檢驗(yàn)、設(shè)計(jì)優(yōu)化和數(shù)據(jù)處理等工作。2012年3月，美國(guó)NI公司又推出了最新的NICircuitDesignSuite12軟件，Multisim12.0專業(yè)版基于工業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)SPICE仿真，以獲得最優(yōu)化的利用。使用Multisim仿真工具，工程師可以將發(fā)生錯(cuò)誤和原型返工的概率最小化，從而提高性能以適合他們的應(yīng)用。同時(shí)，Multisim12與LabVIEW前所未有的緊密集成可實(shí)現(xiàn)模擬和數(shù)字協(xié)同仿真并增強(qiáng)了可用性，其數(shù)量眾多的元器件數(shù)據(jù)庫(kù)，標(biāo)準(zhǔn)化的仿真儀器，直觀的捕獲界面，更加簡(jiǎn)潔明了的操作，強(qiáng)大的分析測(cè)試能力，可信的測(cè)試結(jié)果，將虛擬儀器技術(shù)的靈活性擴(kuò)展到電子設(shè)計(jì)者的工作平臺(tái)上，彌補(bǔ)了測(cè)試與功能之間的缺口，縮短了產(chǎn)品研發(fā)周期，提高了電子實(shí)驗(yàn)教學(xué)和電路設(shè)計(jì)的效率。Multisim12是一種較新的，基于Spice的電路仿真軟件，該軟件采用圖形操作界面虛擬仿真了一個(gè)與實(shí)際情況非常相似的電子電路試驗(yàn)工作臺(tái)，人機(jī)界面友好，易于使用和操作，具有顯著優(yōu)勢(shì)，幾乎可以完成在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行的所以的電子線路實(shí)驗(yàn)。并且Multisim12設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)可以同步進(jìn)行，可以邊設(shè)計(jì)邊實(shí)驗(yàn)，直觀易學(xué)，使用方便，成本低，速度快,效率高,有利于綜合應(yīng)用能力和創(chuàng)新能力的培養(yǎng)，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)外的教育界和電子技術(shù)界以及電子線路分析，設(shè)計(jì)，仿真等工作，是世界上最為流行的EDA軟件之一。Multisim虛擬仿真軟件作為電路設(shè)計(jì)驗(yàn)證和輔助調(diào)試的有效工具以及先進(jìn)的電化教學(xué)方法已成為電子課程教學(xué)環(huán)節(jié)和生產(chǎn)技術(shù)中不可或缺的一種先進(jìn)工具和手段。

第三章振幅調(diào)制電路仿真調(diào)制，解調(diào)還有混頻電路是通信設(shè)備中比較重要的組成部分。調(diào)制電路，顧名思義就是用待傳輸?shù)牡皖l信號(hào)控制高頻載波參數(shù)的電路?？偣灿姓穹{(diào)制和角度調(diào)制兩大類，而解調(diào)是調(diào)制的逆過(guò)程，所以解調(diào)電路就是從高頻已調(diào)信號(hào)中還原出原調(diào)制信號(hào)的電路，也被稱為檢波電路，還有一種是混頻電路，原理是將已調(diào)信號(hào)的載頻變成另外一種載頻的電路。調(diào)制，解調(diào)還有混頻電路都是用以對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行頻譜變換的電路，這三種都需要采用具有頻率變換功能的電路。頻譜變換電路又有兩種，一種是頻譜搬移電路，第二種是頻譜非線性變換電路，調(diào)制電路，解調(diào)電路和混頻電路都屬于第一種，頻譜搬移電路，角度調(diào)制和解調(diào)電路等都屬于第二種，頻譜非線性變換電路。3.1模擬乘法器普通調(diào)幅（AM）仿真

振幅調(diào)制簡(jiǎn)稱調(diào)幅，調(diào)幅一般有基本的普通調(diào)幅（我們用AM表示），還有在此基礎(chǔ)上演變出來(lái)的用來(lái)抑制載波的雙邊帶調(diào)幅（我們用DDS表示），單邊帶調(diào)幅（我們用SSB表示）等。當(dāng)我們從電源庫(kù)的控制器件庫(kù)（ControlFunctionBlocks）中找出模擬乘法器（Multiple），然后搭建一個(gè)單頻調(diào)制的普通調(diào)幅仿真電路。圖（a）單頻調(diào)制的普通調(diào)幅仿真電路從圖中我們發(fā)現(xiàn)，理想的模擬乘法器A1有兩個(gè)電壓輸入端Ｘ和Ｙ，同時(shí)還有一個(gè)電壓輸出端Ｖ０（ｔ），它的默認(rèn)系數(shù)ＡＭ＝１Ｖ－１，Ｙ端載波信號(hào)ＶＣ（ｔ），Ｘ端接ＶΩ（ｔ）和穩(wěn)定的直流電壓ＶＱ。假設(shè)：載波信號(hào)ＶＣ（ｔ）＝ＶＣＭｃｏｓ（２πｆｃｔ）調(diào)制信號(hào)ＶΩ（ｔ）＝ＶΩｍｃｏｓ（Ωｔ）＝ＶΩｍｃｏｓ（２πｆΩｔ）根據(jù)理論分析可以得出：Ｖ０（ｔ）＝ＶＡＭ（ｔ）＝Ｖｍ０［１＋ｍａｃｏｓ（Ωｔ）］ｃｏｓ（ωｃｔ）輸出載波電壓振幅：Ｖｍ０＝ＡＭＶＱＶＣＭ＝ＫａＶＱ而調(diào)幅系數(shù)：ｍａ＝ＫＡＶΩｍ／Ｖｍ０通常ｆｃ＞＞ｆΩ，在本圖中，Ｖｍ０＝１×１×１ｖ＝１ｖ、Ｋａ＝１，ｍａ＝１×０．５/１＝０．５，ｆｃ＝１０００ＫＨＺ，ｆΩ＝１０ＫＨＺ從上面的公式可以看出，輸出調(diào)幅波Ｖａｍ（ｔ）是一種高頻信號(hào)，它的角頻率是ωｃ，而振幅在載波振幅Ｖｍ０的上，下按照調(diào)制信號(hào)的規(guī)律變化，我們將調(diào)幅波振幅變化規(guī)律，也就是Ｖｍ０［１＋ｍａｃｏｓ（Ωｔ）］稱為調(diào)幅波的包絡(luò)，當(dāng)調(diào)制信號(hào)的幅值ＶΩｍ越大，調(diào)幅系數(shù)ｍａ（也叫調(diào)幅度）就越大，導(dǎo)致調(diào)幅波幅度的變化也就越大。我們?yōu)榱朔乐钩霈F(xiàn)調(diào)幅失真，一般都會(huì)要求ＶＱ＞ＶΩｍ。在本次仿真中ＶＱ＝１ｖ，ＶΩｍ＝０.５Ｖ。點(diǎn)擊“Simulate→Analyses→FourierAnalyses”選項(xiàng)，設(shè)置其基本頻率（Frequencyresolution）為10000HZ，我們需要分析的諧波個(gè)數(shù)（Numberofharmonics）為20，在這個(gè)仿真中，頻率步進(jìn)量為10KHZ，而載頻為100KHZ，所以采樣點(diǎn)必須大于等于11，否則將沒(méi)有辦法看到整個(gè)頻譜圖的全貌，我們?yōu)榱俗岋@示的頻譜圖對(duì)稱且整齊，所以取20.仿真結(jié)果顯示為柱形圖及曲線圖，頻譜的縱軸刻度為線性，在“output輸出”按鈕中選擇電路的輸出電壓節(jié)點(diǎn)V4為待分析的輸出電路節(jié)點(diǎn)，點(diǎn)擊“simulate仿真”按鈕，便可以得到圖（a）所示單頻調(diào)制普通調(diào)幅電路輸出調(diào)幅波信號(hào)的頻譜圖，如圖（c）（b）示波器檢測(cè)的信號(hào)電壓波形和數(shù)據(jù)（c）輸出信號(hào)頻譜分析對(duì)照?qǐng)D所示的仿真電路、示波器檢測(cè)波形和傅里葉分析頻譜圖，可以的得出：仿真檢測(cè)的調(diào)制信號(hào)頻率與輸出調(diào)幅波的包絡(luò)信號(hào)頻率大部分相同，而且與理論分析數(shù)值基本一致；載波信號(hào)的振幅根據(jù)調(diào)制信號(hào)的變化規(guī)律變化而形成的調(diào)幅波帶著調(diào)制信號(hào)的信息，所以調(diào)幅波的包絡(luò)線和相應(yīng)的調(diào)制信號(hào)相同。調(diào)幅波的上邊頻分量頻率是載波頻率fc和調(diào)制信號(hào)頻率fΩ的合頻，下邊頻分量頻率是載波頻率fc和調(diào)制信號(hào)頻率fΩ的差值，這和理論分析的數(shù)值大致相同；調(diào)幅過(guò)程其實(shí)是一種頻率搬移過(guò)程，就是經(jīng)過(guò)調(diào)幅后，調(diào)制信號(hào)的頻譜被對(duì)稱的轉(zhuǎn)移到載頻的兩邊；上下邊頻的振幅相同（都=maVcm/2），本次仿真中約為248mv，這和理論分析值（=0.5×1v/2=250mv）差不多；在調(diào)幅波中載波并不會(huì)含有任何的有用信息，要傳輸?shù)男畔⒅话谶咁l分量中，邊頻的振幅代表了調(diào)制信號(hào)幅度的大小，而邊頻的頻率表示了調(diào)頻信號(hào)頻率的高低。調(diào)幅波的頻譜寬度（我們又叫帶寬）BWAM大約為調(diào)制信號(hào)fΩ的兩倍約為19,9KHZ，這和理論分析值20KHZ基本一致。3.2

反饋電路的基本類型與選擇3.2.1浪涌電流的抑制

隔離式開(kāi)關(guān)電源在加電時(shí)，會(huì)產(chǎn)生極高的浪涌電流，相關(guān)人員必須在電源的輸入端采取一些限流措施，才能有效地將浪涌電流減小到允許的范圍之內(nèi)。濾波電容充電是引起浪涌電流的主要原因，在開(kāi)關(guān)管開(kāi)始導(dǎo)通的瞬間，電容對(duì)交流呈現(xiàn)出很低的阻抗，一般情況下，只是電容的ESR值。如果不采取任何保護(hù)措施，浪涌電流可接近幾百安培。通常廣泛采用的措施有兩種，一種方法是：利用電阻——雙向可控硅并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)；另一種方法是：采用負(fù)溫度系數(shù)(NTC)的熱敏電阻。用以增加對(duì)交流線路的阻抗，把浪捅電流減小到安全值。

電阻——雙向可控硅技術(shù)：采用此項(xiàng)浪涌電流限制技術(shù)時(shí)，將電阻與交流輸入線相串聯(lián)。當(dāng)輸入濾波電容充滿電后．由于雙向可控硅和電阻是并聯(lián)的，可以把電阻短路，對(duì)其進(jìn)行分流。這種電路結(jié)構(gòu)需要一個(gè)觸發(fā)電路，當(dāng)某些預(yù)定的條件滿足后，觸發(fā)電路把雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通。設(shè)計(jì)時(shí)要認(rèn)真地選擇雙向可控硅的參數(shù)，并加上足夠的散熱片，因?yàn)樵谒鼘?dǎo)通時(shí)，要流過(guò)全部的輸入電流。

3.2.2熱敏電阻技術(shù)分析

這種方法是把NTC(負(fù)溫度系數(shù))的熱敏電阻串聯(lián)在交流輸入端或者串聯(lián)在經(jīng)過(guò)橋式整流后的直流線上。圖3.1中的RT1和RT2。用了RTC熱敏電阻的電阻—溫度特性和溫度系數(shù)的關(guān)系如圖3.1所示。圖3.1熱敏電阻的溫度系數(shù)

在圖3.1中，是RTC熱敏電阻的溫度系數(shù)，用每度百分比(％／c)表示。當(dāng)開(kāi)關(guān)電源接通時(shí)，熱敏電阻的阻值基本上是電阻的標(biāo)稱值。這樣，由于阻值較大，它就限制了浪涌電流。當(dāng)電容開(kāi)始充電時(shí)，充電電流流過(guò)熱敏電阻，開(kāi)始對(duì)其加熱。由于熱敏電阻具有負(fù)溫度系數(shù)，隨著電阻的加熱，其電阻值開(kāi)始下降，如果熱敏電阻選擇得合適，在負(fù)載電流達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)，其阻值應(yīng)該是最小。這樣，就不會(huì)影響整個(gè)開(kāi)關(guān)電源的效率。

輸出過(guò)壓保護(hù)電路的作用是：當(dāng)輸出電壓超過(guò)設(shè)計(jì)值時(shí)，把輸出電壓限定在一安全值的范圍內(nèi)。當(dāng)開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部穩(wěn)壓環(huán)路出現(xiàn)故障或者由于用戶操作不當(dāng)引起輸出過(guò)壓現(xiàn)象時(shí)，過(guò)壓保護(hù)電路進(jìn)行保護(hù)以防止損壞后級(jí)用電設(shè)備。

在一般情況下，交流電網(wǎng)上的電壓為115v或230v左右，但有時(shí)也會(huì)有高壓的尖峰出現(xiàn)。比如電網(wǎng)附近有電感性開(kāi)關(guān)，暴風(fēng)雨天氣時(shí)的雷電現(xiàn)象都會(huì)使上述情況產(chǎn)生。受嚴(yán)重的雷電影響，電網(wǎng)上的高壓尖峰可達(dá)5kv。另一方面，電感性開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電壓尖峰的能量滿足下面的公式：

(3.1)

公式中,L是電感器的漏感，I是通過(guò)線圈的電流。

由此可見(jiàn)，雖然電壓尖峰持續(xù)的時(shí)間很短，但是它確有足夠的能量使開(kāi)關(guān)電源的輸入濾波器、開(kāi)關(guān)晶體管等造成致命的損壞。所以必須要采取措施加以避免單片開(kāi)關(guān)電源的反饋電路有4種基本類型：基本反饋電路；改進(jìn)型基本反饋電路；配TL431的光耦反饋電路；配穩(wěn)壓管的光耦反饋電路。它們的簡(jiǎn)化電路如圖所示。圖3.2(a)基本反饋電路圖3.3（b）改進(jìn)型基本反饋電路圖3.4(C)配TL431的光耦反饋電路圖3.5(d)配穩(wěn)壓管的光耦反饋電路(a)

基本反饋電路，其優(yōu)點(diǎn)是電路簡(jiǎn)單、成本低廉、適于制作小型化、經(jīng)濟(jì)型開(kāi)關(guān)電源；其缺點(diǎn)是穩(wěn)壓性能較差，電壓調(diào)整率SU=1.5%～2%；負(fù)載調(diào)整率SI=-4%～+4%。

(b)

改進(jìn)型基本反饋電路，只需增加一支穩(wěn)壓管VDZ和電阻R1，即可使負(fù)載調(diào)整率達(dá)到-2%～+2%

。VDZ的穩(wěn)定電壓一般為22V，為了獲得較高的反饋電壓UFB，可以相應(yīng)增加反饋繞組的匝數(shù)，來(lái)滿足電路的需要。

(c)

配TL431的光耦反饋電路，其電路較復(fù)雜，但穩(wěn)壓性能最佳。這里用TL431型可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器來(lái)代替穩(wěn)壓管，構(gòu)成外部誤差放大器，進(jìn)而對(duì)Uo作精細(xì)調(diào)整。這種反饋電路適于構(gòu)成精密開(kāi)關(guān)電源。

(d)

配穩(wěn)壓管的光耦反饋電路，由VDZ提供參考電壓UZ，當(dāng)Uo發(fā)生波動(dòng)時(shí)，在LED上可獲得誤差電壓。因此，該電路相當(dāng)于給增加一個(gè)外部誤差放大器，再與內(nèi)部誤差放大器配合使用，即可對(duì)Uo進(jìn)行調(diào)整。

由于本設(shè)計(jì)旨在針對(duì)精密開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源進(jìn)行的設(shè)計(jì)與制作，所以選擇配TL431的光耦反饋電路3.3控制電路的選擇

3.3.1單片機(jī)控制電路分析

采用單片機(jī)或DSP控制產(chǎn)生PWM波,控制開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與截止。想要使輸出電壓穩(wěn)定在設(shè)定值，就需要根據(jù)A/D后的反饋電壓程控改變占空比。負(fù)載電流在康銅絲上的取樣經(jīng)A/D后輸入單片機(jī)，，過(guò)流保護(hù)形成于當(dāng)該電壓達(dá)到一定值時(shí)關(guān)閉開(kāi)關(guān)管時(shí)。該方案主要由軟件實(shí)現(xiàn)，控制算法比較復(fù)雜，速度慢，輸出電壓穩(wěn)定性不好，如果想實(shí)現(xiàn)自動(dòng)恢復(fù)，實(shí)現(xiàn)起來(lái)比較復(fù)雜。

3.3.2芯片控制電路分析

采用8腳脈寬調(diào)制控制器UC3842，這個(gè)芯片的輸出頻率即為振蕩頻率，最大占空比可達(dá)100%，通常多用于單端反激式變換器，輸出功率限于100W以下。UC3842芯片內(nèi)部有一個(gè)誤差比較器EA，一個(gè)振蕩器OSC和一個(gè)電流比較器，一個(gè)PWM鎖存器和PWM邏輯單元，一個(gè)互補(bǔ)功率放大輸出單元，一個(gè)欠壓保護(hù)電路，一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)參考5V電壓和其它一些輔助電路。電流比較器可用于過(guò)流保護(hù)，電壓比較器可設(shè)置為閉環(huán)控制，調(diào)整速度快，用這種芯片作為低功率開(kāi)關(guān)電源的PWM的控制是很方便的它可以直接驅(qū)動(dòng)雙極管，MOSFET和IGBT，具有管腳少（8只引腳）外圍電路簡(jiǎn)單、安裝與調(diào)試方便、性能優(yōu)良、價(jià)格合適等優(yōu)點(diǎn)。采用這種芯片控制所需元件也應(yīng)用廣泛，特別適于構(gòu)成無(wú)工頻變壓器的開(kāi)關(guān)電源。圖3.6UC3842內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖3.4

電流工作模式的方案選擇

3.4.1電流連續(xù)模式分析

電流連續(xù)模式。電流連續(xù)工作狀態(tài)，在下一周期到來(lái)時(shí)，電感中的電流還未減小到零，電容的電流能夠得倒及時(shí)的補(bǔ)充，輸出電流的峰值較小，輸出紋波電壓小。3.4.2電流斷續(xù)模式分析電流斷續(xù)模式。斷續(xù)模式下，電感能量釋放完時(shí)，下一周期尚未到來(lái)，電容能量得不到及時(shí)補(bǔ)充，二極管的峰值電流非常大，對(duì)開(kāi)關(guān)管和二極管的要求就非常高，二極管的損耗非常大，斷續(xù)輸出的電流輸出中交流成分比較大，會(huì)使輸出電容上的損耗增加。在相同功率輸出的情況下，斷續(xù)工作模式的峰值電流要高很多，而且輸出直流電壓的紋波也會(huì)增加，損耗大。但是這種模式工作設(shè)計(jì)不復(fù)雜。

鑒于上面分析，本設(shè)計(jì)采用電流斷續(xù)模式

3.4.3倍壓整流技術(shù)

為了實(shí)現(xiàn)兩種輸入電源的轉(zhuǎn)換，要利用倍壓整流技術(shù)，如圖3.7所示。

在圖3.4.3中，兩種輸入交流電壓的轉(zhuǎn)換由開(kāi)關(guān)S1來(lái)完成，此外，本電路中的壓敏電阻RV和可控硅VS具有浪涌電流抑制、瞬間輸入電壓保護(hù)的功能。

電路工作過(guò)程如下：當(dāng)開(kāi)關(guān)S1閉合時(shí)．電路在115V交流輸入電壓下作用。在交流電的正半周，通過(guò)二極管VD1和電容器C1被充電到交流電壓的峰值。即115v×1．414≈160v，在交流電的負(fù)半周，電容器C2通過(guò)二極管VD4也被充電到160v。這樣，電路輸出的直流電壓應(yīng)該是電容器C1和C2上充電電壓之和．即160V十160V＝320V。當(dāng)開(kāi)關(guān)S1打開(kāi)時(shí)，極管Val—VD4組成了全橋式整流電路，對(duì)輸入的交流230V進(jìn)行整流，也同樣產(chǎn)生320V的直流電壓。

圖3.7倍壓整流電路圖

第四章硬件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)4.1采用EMI4.1.1

EMI電源濾波器基本原理傳導(dǎo)干擾根據(jù)傳播方向的不同，可分為兩種：一種是從電源進(jìn)線引入的外界干擾，另一種是由電子設(shè)備產(chǎn)生并經(jīng)由電源線傳導(dǎo)出去的噪聲干擾。所以，電子設(shè)備既是噪聲干擾的對(duì)象，又是一個(gè)噪聲源。若從干擾電流的流動(dòng)途徑來(lái)看，傳導(dǎo)干擾又分為共模干擾和差模干擾，共模干擾是兩條電源線對(duì)大地（簡(jiǎn)稱線對(duì)地）的噪聲，大小方向一致，主要由電源線對(duì)地的雜散電容引起；差模干擾是兩條電源線之間(簡(jiǎn)稱線對(duì)線)的噪聲，大小一致，方向相反。通常共模干擾和差模干擾是同時(shí)存在的，而且因?yàn)榫€路阻抗不平衡等原因，共模干擾和差模干擾會(huì)互相轉(zhuǎn)化，情況十分復(fù)雜。抑制傳導(dǎo)干擾的方法中應(yīng)用最廣泛的是在電源輸入端加EMI濾波器。EMI濾波器對(duì)共模和差模干擾都要起作用。所以，實(shí)際設(shè)計(jì)中就要區(qū)分兩種不同干擾，分別加以有效的控制，以滿足電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)。圖4.1EMI濾波器結(jié)構(gòu)差模抑制電容，：0.1uF~0.47uF；

差模抑制電感L1，L2：100uH~130uH；共模抑制電容，

：<10000pF；共模抑制電感L：15mH~25mH?？紤]共模濾波電路和差模濾波電路的諧振頻率要明顯低于開(kāi)關(guān)電源的工作頻率，一般要低于10KHz，即

（4.1）在實(shí)際使用中，濾波電路的采用取決于設(shè)備所產(chǎn)生的雜訊中共模和差模的成分。，通過(guò)適當(dāng)增加或減少濾波元件。具體電路的調(diào)整一般要經(jīng)過(guò)EMI試驗(yàn)后才能有滿意的結(jié)果，安裝濾波電路時(shí)一定要保證接地良好，并且要良好隔離輸入端和輸出端，否則起不到濾波的效果。

開(kāi)關(guān)電源所產(chǎn)生的雜訊以共模干擾為主，在設(shè)計(jì)濾波電路時(shí)可嘗試去掉差模電感，再增加一級(jí)共模濾波電感。4.2輸入濾波、整流電路原理

輸入濾波電路：C1、L1、C2、C3組成的雙π型濾波網(wǎng)絡(luò)主要是對(duì)輸入電源的電磁噪聲及雜波信號(hào)進(jìn)行抑制，防止干擾電源，同時(shí)也防止電源本身產(chǎn)生的高頻雜波對(duì)電網(wǎng)干擾。當(dāng)電源開(kāi)啟瞬間，要對(duì)

C5充電，由于瞬間電流大，加RT1（熱敏電阻）就能有效的防止浪涌電流。因瞬時(shí)能量全消耗在RT1電阻上，一定時(shí)間后溫度升高后RT1阻值減?。≧T1是負(fù)溫系數(shù)元件），這時(shí)它消耗的能量非常小，后級(jí)電路可正常工作。4.3高頻變壓器的設(shè)計(jì)

高頻電源變壓器是工作頻率超過(guò)中頻（10kHz）的電源變壓器，是開(kāi)關(guān)電源中進(jìn)行能量?jī)?chǔ)存與傳輸?shù)闹匾考?，開(kāi)關(guān)電源中高頻變壓器性能的優(yōu)劣，不僅對(duì)電源效率有較大的影響。

設(shè)計(jì)高頻變壓器首先應(yīng)該從磁芯開(kāi)始。開(kāi)關(guān)電源變壓器磁芯多是在低磁場(chǎng)下率高、體積小巧的特點(diǎn)。

高頻變壓器的設(shè)計(jì)通常采用兩種方法：第一種是先求出磁芯窗口面積AW與磁芯有效截面積Ae的乘積AP（AP=AW×Ae，稱磁芯面積乘積），根據(jù)AP值，查表找出所需磁性材料之編號(hào)；第二種是先求出幾何參數(shù)，查表找出磁芯編號(hào)，再進(jìn)行設(shè)計(jì)。高頻電源變壓器的設(shè)計(jì)程序，包括磁芯材料，磁芯結(jié)構(gòu)，磁芯參數(shù)，線圈參數(shù)，組裝結(jié)構(gòu)和溫升校核等內(nèi)容。4.3.1磁芯材料的選擇根據(jù)高頻電源變壓器的設(shè)計(jì)要求，高頻電源變壓器應(yīng)當(dāng)選擇軟磁鐵氧體。和任何軟磁磁芯材料一樣，軟磁鐵氧體有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。軟磁鐵氧體的優(yōu)點(diǎn)是電阻體積大，而處于不利地位。本設(shè)計(jì)中開(kāi)關(guān)電源工作頻率為200kHz，因此，可采用軟磁鐵氧體作為高頻變壓器的磁芯材料。即使工作頻率范圍在適合于軟磁鐵氧體內(nèi)，也要認(rèn)真考慮選擇哪一類軟磁鐵氧體更能全面滿足高頻電源變壓器的設(shè)計(jì)要求。因此，為了設(shè)計(jì)出有比較理想的性能價(jià)格比的高頻電源變壓器，要考慮的最主要因素是在工作頻率處的損耗和應(yīng)用時(shí)的磁通密度。任何磁芯材料中，主要損耗都是磁滯損耗和渦流損耗。磁滯損耗由下式給出：（4.2）式中：Kh——材料的磁滯損耗常數(shù)；

V——磁芯的體積，單位為cm3

(CGS)、m3(MKS)；

f——工作頻率，單位為HZ；

Bmax——最大磁通密度；單位為G(CGS)、T

(MKS)。渦流損耗是磁芯材料內(nèi)部由局部磁場(chǎng)感應(yīng)的電子流產(chǎn)生的。它們通常以環(huán)形流動(dòng)，并且在大塊連續(xù)的磁芯中電流更大，在有角的磁芯中也很普遍。磁芯材料的磁阻大，則渦流小，或者是磁芯疊成片狀減小橫截面使環(huán)形電流減小。渦流損耗由下式給出：（4.3）式中：KC——材料的磁滯損耗常數(shù)；

V——磁芯的體積，單位為cm3

(CGS)、m3(MKS)；

f——工作頻率，單位為HZ；

Bmax——最大磁通密度；單位為G(CGS)、T

(MKS)。由式3-3和式3-4可以看到，它們的損耗都會(huì)因磁通密度的最大值Bmax的增加而大大增加，并且渦流損耗會(huì)隨著工作頻率的提高而迅速增加。這些損耗使得工作頻率增加時(shí)引起高頻變壓器體積的增加，因此，開(kāi)關(guān)電源的工作頻率增加并不一定能減少磁芯的尺寸。在工業(yè)界，對(duì)允許的磁性元件損耗大小的經(jīng)驗(yàn)方法是損耗在整個(gè)電源效率中不超過(guò)2%。在20～50kHz開(kāi)關(guān)電源中，磁通密度的最大值Bmax通常是飽和磁通密度的一半，這樣磁芯的損耗在整個(gè)變換器中占2%，是可以接受的；對(duì)于大于50kHz工作頻率的開(kāi)關(guān)電源，磁通密度的最大值Bmax會(huì)更低，使磁芯損耗所占比例不到2%。這些損耗一般由磁芯制造商計(jì)算在一起，并以每單位體積損耗的瓦數(shù)對(duì)工作峰值磁通密度Bmax和工作頻率的圖表給出，由文獻(xiàn)[10]可知。4.3.2磁芯結(jié)構(gòu)的選擇

高頻電源變壓器設(shè)計(jì)中選擇磁芯結(jié)構(gòu)時(shí)考慮的因素有：降低漏磁和漏感，增加線圈散熱面積，有利于屏蔽，線圈繞線容易，裝配接線方便等。漏磁和漏感與磁芯結(jié)構(gòu)有直接關(guān)系。如果磁芯不需要?dú)庀叮瑒t盡可能采用封閉的環(huán)形和方框型結(jié)構(gòu)磁芯，特別是工作頻率高的電源變壓器，因?yàn)椋幸稽c(diǎn)漏感，就容易產(chǎn)生比大小和位置與漏磁和漏感有密切關(guān)系。因此，盡可能減少氣隙尺寸。因?yàn)?，氣隙尺寸增大，不但增加漏磁和漏感，而且還減少磁導(dǎo)率，增加激磁功率，對(duì)高頻電源變壓器工作不利。另外，氣隙的位置最好處于線圈的中間部位，可以起到減少氣隙漏磁通的作用。磁芯結(jié)構(gòu)基本上有兩種：環(huán)形和線軸型磁芯。環(huán)形變壓器生產(chǎn)成本高，因?yàn)樾枰刂频臋C(jī)器來(lái)繞線，但它的磁通輻射是最小的。線軸型磁芯一般來(lái)說(shuō)生產(chǎn)成本比環(huán)形的低，這是它固有的優(yōu)勢(shì)，但是磁芯部分要比環(huán)形的貴。罐型磁芯價(jià)格高，對(duì)繞組的磁屏蔽較好，并可以有氣隙，但是繞組缺乏空氣流動(dòng)，使得它的工作溫度會(huì)更高。E-E和E-I磁芯比罐型磁芯便宜，且通常有更大的繞組區(qū)域，繞組曝露在空氣中，所以繞組工作溫度更低，但是由于曝露的空氣隙，使它向外的輻射更多。磁芯結(jié)構(gòu)及其優(yōu)點(diǎn)如表。表4.1磁芯結(jié)構(gòu)及其優(yōu)點(diǎn)磁芯材料磁芯結(jié)構(gòu)氣隙繞組屏蔽磁芯成本生產(chǎn)成本環(huán)形有/無(wú)無(wú)低高E型有無(wú)低低軟磁鐵氧體U型有無(wú)低低罐型有有高中EP型有無(wú)低中由于在變壓器的繞組中，繞組大小決定磁芯的尺寸，這使得E-E和E-I磁芯成為設(shè)計(jì)高頻變壓器時(shí)的首選。本設(shè)計(jì)中，采用E型作為磁芯結(jié)構(gòu)。E型磁芯型號(hào)與輸出功率和工作頻率的關(guān)系如表。表4.2E型磁芯型號(hào)與輸出功率和工作頻率的關(guān)系磁芯型號(hào)有效截面積A1-Valne標(biāo)準(zhǔn)輸出功率(W)（mm）（mm）（mm）50kHz100kHz200kHzEI(E)-2222.519.56422400203040EI(E)-2525.918.77412140306090EI(E)-2828.720.810.88.559506090130EI(E)-3030.727.211111469095130200EI(E)-3535.929.410.31013800120170260EI(E)-4040.935.3121484860190290440EI(E)-5051.243152306110300440650EI(E)-6061.44562475670360550800本設(shè)計(jì)中，開(kāi)關(guān)電源的工作頻率為200kHz，輸出功率為110W，因此磁芯可選用EI-28，此磁芯材料相當(dāng)于TDK的H7C4。EI-28磁芯在100C的情況下，單位體積損耗與峰值磁通密度和工作頻率的關(guān)系如圖4.3.2所示。圖4.2在100C值磁通密度和工作頻率的關(guān)系 4.3.3變壓器線圈參數(shù)的計(jì)算

高頻電源變壓器的線圈參數(shù)包括：匝數(shù)，導(dǎo)線截面（直徑），導(dǎo)線形式，繞組排列和絕緣安排。原繞組匝數(shù)根據(jù)外加激磁電壓或者原繞組激磁電感（儲(chǔ)存能量）降和變壓器的內(nèi)阻抗壓降。次級(jí)輸出電壓的計(jì)算可按下式計(jì)算：（4.4）式中：UL——包含輸出扼流線圈Lout在內(nèi)的次級(jí)接線的壓降，一般取=0.2V；

UD9——輸出側(cè)二極管的正向壓降，因?yàn)椴捎玫氖切ぬ鼗O管=0.5V則次級(jí)輸出最低電壓為:（4.5）=（4.6）初次級(jí)繞組匝數(shù)比的計(jì)算。正激式變換器的輸入直流電壓就是功率因數(shù)校正電路的輸出電壓,即為397V～400V。則=397V，則初次級(jí)繞組匝數(shù)比N應(yīng)為:（4.7）實(shí)際使用中,

EI-28磁芯溫度為100,需要確保峰值磁通密度為線性范圍，這樣，峰值磁通密度應(yīng)在3000高斯以下，但正激式變換器是單方向勵(lì)磁，設(shè)計(jì)時(shí)需要減小剩磁。剩磁隨磁芯溫度以及工作頻率改變而改變，此時(shí)，磁芯溫度為100Co，工作頻率為200kHz，則剩磁約減小為1000高斯，峰值磁通密度Bm為2000高斯[9]。由表4-2可知，EI-28磁芯的有效截面積S=85mm2,則次級(jí)繞組匝數(shù)N2為：(匝)（4.8）取為14匝初級(jí)繞組匝數(shù)為：(匝)（4.9）取為52匝。由于控制集成器TL494的工作直流電壓為7V～40V；輔助電源需要給控制集成電路提供20V的工作電壓,因此需增加輔助繞組，其匝數(shù)為：(匝)（4.10）取為3匝。算得的匝數(shù)通常不是整數(shù)，但大多數(shù)磁芯只能繞整數(shù)匝，因此，要取最接近的整數(shù)來(lái)近似。這會(huì)導(dǎo)致輸出電壓誤差增加。這就需要核對(duì)這個(gè)誤差是否會(huì)超出所要設(shè)計(jì)的電源容許的范圍。變壓器繞組匝數(shù)=52匝，=14匝時(shí)，變壓器次級(jí)最低電壓為：（V）（4.11）達(dá)不到要求，需要重新確定最大導(dǎo)通時(shí)間。由4.1.2節(jié)可知，為：=(us)（4.12）那么，最大占空比也需要重新確定。最大占空比為:（4.13）一般情況下，最大占空比取=0.42,但重新計(jì)算的結(jié)果最大占空比=0.419，在0.4～0.45所要求的范圍內(nèi)，所以最大占空比應(yīng)為0.419。流經(jīng)初級(jí)繞組的電流有效值為：（A）（4.14）流經(jīng)次級(jí)繞組的電流有效值為:(A)（4.15）導(dǎo)線的電流密度在自然風(fēng)冷時(shí)為2～4(A/mm2)，而在強(qiáng)制風(fēng)冷時(shí)為3～5(A/mm2)，其值是適宜的。導(dǎo)線截面（直徑）決定于繞組的電流密度。繞組損耗（銅損）占總損耗比例比較大時(shí)，推薦電流密度取2～4A/mm2，銅損占總損耗比例比較小時(shí)，推薦電流密度取8～12A/mm2，但是，要經(jīng)過(guò)變壓器溫升校核后進(jìn)行必要的調(diào)整。還要注意的是導(dǎo)線截面（直徑）的大小還與漏感有關(guān)。在同樣匝數(shù)下，導(dǎo)線截面直徑增加，內(nèi)層排列的匝數(shù)減少，層數(shù)增加。而漏磁場(chǎng)分布靠近磁芯的內(nèi)層大，外層小，與磁芯距離平方成反比例地衰減。這樣，漏磁通大的內(nèi)層交鏈的匝數(shù)減少?gòu)亩孤└邢陆?。一般地，常用的繞組排列方式：原繞組靠近磁芯，副繞組和反饋繞組逐漸向外排列。這種繞組排列形式并不理想。下面推薦兩種繞組排列形式：1.如果原繞組電壓高（例如220V），副繞組電壓低，可以采用副繞組靠近磁芯，接著繞反饋繞組，原繞組在最外層的繞組排列形式，這樣有利于原繞組對(duì)磁芯的絕緣安排；

2.如果要增加原和副繞組之間耦合，可以采用一半原繞組靠近磁芯，接著繞反饋絕緣。如果一般絕緣只墊一層絕緣薄膜，加強(qiáng)絕緣應(yīng)墊2～3層絕緣薄膜。3.高頻電源變壓器的組裝結(jié)構(gòu)

高頻電源變壓器組裝結(jié)構(gòu)分為臥式和立式兩種。如果選用平面磁芯、片式磁芯和薄膜磁芯，都采用臥式組裝結(jié)構(gòu)，上下表面比較大，有利于散熱

，或者附加散熱器，高度低，有利于安裝在印刷電路板上。組裝結(jié)構(gòu)中采用的夾件和接線端子等盡量采用標(biāo)準(zhǔn)件，以便于加工，降低成本。

4.溫升校核

溫升校核可以通過(guò)計(jì)算和樣品測(cè)試來(lái)進(jìn)行。一般通過(guò)樣品試驗(yàn)進(jìn)行溫升核算的比較多一些。如果樣品試驗(yàn)溫升不超過(guò)允許溫升，可以通過(guò)。但是試驗(yàn)溫升低于允許溫升15℃以上，要對(duì)繞組的電流密度和導(dǎo)線截面進(jìn)行調(diào)整，適當(dāng)增加電流密度和減少導(dǎo)線截面。如果樣品試驗(yàn)溫升超過(guò)允許溫升，則要對(duì)繞組的電流密度和導(dǎo)線截面進(jìn)行調(diào)整，適當(dāng)減少電流密度和增加導(dǎo)線截面。如果增加導(dǎo)線截面，窗口繞不下，要增加磁芯尺寸。如果樣品試驗(yàn)磁芯溫升超過(guò)允許溫升，則要增加磁芯的散熱面積，加大磁芯。4.45V/4A穩(wěn)壓輸出的設(shè)計(jì)由于輸出電流為4A，故選擇了最大電流為10A的快恢復(fù)二極管MBR1045進(jìn)行整流。輸出電容選擇了1000F/50V的電解電容。并在輸出回路中串接3.3H的磁珠電感，主要為了抑制開(kāi)關(guān)電源的噪聲。為達(dá)到穩(wěn)壓的目的，采用了光耦+TL431的電路。首先是分壓電阻的確定。由于TL431的電流一般為2A，為避免此端電流影響分壓比和避免噪音的影響，一般取流過(guò)電阻的電流為參考段電流的100倍以上，所以電阻應(yīng)取小于12.5K接下來(lái)是限流電阻的選擇，限流電阻串接在TL431和光耦之間，根據(jù)R1>(U0-1)/If，R1需大于8。又1/R1>1mA，故R1選擇200的限流電阻。在TL431并接一個(gè)0.14.512V/1A集成電路的輸出設(shè)計(jì)該電路采用7812和7912集成電路構(gòu)成。首先是用1N4002進(jìn)行全橋整流，再經(jīng)過(guò)1000F/50V電解電容及0.1F的電容進(jìn)行濾波。然后輸入7812,7912集成芯片作為穩(wěn)壓控制。最后再通過(guò)1004.6反饋電路設(shè)計(jì)變壓器反饋繞組輸出后，選擇1N4148進(jìn)行整流，選擇0.1圖4.3綜合結(jié)構(gòu)電路圖

第五章輸入保護(hù)器件保護(hù)設(shè)計(jì)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)，無(wú)疑是電源設(shè)計(jì)中一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，它對(duì)于提高電源工作的安全可靠性、延長(zhǎng)電源的使用壽命都起著十分重要的作用。在設(shè)計(jì)保護(hù)電路時(shí)，一方面要保證其功能完善，工作穩(wěn)定可靠；另一方面應(yīng)力求簡(jiǎn)單明了，避免繁復(fù)。5.1整流電路的諧波干擾

開(kāi)關(guān)電源中，工頻交流電流經(jīng)過(guò)整流橋后，不再是單一頻率的電流，而是單向脈動(dòng)電流，其波形如圖5.1所示，除了一直流分量之外，還包含一系列高頻諧波的交流分量．這些高頻諧波會(huì)沿著傳輸電路產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾和輻射干擾，一方面，它使前端電源線上的電流發(fā)生畸變，另一方面，通過(guò)電源線，產(chǎn)生射頻干擾，使接收機(jī)產(chǎn)生干擾。圖5.1單向脈動(dòng)電流5.2高頻變壓器造成的干擾

高頻變壓器是開(kāi)關(guān)電源中完成電壓變換、電氣隔離、能量存儲(chǔ)的重要部件，與此同時(shí)它的漏感也是形成尖峰干擾的重要原因．理想的MOSFET的波形是方波(不考慮變壓器的漏感和開(kāi)關(guān)管的上升和下降時(shí)間)，本身就含有大量的高次諧波，實(shí)際工作中，由于變壓器漏感的作用還會(huì)產(chǎn)生電壓關(guān)斷尖峰，如圖5.2所示．當(dāng)開(kāi)關(guān)管從轉(zhuǎn)換到的瞬間，一部分能量沒(méi)有從一次繞組傳輸N-次繞組，而是儲(chǔ)存在漏感中．這部分能量釋放形成帶有尖峰的衰減振蕩，疊加在關(guān)斷電壓上，形成關(guān)斷電壓尖峰．這種瞬變是一種傳導(dǎo)型電磁干擾，它既影響變壓器初級(jí)，還會(huì)使傳導(dǎo)干擾返回配電系統(tǒng)，造成電網(wǎng)諧波電磁干擾，從而影響其他設(shè)備的安全和經(jīng)濟(jì)運(yùn)行。圖5.2MOSFET關(guān)斷波形5.3輸出整流二極管的尖峰干擾

一般的二極管就是一個(gè)PN結(jié)(肖特基二極管除外)，二極管導(dǎo)通時(shí)，在P區(qū)和N區(qū)分別有電子和空穴兩種少數(shù)載流子存儲(chǔ)，當(dāng)突然反加電壓時(shí)，存儲(chǔ)電荷在反向電場(chǎng)的作用下將被復(fù)合掉或者回到己方區(qū)域，這樣便形成了反向恢復(fù)電流，其波形如圖5.3，其中，一0是反向最大恢復(fù)電流，

是二極管的反向恢復(fù)電壓．由于引線電感、次級(jí)漏感以及二極管的結(jié)電容，在關(guān)斷電壓上疊加了一個(gè)衰減振蕩電壓，從而形成了關(guān)斷電壓尖峰。圖5.3反向恢復(fù)電流5.4過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

過(guò)流包括電源負(fù)載超出規(guī)定值和電源輸出線路出現(xiàn)零負(fù)載（即短路）。當(dāng)出現(xiàn)負(fù)載短路、過(guò)載或控制電路失效等意外情況時(shí)，流過(guò)開(kāi)關(guān)電源中功率開(kāi)關(guān)管的電而截止，自動(dòng)切斷電路電流。過(guò)流保護(hù)電路圖如圖5.4所示。圖5.4過(guò)流保護(hù)電路圖過(guò)流保護(hù)電路是利用TL494內(nèi)部的控制放大器進(jìn)行閉環(huán)負(fù)反饋控制的?？刂品糯笃鞣聪噍斎攵说?5腳的參考電平是由TL494內(nèi)部產(chǎn)生的+5V基準(zhǔn)電壓與+36V直流輸出電壓經(jīng)R16和R17分壓得到的，這點(diǎn)電平的高低實(shí)際上反映了+36V直流輸出電壓與標(biāo)準(zhǔn)的+5V基準(zhǔn)電壓的差值?？刂品糯笃魍噍斎攵说?6腳的輸入信號(hào)，取自+36V直流輸出電路中由R14和R15組成的電阻分壓網(wǎng)絡(luò)的中點(diǎn)。當(dāng)+36V直流輸出過(guò)流時(shí)，取樣電阻R14的電壓降必然增大。這樣將造成控制放大器的同相端電平比反相端電平上升得更高。饋送到控制放大器兩個(gè)輸入端的輸入信號(hào)的變化將導(dǎo)致TL494輸出控制脈沖的寬度變窄。如果過(guò)流嚴(yán)重，會(huì)使它輸出的脈沖寬度變?yōu)榱?。結(jié)果，當(dāng)然使+36V輸出端電壓下降或變?yōu)榱悖瑥亩鴮?shí)現(xiàn)自動(dòng)保護(hù)的功能。5.5過(guò)壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

過(guò)壓保護(hù)是開(kāi)關(guān)電源用得最多的一種保護(hù)方式。過(guò)壓大多發(fā)生在以下情況：檢測(cè)線路斷開(kāi)，控制電路損壞，或者供電電源突然發(fā)生電壓變化。過(guò)電壓發(fā)生時(shí)，首要任務(wù)是保護(hù)負(fù)載，其次是保護(hù)功率開(kāi)關(guān)管。

輸出過(guò)電壓保護(hù)在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源中是至關(guān)重要的。常用的方法是晶閘管短路保護(hù)。當(dāng)輸出電壓過(guò)高時(shí)，穩(wěn)壓管被擊穿，觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通，把輸出端短路造成過(guò)電流，通過(guò)保險(xiǎn)絲或電路保護(hù)器將輸入切斷，保護(hù)負(fù)載。響應(yīng)時(shí)間相當(dāng)于晶閘管的開(kāi)通時(shí)間，約為5～10μs。它的缺點(diǎn)是動(dòng)作電壓是固定的,溫度系數(shù)大，動(dòng)作點(diǎn)不穩(wěn)定。另外，穩(wěn)壓管存在著參數(shù)的離散性，型號(hào)相同但過(guò)電壓起動(dòng)值卻各不相同,給調(diào)試帶來(lái)了困難。但由于其簡(jiǎn)單，成本較低，應(yīng)用很廣泛。過(guò)壓保護(hù)電路圖如圖5.4所示。圖5.5

過(guò)壓保護(hù)電路圖該過(guò)壓保護(hù)電路是由穩(wěn)壓二極管D11、電阻R18與R19、電容C10、晶閘管SCR以及晶體管Q6組成的。當(dāng)直流輸出端的輸出電壓超過(guò)規(guī)定值44.4V時(shí)，穩(wěn)壓二極管D11擊穿而處于導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)R19及C10兩端的壓降等于直流輸出端的實(shí)際輸出電壓與D11的穩(wěn)壓值之差，SCR的門(mén)極在此電壓觸發(fā)下將由原來(lái)的阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通，與之相連的三極管Q6的基極電位下降至零伏左右，Q6進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。因而，TL494的死區(qū)電平控制端第4腳的電平將上升至+5V左右，結(jié)果將使TL494的第9腳和第10腳輸出的調(diào)制脈沖寬度變?yōu)榱?，功率開(kāi)關(guān)管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，所有的輸出都為零，從而達(dá)到過(guò)壓自動(dòng)保護(hù)的功能5.6欠壓電路的設(shè)計(jì)輸出電壓低于規(guī)定值時(shí)，反映了輸入直流電源、開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部或輸出負(fù)載發(fā)生了異常。輸入直流電源電壓下降到規(guī)定值之下時(shí)，會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓跌落，輸入電流增大，既危及開(kāi)關(guān)三極管，也危及輸入電源。因此，要設(shè)置欠電壓保護(hù)。欠壓保護(hù)電路圖5.6所示。圖5.6欠壓保護(hù)電路圖該欠壓保護(hù)電路是由普通二極管D12和D14、穩(wěn)壓二極管D13、電容C11、電阻R23以及晶體管Q6組成的。在供電電壓正常時(shí)，輸入電壓控制信號(hào)幅值大，足以使D13處于導(dǎo)通狀態(tài)，D14處于反向偏置狀態(tài)。這時(shí)的欠壓保護(hù)電路對(duì)整個(gè)電路無(wú)影響。反之，當(dāng)供電電壓低于規(guī)定值時(shí)，來(lái)自輸入電路的欠壓保護(hù)信號(hào)的幅值已小到不能使D13處于導(dǎo)通狀態(tài)。一旦D13截止，D13的負(fù)端電平將下降到零，結(jié)果導(dǎo)致Q6導(dǎo)通，TL494的死區(qū)電平控制端第4腳的電平上升到+5V左右，TL494輸出的驅(qū)動(dòng)脈沖的寬度為零，功率開(kāi)關(guān)截止，從而使整個(gè)電路輸出為零。這樣就實(shí)現(xiàn)了欠壓自動(dòng)保護(hù)的功能。

第六章結(jié)論與展望本次設(shè)計(jì)采用以性能優(yōu)良的脈寬調(diào)制控制器TL494作為開(kāi)關(guān)電源的控制核心，采用正激的方式，實(shí)現(xiàn)AC到DC的轉(zhuǎn)換，其中整流部分采用單相橋式不可控整流。直流變換采用降壓式變壓器耦合DC/DC變換方式。在本課題中，需要根據(jù)實(shí)際的電網(wǎng)波動(dòng)情況和負(fù)載大小進(jìn)行設(shè)計(jì)，解決電路總體的設(shè)計(jì)、參數(shù)的計(jì)算和元器件的選擇計(jì)算等問(wèn)題。通過(guò)這次畢業(yè)設(shè)計(jì)，我掌握了一些實(shí)踐性質(zhì)設(shè)計(jì)的基本步驟：首先，明確設(shè)計(jì)任務(wù)，并且要初步了解市場(chǎng)上的開(kāi)關(guān)電源及其發(fā)展形勢(shì)。其次，結(jié)合現(xiàn)有實(shí)際條件，確立自己的設(shè)計(jì)方案，包括電路總體的設(shè)計(jì)、參數(shù)的計(jì)算和元器件的選擇。查閱相關(guān)資料得知，由于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)比較復(fù)雜，可以采用模塊化的設(shè)計(jì)思想。首先是要考慮的是選用哪種開(kāi)關(guān)電源拓?fù)?，然后是輸入電路，功率因?shù)校正，高頻變壓器，功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路，控制電路，軟啟動(dòng)和輔助電源，電壓反饋電路，保護(hù)電路等部分的設(shè)計(jì)。把開(kāi)關(guān)電源分解成多個(gè)基本功能模塊進(jìn)行設(shè)計(jì)。這樣，按照一定順序和方式進(jìn)行設(shè)計(jì)會(huì)使設(shè)計(jì)變得更加容易。

在電力電子技術(shù)的應(yīng)用及各種電源系統(tǒng)中，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)均處于核心地位。對(duì)于大型電解電鍍電源，傳統(tǒng)的電路非常龐大而笨重，如果采用高頻開(kāi)關(guān)電源技術(shù)，其體積和重量都會(huì)大幅度下降，而且可極大提高電源利用效率、節(jié)省材料、降低成本。在電動(dòng)汽車和變頻傳動(dòng)中，更是離不開(kāi)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)。

這幾年，隨著通信行業(yè)的發(fā)展，以開(kāi)關(guān)電源技術(shù)為核心的通信用開(kāi)關(guān)電源，僅國(guó)內(nèi)就有20多億人民幣的市場(chǎng)需求，吸引了國(guó)內(nèi)外一大批科技人員對(duì)其進(jìn)行開(kāi)發(fā)研究。開(kāi)關(guān)電源代替線性電源是大勢(shì)所趨。還有其它許多以開(kāi)關(guān)電源技術(shù)為核心的專用電源、工業(yè)電源正在等待著人們?nèi)ラ_(kāi)發(fā)。致謝時(shí)間飛逝，大學(xué)的學(xué)習(xí)生活很快就要過(guò)去，在這四年的學(xué)習(xí)生活中，收獲了很多，而這些成績(jī)的取得是和一直關(guān)心幫助我的人分不開(kāi)的。

首先非常感謝學(xué)校開(kāi)設(shè)這個(gè)課題，為本人日后從事計(jì)算機(jī)方面的工作提供了經(jīng)驗(yàn)，奠定了基礎(chǔ)。本次畢業(yè)設(shè)計(jì)大概持續(xù)了半年，現(xiàn)在終于到結(jié)尾了。本次畢業(yè)設(shè)計(jì)是對(duì)我大學(xué)四年學(xué)習(xí)下來(lái)最好的檢驗(yàn)。經(jīng)過(guò)這次畢業(yè)設(shè)計(jì)，我的能力有了很大的提高，比如操作能力、分析問(wèn)題的能力、合作精神、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ髯黠L(fēng)等方方面面都有很大的進(jìn)步。這期間凝聚了很多人的心血，在此我表示由衷的感謝。沒(méi)有他們的幫助，我將無(wú)法順利完成這次設(shè)計(jì)。

首先，我要特別感謝我的指導(dǎo)老師李琦老師對(duì)我的悉心指導(dǎo)，在我的論文書(shū)寫(xiě)及設(shè)計(jì)過(guò)程中給了我大量的幫助和指導(dǎo)，為我理清了設(shè)計(jì)思路和操作方法，并對(duì)我所做的課題提出了有效的改進(jìn)方案。李琦老師淵博的知識(shí)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)淖黠L(fēng)和誨人不倦的態(tài)度給我留下了深刻的印象。從他身上，我學(xué)到了許多能受益終生的東西。再次對(duì)李琦老師表示衷心的感謝。

其次，我要感謝大學(xué)四年中所有的任課老師和輔導(dǎo)員在學(xué)習(xí)期間對(duì)我的嚴(yán)格要求，感謝他們對(duì)我學(xué)習(xí)上和生活上的幫助，使我了解了許多專業(yè)知識(shí)和為人的道理，能夠在今后的生活道路上有繼續(xù)奮斗的力量。

另外，我還要感謝大學(xué)四年和我一起走過(guò)的同學(xué)朋友對(duì)我的關(guān)心與支持，與他們一起學(xué)習(xí)、生活，讓我在大學(xué)期間生活的很充實(shí)，給我留下了很多難忘的回憶。

最后，我要感謝我的父母對(duì)我的關(guān)系和理解，如果沒(méi)有他們?cè)谖业膶W(xué)習(xí)生涯中的無(wú)私奉獻(xiàn)和默默支持，我將無(wú)法順利完成今天的學(xué)業(yè)。參考文獻(xiàn)[1]張占松，蔡宣三.開(kāi)關(guān)電源的原理與設(shè)計(jì)[M].北京：電子工業(yè)出版社，2004[2]沙占友，王曉君.反激式單片開(kāi)關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)[M].北京：機(jī)械工業(yè)出版社。[3]趙同賀,劉軍.開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)與應(yīng)用實(shí)例[M].

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INC.

Designing

Multiple

Output

Flyback

Power

Supplies

with

TOPSwitch

Application.

Note

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開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用.[M]

上海：上?？茖W(xué)普及出版社，1995[9]劉勝利.

高頻開(kāi)關(guān)電源實(shí)用新技術(shù).[M]

北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2005基于C8051F單片機(jī)直流電動(dòng)機(jī)反饋控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與研究基于單片機(jī)的嵌入式Web服務(wù)器的研究MOTOROLA單片機(jī)MC68HC（8）05PV8/A內(nèi)嵌EEPROM的工藝和制程方法及對(duì)良率的影響研究基于模糊控制的電阻釬焊單片機(jī)溫度控制系統(tǒng)的研制基于MCS-51系列單片機(jī)的通用控制模塊的研究基于單片機(jī)實(shí)現(xiàn)的供暖系統(tǒng)最佳啟停自校正（STR）調(diào)節(jié)器單片機(jī)控制的二級(jí)倒立擺系統(tǒng)的研究基于增強(qiáng)型51系列單片機(jī)的TCP/IP協(xié)議棧的實(shí)現(xiàn)基于單片機(jī)的蓄電池自動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)基于32位嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)的圖像采集與處理技術(shù)的研究基于單片機(jī)的作物營(yíng)養(yǎng)診斷專家系統(tǒng)的研究基于單片機(jī)的交流伺服電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)研究與開(kāi)發(fā)基于單片機(jī)的泵管內(nèi)壁硬度測(cè)試儀的研制基于單片機(jī)的自動(dòng)找平控制系統(tǒng)研究基于C8051F040單片機(jī)的嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)基于單片機(jī)的液壓動(dòng)力系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測(cè)儀開(kāi)發(fā)模糊Smith智能控制方法的研究及其單片機(jī)實(shí)現(xiàn)一種基于單片機(jī)的軸快流CO〈,2〉激光器的手持控制面板的研制基于雙單片機(jī)沖床數(shù)控系統(tǒng)的研究基于CYGNAL單片機(jī)的在線間歇式濁度儀的研制基于單片機(jī)的噴油泵試驗(yàn)臺(tái)控制器的研制基于單片機(jī)的軟起動(dòng)器的研究和設(shè)計(jì)基于單片機(jī)控制的高速快走絲電火花線切割機(jī)床短循環(huán)走絲方式研究基于單片機(jī)的機(jī)電產(chǎn)品控制系統(tǒng)開(kāi)發(fā)基于PIC單片機(jī)的智能手機(jī)充電器基于單片機(jī)的實(shí)時(shí)內(nèi)核設(shè)計(jì)及其應(yīng)用研究基于單片機(jī)的遠(yuǎn)程抄表系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與研究基于單片機(jī)的煙氣二氧化硫濃度檢測(cè)儀的研制基于微型光譜儀的單片機(jī)系統(tǒng)單片機(jī)系統(tǒng)軟件構(gòu)件開(kāi)發(fā)的技術(shù)研究基于單片機(jī)的液體點(diǎn)滴速度自動(dòng)檢測(cè)儀的研制基于單片機(jī)系統(tǒng)的多功能溫度測(cè)量?jī)x的研制基于PIC單片機(jī)的電能采集終端的設(shè)計(jì)和應(yīng)用基于單片機(jī)的光纖光柵解調(diào)儀的研制氣壓式線性摩擦焊機(jī)單片機(jī)控制系統(tǒng)的研制基于單片機(jī)的數(shù)字磁通門(mén)傳感器基于單片機(jī)的旋轉(zhuǎn)變壓器-數(shù)字轉(zhuǎn)換器的研究基于單片機(jī)的光纖Bragg光柵解調(diào)系統(tǒng)的研究單片機(jī)控制的便攜式多功能乳腺治療儀的研制基于C8051F020單片機(jī)的多生理信號(hào)檢測(cè)儀基于單片機(jī)的電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)Pico專用單片機(jī)核的可測(cè)性設(shè)計(jì)研究基于MCS-51單片機(jī)的熱量計(jì)基于雙單片機(jī)的智能遙測(cè)微型氣象站MCS-51單片機(jī)構(gòu)建機(jī)器人的實(shí)踐研究基于單片機(jī)的輪軌力檢測(cè)基于單片機(jī)的GPS定位儀的研究與實(shí)現(xiàn)基于單片機(jī)的電液伺服控制系統(tǒng)用于單片機(jī)系統(tǒng)的MMC卡文件系統(tǒng)研制基于單片機(jī)的時(shí)控和計(jì)數(shù)系統(tǒng)性能優(yōu)化的研究基于單片機(jī)和CPLD的粗光柵位移測(cè)量系統(tǒng)研究單片機(jī)控制的后備式方波UPS提升高職學(xué)生單片機(jī)應(yīng)用能力的探究基于單片機(jī)控制的自動(dòng)低頻減載裝置研究基于單片機(jī)控制的水下焊接電源的研究基于單片機(jī)的多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)基于uPSD3234單片機(jī)的氚表面污染測(cè)量?jī)x的研制基于單片機(jī)的紅外測(cè)油儀的研究96系列單片機(jī)仿真器研究與設(shè)計(jì)基于單片機(jī)的單晶金剛石刀具刃磨設(shè)備的數(shù)