Ce摻雜對PCrNi-4壓電陶瓷性能的影響班級：研0801學生：鞠超指導(dǎo)教師：黃世峰教授匯報內(nèi)容1、研究背景及意義PZT壓電陶瓷具有優(yōu)異的壓電、介電和光電等電學性能，廣泛地應(yīng)用于電子、航天等高技術(shù)領(lǐng)域，用于制備傳感器、換能器、存儲器等電子元器件。因應(yīng)用的場所和作用不同，對壓電陶瓷材料性能有著不同的要求。

發(fā)射型材料:“硬性”壓電陶瓷材料，其d大，g則不一定大；

接收型材料:“軟性”材料，其g大，d則不一定大；收發(fā)兼用材料：其d與g的乘積要大；

眾所周知，在大功率器件的應(yīng)用中會產(chǎn)生眾多問題：例如，諧振頻率的漂移；發(fā)熱帶來的機電耦合系數(shù)的減小和熱穩(wěn)定性變差等。其中的熱量產(chǎn)生會帶來升溫，當溫度上升到一定值時，將使材料去極化，使材料的壓電介電體系完全失去功效。所以大功率壓電材料具有的損耗要小，承受的功率密度大，對穩(wěn)定性的要求也比較高。收發(fā)兼?zhèn)鋲弘娞沾赡軌驅(qū)崿F(xiàn)機械能和電能之間的相互轉(zhuǎn)化，且具有發(fā)射、接收信號于一體的特有屬性，成為當前的一大研究熱點；在眾多的應(yīng)用領(lǐng)域中，功率型壓電陶瓷的應(yīng)用需求越來越大，傳統(tǒng)收發(fā)兼?zhèn)渑浞缴a(chǎn)的壓電陶瓷已不能滿足大功率應(yīng)用的要求。因此制備具有大功率收發(fā)兼?zhèn)涞膲弘娞沾删哂袕V闊的應(yīng)用前景。壓電陶瓷主要性能參數(shù)機電耦合系數(shù)kp機械品質(zhì)因數(shù)Qm介電常數(shù)及介電損耗壓電陶瓷性能壓電應(yīng)變常數(shù)d332.1CeO2摻雜對壓電陶瓷相組成的影響2θ在10~70°區(qū)間的x射線衍射圖2θ在40~50°區(qū)間的x射線衍射圖2.2CeO2摻雜對壓電陶瓷顯觀結(jié)構(gòu)的影響2.3CeO2摻雜對壓電及介電性能的影響2.絲式5慮Ce遮O2摻雜匪對溫鬧頻穩(wěn)福定性口的影版響圖8不同Ce羊O2摻雜部量的決壓電灣陶瓷晝諧振協(xié)頻率顧隨溫奸度的顧變化4結(jié)論研究旬了Ce稠O2摻雜蝕量對PC依rN食i-地4壓電擠陶瓷下相結(jié)扇構(gòu)、勇顯微秒結(jié)構(gòu)仔、壓誦電及藍介電決性能跪的影俱響，因分析匠討論恥了Ce饅O2摻雜鳴的作糠用機霞理，洗得到趨以下妹結(jié)論嚼：Ce摻雜皺對相謙結(jié)構(gòu)臣影響遷不大衛(wèi)，均風為為秘鈣鈦揪礦結(jié)邪構(gòu)，糖但會饒引起盆晶格督畸變?nèi)?。隨喘著摻完雜量甚的增望多，牽使相憑結(jié)構(gòu)灑由四屠方相畢逐漸鏟轉(zhuǎn)化駝為三襖方相凡，準魔同性廈相界戰(zhàn)向四艇方相綁移動挑；研究捉了Ce政O2摻雜揪量對PC瘡rN僅i-醬4壓電趁陶瓷牙相結(jié)巧構(gòu)、賞顯微沖結(jié)構(gòu)必、壓卵電及紗介電塵性能蘆的影框響，臥分析極討論繼了Ce程O2摻雜堂的作窄用機相理，魯?shù)玫铰岩韵逻`結(jié)論年：Ce摻雜退對相倆結(jié)構(gòu)塞影響暖不大猜，均稠為為唉鈣鈦匪礦結(jié)艷構(gòu)，櫻但會俘引起矮晶格汪畸變香。隨管著摻將雜量品的增齒多，伯使相受結(jié)構(gòu)務(wù)由四黃方相睜逐漸朋轉(zhuǎn)化墾為三追方相貌，準雖同性除相界攝向四情方相跑移動助；適必量的Ce摻雜社能夠幅促進錄晶粒輕的生尾長，煩空隙康減少撇，使乒結(jié)構(gòu)紀更加搖致密誕。當Ce通O2摻雜銷為0.持3w擁t%，陶棕瓷的修晶形要飽滿粱，晶盛粒大跡小均拋勻。當Ce槐O(jiān)2摻雜狂量為0.冶3w魔t%，燒湊結(jié)溫豬度為12我80掛℃時，挽制備擁的壓鑒電陶缺瓷試誘樣的椅介電蕉損耗局最小蕩，同憑時其刻他性惰能參安數(shù)分體別為羞：εr=1坦40打0，ta倒nδ=倡0.將00月23瞧8，d33=3圣75惕pC賊/N，