1.1數(shù)學八年級上冊同步練習：1.1數(shù)學八年級上冊同步練習：12.2.1三角形全等的判定SSS3#v0 0.5 I 1.5 2?b尤創(chuàng)技術(shù)版本因素曲餞?Throughpui(WPH)LiilioCellCostMaskCost0 0.5 I 1.5 2?b尤創(chuàng)技術(shù)版本因素曲餞?Throughpui(WPH)LiilioCellCostMaskCostMaskUsage■ProductYieldwfreworkIithoCcllRdiaWlltvfMTBG)?ProductYieldNORework6504未來光刻技術(shù)的發(fā)展隨著電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進步和發(fā)展，光刻技術(shù)及其應用已經(jīng)遠遠超出了傳統(tǒng)意義上的范疇，如上所述，它兒乎包括和覆蓋了所有微細圖形的傳遞、微細圖形的加工和微細圖形的形成過程。因此,未來光刻技術(shù)的發(fā)展也是多元化的，應用領域的不同會有所不同，但就占有率最大的半導體和微電子產(chǎn)品領域而言，實現(xiàn)其納米水平產(chǎn)業(yè)化的光刻技術(shù)將分成兩個階段，即90?32nm階段將仍然由深紫外和極紫外光刻結(jié)合一些新的技術(shù)手段去完成，同時納米壓印和掃描探針光刻技術(shù)在45nm技術(shù)節(jié)點將會介入進行過渡；32nm以下的規(guī)模生產(chǎn)光刻技術(shù)將在納米壓印和掃描探針光刻技術(shù)之間選擇。正如一位專家2005年預測，為實現(xiàn)32nm節(jié)點以下的納米成像技術(shù)的規(guī)?；a(chǎn)，在接下來的5年內(nèi)，納米成像技術(shù)的發(fā)展將會加快，平均每年增長44.6%,其中發(fā)展最快的將會是納米壓印光刻和掃描探針光刻技術(shù)，到2013年，32nm的大生產(chǎn)技術(shù)節(jié)點將得以實現(xiàn)，如圖1所示。另外，F(xiàn)PD產(chǎn)業(yè)作為光刻技術(shù)應用的另外一個分支，在未來的占有率將會上升，除了已經(jīng)形成的對光刻技術(shù)需求的共識外（大面積、低分辨率和1：1折反射投影式等），一些新的技術(shù)也在開發(fā)中，如電子束光刻技術(shù)和激光直寫光刻技術(shù)等?？傊?，未來光刻技術(shù)的發(fā)展將會更快，技術(shù)上將會更加集中，一些沒有市場前景和應用的技術(shù)將會淘汰。參考文獻

PLUMMERJD.硅超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2004.莊同曾.集成電路制造技術(shù)原理與實踐[M].北京:電子工業(yè)出版社,1992.丁玉成，劉紅忠,盧秉恒，李滌塵.下一代光刻技術(shù)一壓印光刻[J].機械工程學報,2007,(03)王美玲呂之圣科技信息-2008年7期徐文祥王建 華中科技大學學報：自然科學版-2007年S1期《納米光刻技術(shù)現(xiàn)狀與進展》耿磊陳勇發(fā)表于《世界科技研究與發(fā)展》2005.06物業(yè)管理有限公司物業(yè)交接目錄序號資料名稱備注1物業(yè)移交驗收表2房屎及公用設施等移交驗收交接表3管理資料移交表8機電設備驗收單9設備房鑰匙移交清單10房間鑰匙移交表11給排水系統(tǒng)圖紙目錄13公用場地移交清單14管理用房移交接管一覽表15水、電、消防資料移交清單17設備/設施接