1酞菁氯化鋁的合成及光電器件制備金屬酞菁化合物具有獨特的平面分子結構，這類特殊的物質發(fā)展相當迅速。作為一類特殊有機化合物，已受到越來越多的科學家的關注。各種各樣的金屬酞菁廣泛應用于電子涂料、工廠印刷、電子照相、光電化學、電子元器件、醫(yī)學醫(yī)療等領域。本文主要通過化提純，元素分析，再對制備的樣第一章引言質，當這種無色的物質受熱后，生成了時他們卻沒有給它命名。酞菁這一名詞第一和染料等著色劑，這主要是因為)不僅色光十分鮮艷，著色力很高，而金屬元素。金屬元素中又以銅等普2Pa、Np、Am)等?；衔镉志哂泻芏喙δ?，所以人們的特殊性，所以合成的酞菁化合物對義。本文就是以酞菁氯化鋁所制備成第二章酞菁配合物簡介2.1酞菁材料簡介發(fā)現以來，這類化合物的發(fā)制得和發(fā)現。它們的用途也由酞菁顏料因為其優(yōu)良的耐熱和子在很多方面都能起到一定多科學研究方面都有一些獨特3度等。而酞菁正好具備以上2.2酞菁的結構葉綠素及血紅素。通常，它們是四個吡咯單元融合芳香結構(如圖2-1)。除了結構類似卟啉、葉綠素及血紅非常穩(wěn)定的特性，而且耐酸，耐物。兩者都是經氧化降解的酰亞胺二元2.3酞菁配合物大部分是金屬元素，而且酞性可以形成一分子配位體或多分子配位腈混合加熱反應，生成物即含有一分子4鐵)是他們不易分離開來，所以只有通過破壞酞菁環(huán)才能將其分開。大部分金屬離子在與酞菁結合時并不會使酞菁大環(huán)發(fā)生顯著畸變，然而也有個別金屬離子由于本身的半徑太大導致不能完全進入到酞菁的空穴中，只能處于大環(huán)平面的上面，從而使酞菁發(fā)生比較明顯的變形。對于呈正一價態(tài)的金屬離子來說，酞菁分子中心的氮原子一般會與兩個金屬陽離為同代正電而發(fā)生排斥，所以兩，這是與它在材料方主要應用于光動力學治療，作PDT一個有效的方法。屬酞菁及其衍生物，金屬酞菁的性能有關。金屬酞菁能催化氧化2.4酞菁化合物的用途據這一原理以有機半導體材料制D用。場效應晶體管是設計集成電路的基本元件.有機場效應晶體管(OFET)是近年發(fā)展的一可通過化學方法得到不同的分子，而且有機場效應晶體管在室溫下易于加工，成本低廉，智能卡等等。料應用于5無機光電導材料比較,價廉，低毒，來源計，得到不同性能的光電導近來有研究表明,酞菁在可逆光存儲方面也具有相當大的潛力，這有待科學家們的探索。酞菁化合物對近紅外光較為敏感,吸收的波長適宜,并且具有優(yōu)異的光熱穩(wěn)定性,可以用作光盤的記錄介質，可將其制成CD-R，質量很不錯。材料器件功能的超微型器件，另有機金屬和其他分子材料制造出的用于微電子領域的新型元件，其研究內容涉及分子整流應。條件下催化有機物自動氧化以及模擬生方向。對干我們模擬酶催化，探討生物理和理論具有十分重要的意義。法的主要應用物質即為有機材料光敏劑。這些有機材料光敏劑能進入并且胞中，并且緩慢積累，當我們用特定波長的光激發(fā)產生光動力反應從而使得癌6第三章酞菁氯化鋁的合成及表征。RRR11HN11CNCNHNNHN3CNCNHNR4R4R4MRn+nMRn+MR1OR1O1NNRNCNNRN2RMn+2n2RMn+2RMNMNRRMNMNR3HNOCR32NNNRNNN3R34O4R4Rn+MMnRn+MMMn+MR1RO1R11RO1RR2R2HRR2R222ORRR333RRR3332RORR4R4447其中鎂(此方法以鎂為例，其他金屬元素也可類似得到產物)或鎂的氧化物或鎂的碳酸鹽成酞菁鎂，然后用溶解，洗滌，洗出酞菁89即可制得酞菁氯化鋁。由于合成的酞菁氯化鋁中含有大量未反應的鄰苯二甲腈和三氯苯等、過濾的提純操作，以得裝瓶后，對其進行元素分制成比較簡單的半；(2)實驗試劑：鄰苯二甲腈；三氯化鋁；硫酸；丙酮；鋁粉；三氯苯；去離子水等。(1)酞菁氯化鋁的合成聲波清洗儀器中20分鐘左右，是反應物充分混合接觸，再在燒瓶底部貼上連接熱電偶的(2)酞菁氯化鋁的提純酸，做酸化處理，將其中能溶于酸濾操作，將得到濾餅洗滌，并在此1由于該方法為化學合成方法，故實驗藥品為一些有毒且具有揮發(fā)性的化學試劑，所以人們認為溫度升高的速度會影響生成酞菁化合物的反應，這是由于在開口燒瓶內，鄰快驗的基減小誤差，制備盡量多，足夠純凈的酞菁3.5產率分析表4-2酞菁氯化鋁的產量及產率表理論產量(理論產量(g)實際產量(g)3.6元素分析的平均值，制得以下表格，分析結N2.7852.870誤差9.48.05碳元素和氫元素的誤差分別為10.82%、9.84%和3.05%，種元素分別計算得到的純度為90.0%，90.1%,97.0%,取三種的平均數大致估計我們得到的樣品的純度在93.0%左右。結果分析:理論上各元素的含量與實際測得的各元素的含量差距不小，這說明合成的酞菁產率則意味著我們析。元素含量與理論含量的比較接近，而碳、氮元素的實際值與薄膜性能不夠優(yōu)越，是由于實驗設第四章酞菁氯化鋁薄膜器件的制備及光電性能分析空鍍膜方法簡介優(yōu)缺點，本實驗發(fā)物質的原子或分間、溫度以及蒸發(fā)源與待鍍工件距積的蒸發(fā)鍍膜，應該采用旋基片之間的距離應該小于蒸2結構示意圖如下:1.在沒有光照的條件下，測得不同柵極電壓下，暗電流隨源極和漏極之間的電壓變化的關系如圖所示:322s20V40V60V80V00VIId-2-4-50-40-30-20-10010V(V)圖4-3暗電流輸出特性曲線(1#)壓的增大而增大，表現出顯著的場效6V=-10V=-100VgsWmm2I-4-6-50-40-30-20-10010V(V)圖4-4650nm波長光電流輸出特性曲線(1#)64242gsgsmmII-6-50-40-30-20-10010V(V)I0-50102030VI0-50102030V(V)1.器件二沒有作任何處理，在沒有光照的條件下，測得暗電流在不同柵極電壓下，隨源極50VVV0V暗電流輸出特性曲線(2#)暗電流輸出特性曲線(2#)nmVgsV，變化光強的大小，測得電流隨源0-100WWmmsIdI00600-100102030405060V(V)圖4-7650nm波長光輸出特性曲線(2#，關態(tài))圖4-7為器件二在不同光功率下的輸出特性曲線(取Vgs=0V，器件處于關態(tài))，由圖可IIWWmmsId-1000-1500-2000-100102030405060V(V)圖4-8650nm波長光輸出特性曲線(2#，開態(tài))-8為器件二在不同光功率下的輸出特性曲線(取Vgs=50V，器件處于開態(tài))，由圖可00V0VVV0VVds-300060405060-100405060V(V)圖4-9暗電流輸出特性曲線(3#)20Vgs0sIdId-20mm30300405060-100405060V(V)圖4-10850nm波長光電流輸出特性曲線(3#，關態(tài))Vgs=50V200mmmmsIdI405000-1001020-10V(V)850nm波長光輸出特性曲線(3#sdI50VV50V-152025405060-100405060V(V)圖4-12暗電流輸出特性曲線(4#)80Vgs=0V20s-20060s-20060WmmIdI-100-100102030-100102030V(V)650nm650nm波長光電流輸出特性曲線(4#，關態(tài))600Vgs=50V00s-400s-400600-1000WmmI-1200-100102030-100102030V(V)650nm650nm波長光電流輸出特性曲線(4#