———微電子學(xué)微電子學(xué)試卷(練習(xí)題庫)

1、列舉出你見到的、想到的不同類型的集成電路及其主要作用？

2、用你自己的話解釋微電子學(xué)、集成電路的概念？

3、簡單敘述微電子學(xué)對(duì)人類社會(huì)的作用？

4、載流子的輸運(yùn)有哪些模式？對(duì)這些輸運(yùn)模式進(jìn)行簡單的描述。

5、閂鎖效應(yīng)起因？

6、什么是集成電路。

33、所謂（），指在時(shí)間上和幅度上離散取值的信號(hào)。

34、計(jì)算機(jī)中運(yùn)行的信號(hào)是脈沖信號(hào)，但這些脈沖信號(hào)均代表著確切的數(shù)字，因而又叫做（）。

35、半導(dǎo)體集成電路是采用半導(dǎo)體工藝技術(shù)，在硅基片上制作包括電阻、電容、（）、晶體管等元器件并具有某種電路

36、MOS型集成電路又分為NMOS、PMOS、（）型。

37、集成電路的特征尺寸有時(shí)也稱線寬，通常是指集成電路中半導(dǎo)體器件的（）。

38、集成電路的特征尺寸是衡量集成電路加工工藝水平和（）的主要指標(biāo)。

39、集成電路制造通常包括集成電路設(shè)計(jì)、工藝加工、（）、封裝等工序。

40、雙極型晶體管其有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和（）型。

41、雙極型晶體管可以用來產(chǎn)生、放大和處理各種（）。

42、能量最高的是價(jià)電子所填充的能帶，稱為（）。

43、2000年，因發(fā)明集成電路而被授予諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)的是（）。

44、在微電子學(xué)中的空間尺寸通常是以μm和（）為單位的。

45、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，熱穩(wěn)定性很（）。

46、非晶、（）、單晶是固體的三種基本類型。

47、晶體性質(zhì)的基本特征之一是具有（）。

48、MOSIC的缺點(diǎn)是（）。

49、硅和鍺都是Ⅳ族元素，它們具有（）結(jié)構(gòu)。

50、（）集成電路已成為集成電路的主流。

51、一般認(rèn)為MOS集成電路功耗低、（），宜用作數(shù)字集成電路。

52、遷移率反映的是載流子（）在單位電場(chǎng)作用下的平均漂移速度。

53、反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的一個(gè)重要參數(shù)是（）。

54、組合邏輯電路的輸出狀態(tài)只與當(dāng)時(shí)的（）有關(guān)。

55、微電子技術(shù)、通信技術(shù)和因特網(wǎng)技術(shù)構(gòu)成了信息技術(shù)發(fā)展的三大基礎(chǔ)。

56、微電子技術(shù)的核心是集成電路，處理器是集成電路的標(biāo)志性產(chǎn)品之一。

57、雙極集成電路中的晶體管工作機(jī)理依賴于電子或者空穴。

58、EDA是計(jì)算機(jī)輔助測(cè)試的英文簡稱。

59、在集成電路制造工藝步驟中，光刻與刻蝕能把掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上來。

60、雙極型集成電路工藝是用來制造CMOS集成電路。

61、常用來制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管的材料是直接躍遷晶體材料。

62、SOC指的是系統(tǒng)芯片。

63、微機(jī)電系統(tǒng)的制造工藝與IC制造工藝是完全一樣的。

64、常用的IC設(shè)計(jì)方法有全定制設(shè)計(jì)方法、標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)方法、門陣列設(shè)計(jì)方法和可編程邏輯電路設(shè)計(jì)方法等。對(duì)于

65、從電路原理受控源的角度本質(zhì)上看，工作在飽和區(qū)的MOS晶體管本質(zhì)等效為電壓控制電流源。

66、標(biāo)準(zhǔn)雙極型工藝中的縱向NPN晶體管的發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)小。

67、對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，如果反偏電壓降低，耗盡區(qū)寬度將減小。

68、半導(dǎo)體激光器的工作原理是受激發(fā)射。

69、同種半導(dǎo)體材料在相同溫度下電子的遷移率比空穴的遷移率小。

70、對(duì)于處于飽和區(qū)的MOS晶體管，漏源電流隨其寬長比的增大而增大。

71、CMOS電路與雙極集成電路相比速度快。

72、對(duì)于發(fā)光二極管，其內(nèi)量子效率比外量子效率小。

73、如果光刻膠在曝光前可溶于某種溶液而經(jīng)過曝光后不可溶，則這種光刻膠為正膠。

74、什么是N型半導(dǎo)體？什么是P型半導(dǎo)體？如何獲得？

75、簡述晶體管的直流工作原理？

76、晶體管的基極寬度會(huì)影響那些參數(shù)？為什么？

77、經(jīng)過那些工藝流程可以實(shí)現(xiàn)選擇“摻雜”？寫出工藝流程。

78、PN結(jié)的寄生電容有幾種，形成機(jī)理，對(duì)PN結(jié)的工作特性及使用的影響？

79、什么是基區(qū)寬變效應(yīng)，基區(qū)寬變效應(yīng)受哪些因素影響？

80、CMOS集成電路版圖設(shè)計(jì)中，什么是有比例設(shè)計(jì)和無比例設(shè)計(jì)，對(duì)電學(xué)參數(shù)有哪些影響？

81、對(duì)門電路而言，高低電平噪聲容限受哪些因素影響？

82、在雙極集成電路制造中，為什么要采用外延和埋層工藝？

83、什么是線性電源？

84、短溝道效應(yīng)

85、溝道長度調(diào)制效應(yīng)

86、“摻雜”

87、厄利電壓

88、平帶電壓

89、擴(kuò)散法（diffusion）

90、離子注入

91、退火

92、什么是電路模擬？其在IC設(shè)計(jì)中的作用。

93、試述器件模擬和工藝模擬的基本概念。

94、SPICE主要可以完成哪些主要的電路分析。

95、列出邏輯模擬中的主要延遲模型，并給出簡單說明。

96、半導(dǎo)體發(fā)光器件的基本原理是什么？

97、版圖驗(yàn)證和檢查包括哪些內(nèi)容？如何實(shí)現(xiàn)？

98、層次化、結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)概念，集成電路設(shè)計(jì)域和設(shè)計(jì)層次。

99、Wafer晶元

100、Die芯片裸片

12>>

101、ASIC專用集成電路

102、MASK掩模版

103、HDL硬件描述語言

104、集成電路設(shè)計(jì)和分立電路設(shè)計(jì)相比，有哪些特點(diǎn)？

105、MEMS工藝與微電子工藝技術(shù)有那些區(qū)別。

106、集成電路技術(shù)發(fā)展的方向有哪些？盡可能描述。

107、什么是MEMS？它主要包括哪幾個(gè)部分？并簡述各個(gè)部分的功能。

108、MPW多項(xiàng)目晶圓

109、Wafer

110、IC

111、MooreLaw

112、