.08.26行業(yè)研.08.261敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款拐點已至，存儲先起方正證券研究所證券研究報告分析師鄭震湘S20523080004佘凌星S3070005鐘琳S3070006劉嘉元S3080001公司信息數(shù)92),440.55(億元)95.15元)6.68)3行行業(yè)相對指數(shù)表現(xiàn)22/8/2622/11/723/1/1923/4/223/6/1423/8/26數(shù)據(jù)來源：wind方正證券研究所相相關(guān)研究Q全球半導(dǎo)體硅片出貨面積達(dá)到SW司處于股票回購的進(jìn)程qoqDRAM存條部分產(chǎn)品價格說明可穿戴在新興市場仍電子行業(yè)深度報告2敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款正文目錄 3敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款 SW3.8.19) 12 圖表17:NandFlash本周收盤價較上周變動一覽(美元) 16 SD 圖表21:eMMC產(chǎn)品均價(美元) 17 DR 圖表24:DDR34GB現(xiàn)貨均價(美元) 18圖表25:DDR3部分產(chǎn)品合約均價(美元) 18圖表26:DDR416GB現(xiàn)貨均價(美元) 19圖表27:DDR4中低容量產(chǎn)品現(xiàn)貨均價(美元) 19圖表28:DDR416GB合約均價(美元) 19圖表29:DDR4中低容量產(chǎn)品合約均價(美元) 19圖表30:DDR516GB現(xiàn)貨均價(美元) 20圖表31:DDR5內(nèi)存條合約均價(美元) 20B 圖表34:LPDDR均價(美元) 21 圖表36:DDR4RDIMM16GB3200MHz現(xiàn)貨均價(美元) 21圖表37:中國臺灣存儲進(jìn)出口值自年初以來波動中不斷增長(百萬新臺幣) 22 圖表40:臺股封測板塊月度營收及增速(億新臺幣) 24 圖表42:全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模集及增速(億美元) 25 4敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款 DDIC封裝基板上) 33IC re 5敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款 圖表95:臺股光學(xué)板塊月度營收及增速(億新臺幣) 51S 電子行業(yè)深度報告9敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款伴將資料來源：SIA，Wind，方正證券研究所態(tài)勢。電子行業(yè)深度報告7敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款資料來源：SIA，Wind，方正證券研究所Q在未來幾年持續(xù)驅(qū)動硅片需求的增長。電子行業(yè)深度報告8敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款0035%30%25%15%10%5%0%-5%-20%全球半導(dǎo)體硅片營收規(guī)模(億美元) Y資料來源：SEMI，方正證券研究所2022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2 全球半導(dǎo)體硅片季度出貨面積(億平方英寸) QoQ(右軸)4%2%0%-2%-4%-6%-8%資料來源：SEMI，方正證券研究所0020%10%5%-5%全球半導(dǎo)體硅片出貨面積(億平方英寸) Y資料來源：SEMI，方正證券研究所 YoYSP資料來源：SEMI，方正證券研究所，電子行業(yè)深度報告6敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款下硅片進(jìn)口數(shù)量及增速06040200Jan-20Mar-20May-20Jul-20Sep-20Nov-20Jan-21Mar-21May-21Jul-21Sep-21Nov-21Jan-228"及以上12"(不含)以下硅片進(jìn)口數(shù)量(萬片)Mar-22May-22Mar-22May-22Jul-22Sep-22Nov-22Jan-23Mar-23 MoM(右軸)MayMay-23Jul-2360%50%40%30%20%0%-20%-30%-40%-50%下硅片進(jìn)口金額及增速07060504030200Jan-20Mar-20May-20Jul-20Sep-20Nov-20Jan-21Mar-21May-21Jul-21Sep-21Nov-21Jan-228"及以上12"(不含)以下硅片進(jìn)口金額(百萬美元)Mar-22May-22Mar-22May-22Jul-22Sep-22Nov-22Jan-23Mar-23 MoM(右軸)MayMay-23Jul-2360%50%40%30%20%0%-20%-30%-40%-50%電子行業(yè)深度報告10敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款Jan-20Mar-20May-20Jul-20Sep-20Nov-20Jan-21Mar-21May-21Jul-21SepJan-20Mar-20May-20Jul-20Sep-20Nov-20Jan-21Mar-21May-21Jul-21Sep-21Nov-21Jan-22Mar-22May-22Jul-22Sep-22Nov-22Jan-23Mar-23May-23Jul-23Jan-20Mar-20May-20Jul-20Sep-20Nov-20Jan-21Mar-21May-21Jul-21Sep-21Nov-21Jan-22Mar-22May-22Jul-22Sep-22Nov-22Jan-23Mar-23May-23Jul-2330025020050040%30%20%0%-20%-30%12"及以上硅片進(jìn)口數(shù)量(萬片)MoM(右軸)25020050050%40%30%20%0%-20%-30%12"及以上硅片進(jìn)口金額(百萬美元)MoM(右軸) 電子行業(yè)深度報告11敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款及三季度指引(十億美金，%)公司2023Q2(十億美金)2023Q2環(huán)比(%)2023Q3指引(環(huán)比，%)英特爾12.9%3.50%11.27.30%不適用英偉達(dá)11.0(指引值)53%(指引值)不適用博通8.85(指引值)1.30%(指引值)不適用7.17-10%0.40%5.5539%不適用AMD5.360.10%6.40%TI4.533.50%0.40%英飛凌4.46-0.70%-2.20%意法半導(dǎo)體4.331.90%1.20%光3.751.60%3.90%恩智浦3.305.70%3.10%ADI3.260.40%-5.00%聯(lián)發(fā)科3.201.70%4.80%瑞薩2.682.50%0.40%nductorIntelligence彰顯了上市公司對于未來長期發(fā)展的堅定信心。電子行業(yè)深度報告12敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款 FY24Q2(CY23Q2)業(yè)績：qoq+88%，超出彭博一致預(yù)期(110.4億美元)電子行業(yè)深度報告13敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款QqQs00營收(億美元)YoY(%)資料來源：Wind，方正證券研究所0資料來源：Wind，方正證券研究所FY24Q2(CY23Q2)分業(yè)務(wù)業(yè)績：彭博一致預(yù)期(80億美元)q預(yù)期(24億美元)博一致預(yù)期(3億美元)q低于彭博一致預(yù)期(3億美元)致預(yù)期(1億美元)%CY21Q1CY21Q2CY21Q3CY21Q4CY22Q1CY22Q2CY22Q3CY22Q4CY23Q1CY23Q2CY23Q3CY23Q4CY24Q1CY24Q2資料來源：Wind，方正證券研究所14敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款：2)推出NVIDIAL40SGPU，是一款通用數(shù)據(jù)中心處理器，旨在加速計算最5)與全球系統(tǒng)制造商聯(lián)合推出全新NVIDIARTX?工作站。6)與AmazonWebServices、MicrosoftAzure和區(qū)域云服務(wù)供應(yīng)商共同NVIDIAH0TensorCoreGPU的云實例。oudEngineACEIAItchetClankRift1)推出三款基于AdaLovelace架構(gòu)的全新桌面工作站RTXGPU(NVIDIARTXI將于本季度出貨礎(chǔ)應(yīng)用程序和服務(wù)開發(fā)、演進(jìn)FY24Q3(CY23Q3)業(yè)績指引：電子行業(yè)深度報告15敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款GAAP毛利率指引區(qū)間為(71.0%-72.0%)；Non-GAAP毛利率指引區(qū)間為(72.0%-存去化帶來的毛利率和業(yè)績雙雙下滑，公司股價出現(xiàn)回落。一績再超預(yù)期，2023Q2單季度營業(yè)收入實現(xiàn)135.1億美金，超出上季度指引 ，美元)電子行業(yè)深度報告16敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款h上周持平。自7月初(7.3)以來SLCNand1GB/2GB/4GB/8GB/16GB的價格跌幅圖表17:NandFlash本周收盤價較上周變動一覽(美元)GbbGb10.437510.43750%5%3%50%33%0%Mch迎來反彈。電子行業(yè)深度報告17敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款SD產(chǎn)品型號2023-07-142023-07-282023-08-14近半月漲跌幅WD:PCIE3.0:WDBlack:250GB:M.275.4581.1980.71-0.6%WD:PCIE3.0:WDBlack:500GB:M.298.5393.6789.91-4.0%Samsung:PCIE3.0:970EVO+:500GB:M.254.8055.4255.26-0.3%Samsung:PCIE3.0:970EVO+:1024GB:M.283.9878.7373.52-6.6%Samsung:PCIE4.0:980PRO:1024GB:M.2109.5097.3196.91-0.4%Kingston:SATA3:A400:240GB:2.5inch30.4929.5530.603.6%Kingston:SATA3:A400:480GB:2.5inch43.4542.4241.60Kingston:SATA3:KC600:512GB:2.5inch95.8570.7868.62S圖表21:eMMC產(chǎn)品均價(美元)圖表22:部分UFS產(chǎn)品均價(美元)電子行業(yè)深度報告18敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款DRGb128Mx161600/18666%Gb256Mx81600/1866Gb256Mx161600/18660%4Gb512Mx8eTT0.8%Gb512Mx81600MHz5%4Gb512Mx8eTTxGxMbps48%72535%6%KingstonDDR34GB1600.00.000%KingstonDDR38GB16000%KingstonDDR48GB32008%KingstonDDR16GB3200KingstonDDR58G48000%DDRGbMxMHzDDRGbMxeTT及跌幅已明顯收斂。圖表24:DDR34GB現(xiàn)貨均價(美元)表25:DDR3部分產(chǎn)品合約均價(美元)R電子行業(yè)深度報告19敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款幅圖表26:DDR416GB現(xiàn)貨均價(美元)圖表27:DDR4中低容量產(chǎn)品現(xiàn)貨均價(美元)圖表28:DDR416GB合約均價(美元)圖表29:DDR4中低容量產(chǎn)品合約均價(美元)已顯著收斂，以DDR58GBU-DIMM內(nèi)存條為例，合約均價4-6月跌幅分別為/2.24%。電子行業(yè)深度報告20敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款圖表30:DDR516GB現(xiàn)貨均價(美元)圖表31:DDR5內(nèi)存條合約均價(美元)B電子行業(yè)深度報告21敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款圖表33:部分GDDR5&GDDR6近三個月現(xiàn)貨均價(美元)圖表34:LPDDR均價(美元)ge金士頓DDR48GB3200產(chǎn)品較上周(8.11)收盤價上漲5.8%，自八月初(8.1)低圖表35:部分金士頓DDR4產(chǎn)品現(xiàn)價(人民幣:元)圖表36:DDR4RDIMM16GB3200MHz現(xiàn)貨均價(美元)臺灣省存儲進(jìn)出口值2023Q2環(huán)比提升明顯，其中7月份臺灣省DRAM出口額電子行業(yè)深度報告22敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款圖表37:中國臺灣存儲進(jìn)出口值自年初以來波動中不斷增長(百萬新臺幣)000000資料來源：wind，方正證券研究所00030609-03060903030609-0306090306-090306090306090306產(chǎn)值:IC制造業(yè):存儲器制造:中國臺灣:當(dāng)季值(億新臺幣)產(chǎn)值:IC制造業(yè):存儲器制造:中國臺灣:當(dāng)季同比(%) 產(chǎn)值:IC制造業(yè):存儲器制造:中國臺灣:環(huán)比(%)00資料來源：wind，方正證券研究所電子行業(yè)深度報告23敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款我們預(yù)計隨著2023H2國內(nèi)手機(jī)品牌開始陸續(xù)推出新品、PC需求復(fù)蘇以及述星電子將暫停韓國平澤園區(qū)第一工廠(P1)部分NAND2022Q4開始30%減產(chǎn)擴(kuò)大至2023年的50%。已將日本度提高產(chǎn)量。o供業(yè)界最高水平的能效和性能。 電子行業(yè)深度報告24敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款圖表40:臺股封測板塊月度營收及增速(億新臺幣)000900800700600500400300200020%5%0%-5%-20%封測封測mom資料來源：Wind，方正證券研究所Q新臺幣)公司名稱6.0%.1pcts4.4418.2%.9pcts67.2%0.4pct.4%0.7pct資料來源：各公司官網(wǎng)，方正證券研究所電子行業(yè)深度報告25敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款圖表42:全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模集及增速(億美元)資料來源：Yole,方正證券研究所0%%2014201520162017201820192020202120222023中國先進(jìn)封裝占比全球先進(jìn)封裝占比資料來源：集微咨詢,方正證券研究所%%%% 11D3DD3DWLCSP PD3D%資料來源：Yole,方正證券研究所資料來源：Yole,方正證券研究所AI約出封裝。電子行業(yè)深度報告26敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款%%0%20202026工業(yè)汽車手機(jī)網(wǎng)絡(luò)消費HPC資料來源：Yole，McKinsey，方正證券研究所圖表47:2021年先進(jìn)封裝市場市占率%ASEAmkorTSMCJCETSamsungIntel其他資料來源：Yole，方正證券研究所電子行業(yè)深度報告27敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款圖表48:2021年頭部廠商封裝類型一覽資料來源：各公司官網(wǎng)，方正證券研究所術(shù)CSPFCBGAFCSIPBGAQFNMEMSBumpingWLCSPFCBGASiPQFNQFPSOMEMS，2.5D/3DDIPSOPSIPCSPWLPWLCSP2.5D/3D(TSV)DBumpingWLCSPFCBGASiPQFNQFP,SO,MEMSMEMSFCCPCSOPSOT,LQFP,QFN/DFN,CDFN/CQFN,DIPSOPDFNQFNLQFPSOTTOLGAPIPMMEMSDIPSOPSOTTSSOPQSOPTSOTTODFNQFN,HSOL,LQFPTTOSOP電子行業(yè)深度報告28敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款資料來源：IDTechEX，方正證券研究所為高性能計算應(yīng)用提供最佳性能和最高集成密度，提供了廣泛的硅中介層尺寸、資料來源：《WaferLevelSystemIntegrationoftheFifthGenerationCoWoS?-電子行業(yè)深度報告29敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款I(lǐng)資料來源：臺積電，方正證券研究所資料來源：Yole，方正證券研究所電子行業(yè)深度報告30敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款資料來源：Xilinx，方正證券研究所L多StratewithSiinterposer31敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款S性能上也是最好的。S資料來源：臺積電，方正證券研究所資料來源：《WaferLevelSystemIntegrationoftheFifthGenerationCoWoS?-SwithHighPerformanceSiSS/間距)的布線，以提供良好的信號和電氣性能。32敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款資料來源：臺積電，方正證券研究所資料來源：臺積電，方正證券研究所L資料來源：臺積電，方正證券研究所 應(yīng)鏈有望受益先進(jìn)封裝市場增長帶來的增量需求。33敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款DDIC介層晶圓上，中介層放在封裝基板上)34敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款位短芯片開發(fā)時間。ghinterposerViaO (Line/Space，L/S)的需求。35敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款證券研究所36敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款證券研究所電子行業(yè)深度報告37敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款效 V資料來源：電子元件交易網(wǎng)，方正證券研究所資料來源：電子元件交易網(wǎng)，方正證券研究所aLast擴(kuò)散到硅材料中。工藝由于晶圓廠在設(shè)備能力方面具備優(yōu)勢，晶圓廠通常也會制造，但也有部分晶圓正面)的方式由于在刻蝕的時候除了刻蝕硅之外，還需刻蝕整個電介質(zhì)層，電子行業(yè)深度報告38敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款資料來源：知乎，方正證券研究所Integration證券研究所39敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款材料epReactiveIonEtching，DRIE)的Bosch工藝目前應(yīng)用最廣泛。反應(yīng)離子刻蝕(ReactiveIonEtching，RIE)工藝采用物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕，Bosch工藝通過刻蝕和保護(hù)兩個步驟交替進(jìn)行提高TSV深硅刻蝕需要的設(shè)備是感應(yīng)耦合高密度等離子體干法刻aEtcherICP硅刻蝕的發(fā)展方向是精細(xì)深槽、高深寬比微納通孔的高默克、林德等?？妆诔练e絕緣材料形成孔壁介質(zhì)絕緣層，孔壁絕緣介達(dá)到良好的絕緣性能。Orbotech2014年并購SPTS，SPTS在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的應(yīng)商技術(shù)領(lǐng)先，國內(nèi)拓荊科技等公司在這一領(lǐng)域進(jìn)展亮V通常用物理氣相沉積(PVD)法制作阻擋層和種子層絕緣實力，國內(nèi)份額不斷提升。主流的先進(jìn)封裝中硅通孔填充材料。硅通孔電鍍銅工有大馬士革電鍍和掩模電鍍兩種他電鍍方式所需的電鍍液材料體系都基本相同。主要的鍍液的主要作用是為硅通孔的電鍍填充提供充足的銅離鍍質(zhì)量。目前海外主要硅通孔電鍍液材料供應(yīng)商包括陶突破。MP延遲和損耗減少。但晶圓厚度變薄時材料內(nèi)部應(yīng)力會和斷裂等。背面減薄后一般還需要通過干法或濕法刻面的電信號連接。密晶圓減薄機(jī)Versatile-GP300量產(chǎn)機(jī)臺(磨削和CMP電子行業(yè)深度報告40敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款前較為先合在運時產(chǎn)生變形或翹曲。合到一個晶圓載板上，這種工藝稱為臨時鍵合工藝(TemporaryBonding)。鍵合鍵合、抗化學(xué)性好，是最新一代臨時鍵合/解鍵合技術(shù)方案。臨時鍵合/解鍵合常見工藝流程：在臨時載板或功能晶圓上通過壓合、粘貼或旋步源微臨時鍵合機(jī)、解鍵合機(jī)產(chǎn)品進(jìn)展順利，已陸續(xù)實現(xiàn)了多家下游客戶的導(dǎo)入。電子行業(yè)深度報告41敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款re資料來源：Yole，方正證券研究所資料來源：SUSS，方正證券研究所臨關(guān)東京應(yīng)化工業(yè)株式會社(TOK)的ZeroNewton系列產(chǎn)品和DowChemical的電子行業(yè)深度報告42敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款資料來源：semiconductorengineering，方正證券研究所電子行業(yè)深度報告43敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款CTE異會導(dǎo)致翹曲。此外還會有芯片間隙變化等問題導(dǎo)致最終產(chǎn)品電氣性能差。的焊盤C焊主要用于高 電子行業(yè)深度報告44敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款資料來源：艾邦半導(dǎo)體，方正證券研究所底部填充工藝作用在于1)將芯片凸點位置的集中應(yīng)力分散到底部填充體和塑封UnderfillCUF部填充(MoldedUnderfill，MUF)、非導(dǎo)電膠熱壓型(Non-ConductivePaste，eFilmNCF互連方式從使用“毛細(xì)管底部填充料+回流”向使用“NCP/NCF材料+熱壓工藝”目前全球NCP的主要供應(yīng)商有漢高(Henkel)、納美仕(Namics)、長瀨產(chǎn)業(yè)株式會社(Nagase)、日立化成(HitachiChemical)、松下(Panasonic)。NCF的供電子行業(yè)深度報告45敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款丟失率幾乎可以忽略不計，在高吞吐量，高性能計算領(lǐng)域優(yōu)勢顯著?；旌湘I合 (HybridBonding)也稱DBI(DirectBondInterconnect，直接鍵合連接)，F(xiàn)C密度大幅提升。資料來源：Matek，方正證券研究所資料來源：Matek，方正證券研究所電子行業(yè)深度報告46敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款混合鍵合中晶圓對晶圓(W2W)的工藝從晶圓加工到最終的BEOL互連級別開始?；罨?，AM昂貴。銅的熔點(1083℃)高、自擴(kuò)散速率低，難以實現(xiàn)低溫鍵合，Cu-Cu直接、損傷合(TCB)，混合鍵合工藝、納米材料燒結(jié)工藝等?？傮w來講各項工藝仍處于不斷公司、們?nèi)匀豢梢钥吹絿鴥?nèi)半導(dǎo)體設(shè)備及零部件供應(yīng)商在晶圓廠尤其在積塔半導(dǎo)體的標(biāo)公告中斬獲亮眼訂單。資料來源：招標(biāo)網(wǎng)，方正證券研究所電子行業(yè)深度報告47敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款資料來源：招標(biāo)網(wǎng)，方正證券研究所資料來源：招標(biāo)網(wǎng)，方正證券研究所Q好國產(chǎn)化鏈條！電子行業(yè)深度報告48敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款400000202120222023E2024E2025E2026E2027E資料來源：IDC，圖騰信息，方正證券研究所2023Q2出貨(百萬)2023Q2市場份額2022Q2出貨(百萬)2022Q2市場份額yoy三星5321%61.821%-14%蘋果43%49.5%-13%33.2%39.6%-16%OPPO25.2%27.3%-8%傳音22.79%18.56%22%其他81.131%90.732%-11%合計258.2100%287.4100%-10%來源：Canalys，36氪，方正證券研究所IDC市場出貨量電子行業(yè)深度報告49敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款2023Q2市場份額2022Q2市場份額同比增幅OPPO17.7%17.7%-2.1%vivo17.2%19.2%-11.9%Honor16.4%19.5%-17.9%Apple15.3%14.1%6.1%Xiaomi13.1%15.6%-17.5%Huawei13.0%7.3%76.1%其他7.3%6.8%5.6%合計100.0%100.0%-2.1%將進(jìn)一步擴(kuò)大。48.048.0%220.0%9.0%7.0%7.0%資料來源：Canalys，方正證券研究所電子行業(yè)深度報告50敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款。隨惠需oMMoMMoM2.6%)改善鏡頭廠商業(yè)績持續(xù)改善。電子行業(yè)深度報告51敬請關(guān)注文后特別聲明與免責(zé)條款圖表95:臺股光學(xué)板塊月度營收及增速(億新臺幣)9007060504030200/1/3/5/1/3/5/7/911/1/3/5/7/911/1/3/5/760%50%40%30%20%10%0%-20%-30%-40%攝像頭攝像頭mom資料來源：Wind，方正證券