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自給偏壓電路如圖，為自給偏壓電路。電容對Rs起旁路作用——源極旁路電容。II3II3R自給偏壓電路注：增強型場效應管（MOSFET）只有G—S間電壓先達到某個開啟電壓VT時才有ID,所以自偏壓不適用于增強型MOSFET。分析：當Is流過Rs時產(chǎn)生Vs壓降對地是負值。所以，VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS問題是：VGS決定于ID而ID又隨VGS變化而變化，如何能確定ID、VGS之值呢？下面內(nèi)容介紹兩種解法。圖解法步驟：（1）作直流負載線（從輸出回手）直流負載線于輸出特性曲線的不同VGS的交點，即管子內(nèi)部方程與輸出回路方程的聯(lián)立解，表明電路中ID，VDS，VGS的數(shù)值必在這些交點上。（2）利用直流負載線上的點作轉(zhuǎn)移特性曲線。（3） 定靜態(tài)工作點Q（從G極回路入手）因Q還應滿足輸入回路，所以作輸入回路的直流負載線VGS=-IDRS，如圖。（4） 代入數(shù)據(jù)，得Q：VGS，VDS，ID

-1. -■： !.心b:.e-r.>d計算法計算法采用下列公式求解:N=7風式子的IDSS稱為飽和電流，即為VGS=O時ID的值；VP稱為夾斷電壓，當VGS=VP時，漏極電流ID為0。讓我們來看一個例子,電路如圖.已知:VP=-4V,IDSS=2mA。代入上述兩個公式得：■如一爭求解此兩方程，解得：IDl=0.82mA,ID2=0.30mA因為-ID1RS〈VP，因而ID1=0.82mA不合題意，舍去，故靜態(tài)漏極電流IDQ為IDQ=0.30mA；靜態(tài)管壓降VGSQ、VDSQ分別為^q=-Z^=-0.3X8=-2.4(^)

場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流,應此對于信號源額定電流極小的情況下，常選用場效應管。場效應管是多子導電,晶體管是兩種載流子參與導電。但少子受環(huán)境影響明顯。場效應管FET和晶體管BJT一樣具有放大作用，而且這兩種放大元件間存在著電極對應關(guān)系G-b,S-e,D-c。因此根據(jù)BJT電路，即可得到與之對應的FET放大電路。但不能簡單地加以替換，否則有時電路不能正常工作。場效應除作放大器件及可控開關(guān)外還可作壓控可變線性電阻使用。4?場效應管S極和D極是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管柵源電壓可正可負使用比晶體三極管靈活。5.場效應管組成放大電路時與晶體管一樣，必須選擇合適的靜態(tài)工作點，柵極必須有合適的偏壓但不出現(xiàn)偏流，對不同類型場效應管對偏壓的極性要求不同，特列如下：類型VGSVDS類型VGSVDSN溝道JFET負正P溝道JFET正負N溝道EMOS正正P溝道EMOS負負N溝道DMOS

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