第一講金屬晶體與離子晶體一、細(xì)品教材一、金屬晶體定義：金屬晶體是指金屬原子通過(guò)金屬鍵形成的晶體。金屬鍵：金屬晶體中金屬陽(yáng)離子和自由電子之間的強(qiáng)烈的相互作用。金屬鍵的特征：由于自由電子為整個(gè)金屬所共有，所以金屬鍵沒(méi)有方向性和飽和性。金屬原子的外層電子數(shù)比較少，容易失去電子變成金屬離子和電子，金屬離子間存在反性電荷的維系——帶負(fù)電荷的自由移動(dòng)的電子(運(yùn)動(dòng)的電子使體系更穩(wěn)定)，這些電子不是專(zhuān)屬于某幾個(gè)特定的金屬離子這就是金屬晶體的形成的原因。小結(jié)：盡管每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)都是隨機(jī)的,但是大量的價(jià)電子運(yùn)動(dòng)統(tǒng)計(jì)的結(jié)果是均勻地分布在整個(gè)晶體中，每個(gè)金屬離子都均等的享用所有價(jià)電子，但都不可能獨(dú)占，這就是金屬鍵的核心思想。例1.金屬晶體的形成是因?yàn)榫w中存在(C)金屬原子②金屬離子③自由電子④陰離子A.只有①B.只有③C■②③D■②④金屬晶體的結(jié)構(gòu)型式：特點(diǎn)：最常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)型式具有堆積密度大，原子配位數(shù)高，能充分利用空間等特點(diǎn)。小結(jié)：緊密堆積：微粒間的作用力，使微粒間盡可能地相互接近，使它們占有最小的空間?？臻g利用率：空間被晶格質(zhì)點(diǎn)占據(jù)的百分?jǐn)?shù)。用來(lái)表示緊密堆積的程度。配位數(shù)：在晶體中，原子配位數(shù)是指某一個(gè)原子周?chē)佑|到的同種原子的數(shù)目。(2)分類(lèi)：Ca、Al、Cu、Ag、Au等金屬晶體屬于A型最密堆積，M"Zn等金屬晶體屬于A3型最密堆積，A型密堆積又稱(chēng)為體心立方密堆積，Li、Na、K、Fe等金屬晶體屬于A2型密堆積。AI型配位數(shù)為12,A2型配位數(shù)為8,A型配位數(shù)為12。小結(jié)：①對(duì)金屬晶體的認(rèn)識(shí)要抓住金屬晶體中存在微粒和微粒間的相互作用，并能由此來(lái)分析金屬晶體的特性。熟悉常見(jiàn)三種結(jié)構(gòu)模式中的配位數(shù)、晶胞中所含有的原子數(shù)、晶胞名稱(chēng)及是否是密堆積等。金屬晶體中的金屬鍵和原子的堆積方式與金屬晶體的物理性質(zhì)的關(guān)系金屬晶體具有良好的導(dǎo)電性：金屬中有自由移動(dòng)的電子，金屬晶體中的自由電子在沒(méi)有外加電場(chǎng)存在時(shí)是自由運(yùn)動(dòng)的，當(dāng)有外加電場(chǎng)存在的情況下，電子發(fā)生了定向移動(dòng)形成［電流，呈現(xiàn)良好的導(dǎo)電性。小結(jié)：金屬受熱后，金屬晶體中離子的振動(dòng)加劇，阻礙著自由電子的運(yùn)動(dòng)。所以溫度升高導(dǎo)電性下降。金屬晶體具有良好的導(dǎo)熱性：自由電子在運(yùn)動(dòng)時(shí)經(jīng)常與金屬離子碰撞，從而引起兩者能量的交換。當(dāng)金屬某一部分受熱時(shí)，在那個(gè)區(qū)域里的自由電子能量增加，運(yùn)動(dòng)速度加快，于是通過(guò)碰撞，自由電子把能量傳給金屬離子。金屬容易導(dǎo)熱就是由于自由電子運(yùn)動(dòng)時(shí)，把能量從溫度高的部分傳到溫度低的部分，從而使整塊金屬達(dá)到相同的溫度。

小結(jié)：①金屬具有良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性都與自由電子有關(guān)。I②自由電子通過(guò)運(yùn)動(dòng)把能量從高溫區(qū)傳到低溫區(qū)金屬晶體具有良好的延展性：當(dāng)金屬受到外力作用時(shí)，晶體中的各原子層就會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，由于金屬離子與自由電子之間的相互作用沒(méi)有方向性，滑動(dòng)以后，各層之間仍保持著這種相互作用，在外力作用下，金屬雖然發(fā)生了變形，但不會(huì)導(dǎo)致斷裂。小結(jié)：①金屬的堆積方式和金屬鍵共同決定金屬晶體是否具有良好的延展性。②注意金屬的延展性是有限度的；同時(shí)有少數(shù)金屬，如銳、餓、猛等性質(zhì)較脆，沒(méi)有延展性。金屬的熔點(diǎn)、硬度等取決于金屬晶體內(nèi)部作用力的強(qiáng)弱。一般來(lái)說(shuō)金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬晶體內(nèi)部作用力越強(qiáng)。因而晶體熔點(diǎn)越高、硬度越大。金屬晶體的熔點(diǎn)變化差別較大。如：Hg在常溫下為液態(tài)，熔點(diǎn)低(一38.9C)，而鐵等金屬熔點(diǎn)高(1355C),這是由于金屬晶體緊密堆積方式，金屬陽(yáng)離子與自由電子的作用力不同造成的。同類(lèi)型金屬金屬晶體，金屬晶體的熔點(diǎn)由金屬陽(yáng)離子半徑，離子所帶的電荷決定，陽(yáng)離子半徑越小，所帶電荷越多，相互作用力就越大，熔點(diǎn)就越高。如：熔點(diǎn)：Li>Na>K>Rb>Cs,Na<Mg<Al小結(jié)：金屬之最：①導(dǎo)電和導(dǎo)熱性最好的金屬是銀②延性最好的金屬是伯③展性最好的金屬是金④密度最小的金屬是鋰，最大的金屬是餓⑤熔點(diǎn)最低的金屬是汞，最高是鴇⑥硬度最大的金屬是銘()D.易銹蝕具有較強(qiáng)還原性，是由原子結(jié)()D.易銹蝕具有較強(qiáng)還原性，是由原子結(jié)A.易導(dǎo)電B.易導(dǎo)熱C?有延展性解析：金屬易銹蝕，是因?yàn)樵诜磻?yīng)中易失去最外層電子構(gòu)決定的。答案：D合金及合金的優(yōu)點(diǎn)⑴合金：①定義：把兩種或兩種以上的金屬(或金屬與非金屬)熔合而成具有金屬特性的物質(zhì)叫做合金。小結(jié)：理解概念時(shí)一定緊緊抓住兩點(diǎn)：一是至少有一種是金屬；二是合金一般是將各組分熔合成均勻的液體，再經(jīng)冷凝而制得的。②特點(diǎn)：a?合金的熔點(diǎn)比其成分中各金屬的熔點(diǎn)都要低，而不是介于兩種成分金屬的熔點(diǎn)之間。b?具有比各成分金屬更好的硬度、強(qiáng)度和機(jī)械加工性能。例如：金屬鋁很軟，但如果將鋁與銅、鎂按一定的比例混合，經(jīng)高溫熔融后冷卻可以得到硬鋁，硬度大大提高。⑵合金的不同類(lèi)型及各自的性質(zhì)特點(diǎn)當(dāng)兩種金屬的電負(fù)性、化學(xué)性質(zhì)和原子半徑相差不大時(shí)，形成的合金稱(chēng)為金屬固熔體，如銅鐐、銀金合金。這類(lèi)合金的強(qiáng)度和硬度一般都比組成它的各成分金屬的強(qiáng)度和硬度大。當(dāng)兩種金屬元素的電負(fù)性或原子大小相差較大時(shí)，形成的合金稱(chēng)為金屬化合物，如Ag3Al合金。這類(lèi)合金通常具有較高的熔點(diǎn)，較大的強(qiáng)度，較高的硬度和耐磨性，但塑性和韌性較低。原子半徑較小時(shí)氫、硼、氮等非金屬元素滲入過(guò)渡金屬結(jié)構(gòu)的間隙中，稱(chēng)為金屬間隙這主要是間隙原子和金屬化合物或金屬間隙固熔體。這類(lèi)合金具有很高熔點(diǎn)和很大的硬度原子之間存在共價(jià)鍵的原因。這主要是間隙原子和金屬合金時(shí)工業(yè)產(chǎn)品中極為重要的材料。例如，含鋁22%的鋅鋁合金在25C左右以每秒0.1%0.01%的速度拉伸，可得到10倍于原來(lái)的延伸；鐵暴露在空氣中容易生銹，但如果在普通鋼里加入約0.5%的鐐，它就稱(chēng)為耐酸的不銹鋼。小結(jié)：合金的不同類(lèi)型是通過(guò)半徑的不同和失電子能力的不同進(jìn)行劃分的。合金是在純金屬中引人其他元素，使化學(xué)鍵及晶體結(jié)構(gòu)上發(fā)生變化，從而影響到性質(zhì)。二、離子晶體定義：離子晶體是陰陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵結(jié)合，在空間呈現(xiàn)有規(guī)律的排列所形成的晶體。例如：氯化鈉、氯化俺、氧化鎂等晶體都屬于離子晶體。小結(jié)：（1）離子鍵：陰、陽(yáng)離子間通過(guò)靜電作用形成的化學(xué)鍵。靜電作用：指靜電吸引和靜電排斥的平衡。成鍵元素：活潑金屬（或NH+）與活潑非金屬（或酸根、0H）。離子鍵存在于離子化合物中，離子化合物通常以離子晶體形式存在（見(jiàn)離子晶體）。例3:下列晶體中，含有離子的有（）A?離子晶體B?分子晶體C?原子晶體D?金屬晶體解析：構(gòu)成離子晶體的微粒是陰、陽(yáng)離子構(gòu)成分子晶體的微粒是分子；構(gòu)成原子晶體的微粒是原子；構(gòu)成金屬晶體的微粒是金屬陽(yáng)離子和自由電子，所以含有離子的晶體有離子晶體和金屬晶體。答案：AD離子晶體的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)類(lèi)型離子晶體以緊密堆積方式，陰陽(yáng)離子盡可能接近，向空間無(wú)限擴(kuò)展，形成晶體。陰陽(yáng)離子的配位數(shù)比較大，故晶體中不存在單個(gè)分子。組成比為1:1的離子晶稱(chēng)為AB型離子晶體，它是離子晶體中最簡(jiǎn)單的一類(lèi)。AB型離子晶體最常見(jiàn)結(jié)構(gòu)有NaCI型、CsCl型和ZnS型。（l）NaCI型NaCI型離子晶體中，每個(gè)離子被6個(gè)帶相反電荷的離子包圍，陰離子和陽(yáng)離子的配位數(shù)都為6。常見(jiàn)的NaCI型離子晶體有堿金屬元素（俺除外）的鹵化物、銀的鹵化物（碘化銀除外）、堿土金屬元素（皺除外）的氧化物、硫化物和硒化物的晶體等。⑵CsCl型CsCI型離子晶體中，每個(gè)離子被8個(gè)帶相反電荷的離子包圍，陰離子和陽(yáng)離子的配位數(shù)都為8。常見(jiàn)的CsCl型離子晶體有俺的鹵化物（氟化物除外）、TICI的晶體等。⑶ZnS型ZnS型離子晶體中，陰離子和陽(yáng)離子的排列類(lèi)似NaCI型，但相互穿插的位置不同，使陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)不是6,而是4。常見(jiàn)的ZnS型離子晶體有硫化鋅、碘化銀、氧化皺的晶體等。氯化鈉晶體的晶體結(jié)構(gòu)在氯化鈉晶體中，鈉離子與氯離子通過(guò)離子鍵相結(jié)合，每個(gè)鈉離子與和它緊鄰的6個(gè)氯離子相連，每個(gè)氯離子與和它緊鄰的6個(gè)鈉離子相連，鈉離子和氯離子在三維空間上交替出現(xiàn)，并延長(zhǎng)形成氯化鈉晶體。氯化鈉晶胞為面心立方結(jié)構(gòu)，當(dāng)有一個(gè)CI處于立方體的中心，另有12個(gè)CI處于棱上，C.CaQ>BaQ>NaCl>KClC.CaQ>BaQ>NaCl>KClD.CaQ>BaQ>KCl>NaCl同時(shí)有8個(gè)Na+位于頂點(diǎn)、6個(gè)Na+位于面心的位置，用切割法可求出該晶胞中實(shí)際擁有的離子數(shù)目,Cl為；1+12X1/4=4Na+為：8X1/8+6X1/2=4因此在一個(gè)晶胞中實(shí)際擁有的Na+與CI的個(gè)數(shù)均為4個(gè)，即氯化鈉晶體中沒(méi)有氯化鈉分子，NaCI只是代表氯化鈉晶體中鈉離子的個(gè)數(shù)和氯離子的個(gè)數(shù)為1:1，是氯化鈉組成的化學(xué)式。小結(jié)：(1)注意氯化鈉晶體的晶胞不是一個(gè)小立方體，而是八個(gè)小立方體構(gòu)成的大立方體。(2)離子晶體中不存在分子，構(gòu)成微粒為陰陽(yáng)離子，因此嚴(yán)格意義講沒(méi)有分子式，應(yīng)該是化學(xué)式。請(qǐng)將其中代表Na+的圓圈涂黑(不必考慮體積大小)，以完成NaCI晶體結(jié)構(gòu)示意晶體中，在每個(gè)Na+的周?chē)c它最接近的且距離相等的Na+共有個(gè)。在NaCI晶胞中正六面體的頂點(diǎn)上、面上、棱上的Na+或C「為該晶胞與其相鄰的CI的個(gè)數(shù)等于；Na+的個(gè)數(shù)等于，分析：(1)氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是鈉離子和氯離子在三個(gè)互相垂直的方向上都是等距離的交錯(cuò)排列。選擇立方體的一個(gè)頂點(diǎn)開(kāi)始代表鈉離子涂黑，交替排列涂黑。見(jiàn)左圖每個(gè)鈉離子距離它最近的鈉離子是分別位于三個(gè)互相垂直的平面內(nèi)，每個(gè)平面內(nèi)4個(gè)，總共12個(gè)。11(3)11(3)8X§+6X2=4；112X-+1=4。晶格能一一衡量離子鍵的強(qiáng)弱定義：指1mol離子化合物中，陰陽(yáng)離子由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)結(jié)合成離子晶體時(shí)所放出的能量。意義：晶格能的絕對(duì)值越大，說(shuō)明放出能量越多，表示離子鍵越強(qiáng)，離子晶體越穩(wěn)定。影響因素：晶格能的大小與陰陽(yáng)離子所帶的電荷的乘積成正比，與陰陽(yáng)離子間的距離成反比，即晶格能—q1q2,,,距離成反比，即晶格能—物質(zhì)①NaF②Nal③MgO離子電荷數(shù)112離子間距離/10m2.313.182.10例5:例5:NaF、Nal、MgO晶體均為離子晶體，根據(jù)下列數(shù)據(jù)，這三種晶體的熔點(diǎn)高低順序是(B)。A、①些〉③B、③〉①猝C、③>??D、②近>③5.離子晶體的結(jié)構(gòu)決定著離子晶體具有一系列特性：(1)離子晶體具有較高的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)，難揮發(fā)。離子晶體中，陰、陽(yáng)離子間有強(qiáng)烈的相互作用(離子鍵)，要克服離子間的相互作用力使物質(zhì)熔化和沸騰，就需要較多的能量。小結(jié)：一般說(shuō)來(lái)，陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子鍵越強(qiáng)，離子晶體的熔、沸點(diǎn)越高，如Al2Q5>Mg(ONaCl>CsCl等。例6:離子晶體熔點(diǎn)的高低決定于晶體中陽(yáng)離子與陰離子之間的靜電引力，靜電引力大則熔點(diǎn)高，引力小則反之。試根據(jù)你學(xué)到的電學(xué)知識(shí)，判斷KCl、NaCl、CaQ、BaQ四種晶體熔點(diǎn)的高低順序(C)KCl>NaCl>BaQ>CaQNaCl>KCl>CaQ>BaQKCl>NaCl>BaQ>CaQNaCl>KCl>CaQ>BaQ（2）離子晶體硬而脆。離子晶體中，陰陽(yáng)離子間有較強(qiáng)的離子鍵，離子鍵表現(xiàn)出較強(qiáng)的硬度，當(dāng)晶體受到?jīng)_擊力作用時(shí)，部分離子鍵發(fā)生斷裂，導(dǎo)致晶體破碎。（3）離子晶體不導(dǎo)電，熔化或溶于水后能導(dǎo)電。離子晶體中，離子鍵較強(qiáng)，離子不能自由移動(dòng)，因此離子晶體不導(dǎo)電。當(dāng)升高溫度時(shí)，陰、陽(yáng)離子獲得足夠能量，克服了離子間的相互作用，成了自由移動(dòng)的離子，在外界電場(chǎng)作用下，離子定向移動(dòng)而導(dǎo)電。離子化合物溶于水時(shí)，陰、陽(yáng)離子受到水分子作用變成了自由移動(dòng)的離子（或水合離子），在外界電場(chǎng)作用下，陰、陽(yáng)離子定向移動(dòng)而導(dǎo)電。小結(jié)：（1）離子晶體導(dǎo)電的前提是先電離出自由移動(dòng)的陰陽(yáng)離子。（2）難溶于水的強(qiáng)電解質(zhì)如BaSQCaCQ等溶于水，由于濃度極小，故導(dǎo)電性極差。通常情況下，我們說(shuō)它們的水溶液不導(dǎo)電。（4）大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑（如水）中，難溶于非極性溶劑（如汽油、煤油）中。當(dāng)把離子晶體放在水中時(shí)，極性水分子對(duì)離子晶體中的離子產(chǎn)生吸引作用，使晶體中的離子克服了離子間的作用而電離，變成在水中自由移動(dòng)的離子。例7:下列性質(zhì)中，可以證明某化合物形成的晶體一定是離子晶體的是（）A?可溶于水B?具有較高的熔點(diǎn)C.水溶液能導(dǎo)電D■熔融狀態(tài)能導(dǎo)電解析：熔融狀態(tài)能導(dǎo)電的化合物形成的晶體一定是離子晶體。分子晶體和原子晶體熔融狀態(tài)成為分子和原子，不導(dǎo)電。金屬晶體在固態(tài)和熔融狀態(tài)均能導(dǎo)電，但金屬晶體是單質(zhì)。答案：D二：基礎(chǔ)整理本節(jié)主要介紹了兩種典型的晶體類(lèi)型金屬晶體和離子晶體。構(gòu)成這兩種晶體的微粒類(lèi)型不同，微粒間的作用力也不同，故性質(zhì)有所不同。在學(xué)習(xí)過(guò)程中注意將兩種晶體類(lèi)型的構(gòu)成微粒、化學(xué)鍵堆積模型、物理性質(zhì)等進(jìn)行對(duì)比分析。金屬陽(yáng)籬于一微粒一陰、陽(yáng)離子）與自由電子高子晶體微粒間高子晶體作用力金屬晶體的金屬原子的V金屬晶體的金屬原子的V延展性等〔密堆積模型明陽(yáng)離子堆離子晶體的骼積埴隙模型」點(diǎn)與晶格能三：綜合探究1、銀是一種銀白色的金屬，但是在氯化銀的分解實(shí)驗(yàn)中卻觀察到生成灰黑色的固體粉末，這是為什么？對(duì)于這個(gè)問(wèn)題的思考，應(yīng)首先考慮金屬晶體為什么呈現(xiàn)金屬光澤，它源于金屬晶體的結(jié)構(gòu)：金屬離子緊密堆積、規(guī)則排列且存在自由移動(dòng)的電子。由于金屬晶體中金屬原子以最緊密堆積狀態(tài)排列，且存在可以自由移動(dòng)的電子，所以,當(dāng)光線(xiàn)照射到金屬晶體表面時(shí)，自由電子可以吸收所有頻率的射光，然后又很快輻射出各種頻率的光，這就使得絕大多數(shù)金屬呈現(xiàn)銀灰色以至銀白色光澤。粉末狀態(tài)的金屬由許許多多微小的晶體組成，微小晶體的晶面取向雜亂，晶格排列不規(guī)則，吸收可見(jiàn)光后輻射不出去，所以金屬粉末常呈暗灰色或黑色。氯化銀分解時(shí)，得到的是粉末狀的銀，所以看上去是灰黑色的。小結(jié)：大塊金屬晶體和金屬粉末在結(jié)構(gòu)上不同，金屬晶體規(guī)則排列而金屬粉末由許多小晶體構(gòu)成，排列雜亂無(wú)章，這也就找到了兩者存在性質(zhì)差異的本質(zhì)原因。金屬晶體具有延展性，為什么離子晶體硬而脆不具有延展性？金屬晶體中層與層之間發(fā)生滑動(dòng)過(guò)程中自由電子能夠維系整個(gè)金屬鍵的存在。離子晶體中陰、陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵結(jié)合在一起，半徑大的離子采用等徑圓球的緊密堆積，半徑小的離子填充在空隙中。受力時(shí)發(fā)生錯(cuò)位，使正正離子“相切”、負(fù)負(fù)離子“相切”，彼此排斥，離子鍵失去作用，故離子晶體無(wú)延展性，如CaCO可用于雕刻，而不可用于鍛造，即不具有延展性。小結(jié)：首先要清楚金屬晶體具有延展性的原因:層與層之間發(fā)生滑動(dòng)過(guò)程中自由電子是否能夠維系整個(gè)金屬鍵的存在。金屬無(wú)論在固態(tài)還是液態(tài)都可以導(dǎo)電，而離子晶體卻不能導(dǎo)電，它只有溶于水后或者在熔融狀態(tài)下才可以導(dǎo)電。如何來(lái)解釋這一事實(shí)？物質(zhì)導(dǎo)電是因?yàn)槲镔|(zhì)中具有可自由移動(dòng)的電荷。金屬晶體是由金屬離子和自由電子組成的，在固態(tài)時(shí)，金屬離子不能自由移動(dòng)，但自由電子是分布于整塊金屬晶體可以自由移動(dòng)，因此在外加電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng)，產(chǎn)生電流；在熔融狀態(tài)，除了自由電子外，金屬離子變得也可以自由移動(dòng)，因此可以導(dǎo)電。離子晶體是陽(yáng)離子和陰離子組成的，在固態(tài)時(shí),陰、陽(yáng)離子只能在各自的位置作輕微的振動(dòng)，不能改變位置，因此不能發(fā)生帶電微粒的定向移動(dòng)，所以固態(tài)的離子化合物不能導(dǎo)電；溶于水或者在熔融狀態(tài)，陰、陽(yáng)離子離解成可以自由移動(dòng)的離子，可以傳遞電荷，因此具有導(dǎo)電性。

1.下列不屬于金屬晶體共性的是（）A.易導(dǎo)電B.易導(dǎo)熱C■有延展性D.高熔點(diǎn)要使金屬晶體熔化必須破壞其中的金屬鍵。金屬晶體熔、沸點(diǎn)高低和硬度大小一般取決于金屬鍵的強(qiáng)弱，而金屬鍵與金屬陽(yáng)離子所帶電荷的多少及半徑大小有關(guān)。由此判斷下列說(shuō)法正確的是（）A、金屬鎂的硬度大于金屬鋁8堿金屬單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)從Li到Cs是逐漸增大的G金屬鎂的熔點(diǎn)大于金屬鈉以金屬鎂的硬度小于金屬鈣3.金屬晶體堆積密度大，原子配位數(shù)高，能充分利用空間的原因是（D）A、金屬原子的價(jià)電子數(shù)少8金屬晶體中有自由電子G金屬原子的原子半徑大以金屬鍵沒(méi)有飽和性和方向性以金屬鎂的硬度小于金屬鈣3.金屬晶體堆積密度大，原子配位數(shù)高，能充分利用空間的原因是（D）A、金屬原子的價(jià)電子數(shù)少8金屬晶體中有自由電子G金屬原子的原子半徑大以金屬鍵沒(méi)有飽和性和方向性解析：這是因?yàn)榉謩e借助于沒(méi)有方向性的金屬鍵形成的金屬晶體的結(jié)構(gòu)中，都趨向于使原并以密堆積的方式降低體系的能量，使晶體變得比較穩(wěn)（晶體中最小重復(fù)單元），已知晶體中兩個(gè)最近的Cs+核間距NA為阿伏加德羅常數(shù)，Ma38NAcm子吸引盡可能多的原子分布于周?chē)ā?.如圖是CsCl晶體的晶胞為acm,氯化俺的式量為M,8M

3gcm_3B.量，則氯化俺晶體的密度為（A.MNAaNMaCA下列各類(lèi)化合物中，A、非金屬氧化物Ma3gcm-JD.固態(tài)時(shí)只能形成離子晶體的是（B、非金屬單質(zhì)強(qiáng)酸Dk強(qiáng)堿cs+ocr單質(zhì)又分為金屬單質(zhì)與非金屬單質(zhì)，*曰4單質(zhì)又分為金屬單質(zhì)與非金屬單質(zhì)，*曰47E正玉屬晶體，離子化合物形成的晶體一定是離子晶體，非金屬單質(zhì)與共價(jià)化合物形成的晶體可能是分子晶體，也可能是原子晶體。非金屬氧化物、強(qiáng)酸都屬于共價(jià)化合物，強(qiáng)堿屬于離子化合物。同類(lèi)晶體物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的變化是有規(guī)律的，試分析下列兩組物質(zhì)熔點(diǎn)規(guī)律性變化的原因：A組物質(zhì)NaClKClCsClB組物質(zhì)NaMgAl熔點(diǎn)（K）10741049918熔點(diǎn)（Q317923933答案：一般來(lái)說(shuō)，陰陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子鍵越強(qiáng)，離子晶體的熔沸點(diǎn)越高一般來(lái)說(shuō)，金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬晶體內(nèi)部作用力越強(qiáng)，晶體的熔沸點(diǎn)越高。五：思考發(fā)現(xiàn)離子晶體和金屬晶體熔點(diǎn)高低比較離子晶體的熔沸點(diǎn)與離子鍵有關(guān)，離子鍵與陰、陽(yáng)離子所帶電荷多少及半徑大小有關(guān)，一般來(lái)說(shuō)，陰陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子鍵越強(qiáng)，離子晶體的熔沸點(diǎn)越高,如熔沸點(diǎn)：Al2O3>MgONaCl>CsCl等。金屬晶體的熔沸點(diǎn)與金屬鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，金屬鍵與金屬離子所帶電荷多少及半徑大小有關(guān)，一般來(lái)說(shuō)，金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬晶體內(nèi)部作用力越強(qiáng)，晶體的熔沸點(diǎn)越高。常見(jiàn)的金屬晶體和離子晶體舉例常見(jiàn)的離子晶體有：

強(qiáng)堿：KOHCa(OH)2、NaOHBa(OH)2等。大部分鹽類(lèi)：NaCI、CaF2、N&SO、CHCOONaNHCI等。某些金屬氧化物：CaOK2O等常見(jiàn)的金屬晶體有：金屬和合金六：體驗(yàn)成功基礎(chǔ)強(qiáng)化：(2004-上海)離子晶體不可能具有的性質(zhì)是()較高的熔、沸點(diǎn)B?良好的導(dǎo)電性C.溶于極性溶劑D.堅(jiān)硬而易粉碎由短周期元素構(gòu)成的離子化合物中，一個(gè)陽(yáng)離子和一個(gè)陰離子的核外電子數(shù)之和為20,下列說(shuō)法正確的是A.晶體中陽(yáng)離子和陰離子個(gè)數(shù)不一定相等晶體中一定只有離子鍵而沒(méi)有共價(jià)鍵所含元素一定不在同一周期也不在第一周期晶體中陽(yáng)離子半徑一定大于陰離子半徑解析：短周期元素形成的一個(gè)陽(yáng)離子和一個(gè)陰離子的核外電子數(shù)之和為20,可能的陽(yáng)離子為L(zhǎng)i*、Be2*、Na+、Mg2+、Al3*，陰離子可能是N3—、O」、F—、S」、CI一這些陰、陽(yáng)離子組合成的離子化合物中，陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)不一定相等，所以選項(xiàng)A正確；這些陰、陽(yáng)離子中一定只有離子鍵而沒(méi)有共價(jià)鍵錯(cuò)誤，因?yàn)樾╆帯㈥?yáng)離子中一定只有離子鍵而沒(méi)有共價(jià)鍵錯(cuò)誤，因?yàn)镺；—中有共價(jià)鍵；從以上分析可知,元素可以在同一周期，如Be元素可以在同一周期，如Be與0元素同在第二周期,選項(xiàng)C不正確；晶體中陽(yáng)離子半徑不一定大于陰離子半徑，如Na邙徑比O空半徑小。答案：A離子晶體通常具有的性質(zhì)是()8硬度很小，容易變形以密度很小A8硬度很小，容易變形以密度很小G都能溶于有機(jī)溶劑而難溶于水解析：離子晶體中的陰、陽(yáng)離子通過(guò)一種強(qiáng)烈的相互作用——離子鍵結(jié)合在一起，離子鍵的鍵能較大，且極性很強(qiáng)，除了有些在極性溶劑中容易斷裂外，其他的必須在高溫下才能斷裂，所以其熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都較高不揮發(fā)，硬度很大，不易變形，難溶于有機(jī)溶劑；又因?yàn)樵陔x子晶體中，較大的離子采取密堆積型式，較小離子填隙，所以密度一般都較大。下列說(shuō)法中，不正確的是(D)A、離子晶體中不一定含有金屬離子8在含有陽(yáng)離子的化合物的晶體中，一定含有陰離子G含有金屬元素的離子不一定是陽(yáng)離子以金屬晶體中原子的堆積方式都是a或A1型最密堆積含有金屬元素的離子不一定是陽(yáng)離子，如MnQ或［Al(OH)4】等；金屬晶體中也存在非最密堆積型式，如&型密堆積，配位數(shù)只有八個(gè)。氯化俺晶胞(晶體中重復(fù)的結(jié)構(gòu)單元)如圖(1)所示，該晶體中Cs+與CI-的個(gè)數(shù)比為1:1，化學(xué)式為CsClo若某晶體晶胞結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖(2)所示，其中含有A、B、C三種元素的微粒，則該晶體中A、B、C的微粒個(gè)數(shù)比為()。

(2)(1)(2)A、8:6:184:3:1C、1:6:1D、1:3:19.下列各指定微粒的數(shù)目之比不是1：1的是()A.Na2O2晶體中的陰離子和陽(yáng)離子B.NaHCO3晶體中的鈉離子和碳酸氫根離子C.2412Mg2+離子中的質(zhì)子和中子D.常溫下，pH=7的氯化俊溶液中的俊根離子和氯離子解析：Na2O2晶體中的陰離子(022—)和陽(yáng)離子數(shù)目(Na*)之比是1:2;常溫下pH=7,說(shuō)明溶液呈中性，則根據(jù)電荷守叵C(NH4+)+C(H+)=C(Cl)+C(OH),而C(H+)=C(OH)所以C(NH4+)=C(Cl)。答案：A-110.如圖所示，食鹽晶體由鈉離子和氯離子構(gòu)成。已知食鹽的M=58.5g-mol,食鹽的密度是2.2g-cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為6.0X1023mol-1，在食鹽晶忐布蘭二口體中兩個(gè)距離最近的鈉離)屬或?)屬或?°O~<JA3"%3.5X10cm4.0X108cm85.0X108cm8解析：從圖中可看出，頂點(diǎn)上的每個(gè)離子同為8解析：從圖中可看出，頂點(diǎn)上的每個(gè)離子同為8個(gè)小立方體所共有，NaCl晶體的一個(gè)晶胞中有Na+:8X1+6X壹=4個(gè)，有Cl:12X土+1=4個(gè)，即晶體為4個(gè)〃NaCI分子”所3-323-1-1占的體積。設(shè)每個(gè)小立方體的邊長(zhǎng)為a。貝ij(2aX2.2gcm)x6.0x10mol=58.5gmol°所以，兩個(gè)距離最近的鈉離子中心間的距離為V2a=