./第一章1.Whatisawafer?Whatisasubstrate?Whatisadie?什么是硅片,什么是襯底,什么是芯片答：硅片是指由單晶硅切成的薄片；芯片也稱為管芯〔單數(shù)和復數(shù)芯片或集成電路〕；硅圓片通常稱為襯底。2.Listthethreemajortrendsassociatedwithimprovementinmicrochipfabricationtechnology,andgiveashortdescriptionofeachtrend.列出提高微芯片制造技術相關的三個重要趨勢,簡要描述每個趨勢答:提高芯片性能:器件做得越小,在芯片上放置得越緊密,芯片的速度就會提高。提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趨于芯片壽命的功能的能力。為提高器件的可靠性,不間斷地分析制造工藝。降低芯片成本：半導體微芯片的價格一直持續(xù)下降。3.Whatisthechipcriticaldimension<CD>?Whyisthisdimensionimportant?什么是芯片的關鍵尺寸,這種尺寸為何重要答：芯片的關鍵尺寸〔CD〕是指硅片上的最小特征尺寸；因為我們將CD作為定義制造復雜性水平的標準,也就是如果你擁有在硅片某種CD的能力,那你就能加工其他所有特征尺寸,由于這些尺寸更大,因此更容易產生。4.Describescalinganditsimportanceinchipdesign.描述按比例縮小以與在芯片設計中的重要性答：按比例縮小：芯片上的器件尺寸相應縮小是按比例進行的重要性：為了優(yōu)電學性能,多有尺寸必須同時減小或按比例縮小。5.WhatisMoore'slawandwhatdoesitpredict?什么是摩爾定律,它預測了什么答：摩爾定律：當價格不變時,集成電路上可容納的晶體管數(shù),月每隔18個月便會增加1倍,性能也將提升1倍。預言在一塊芯片上的晶體管數(shù)大約每隔一年翻一番。第二章6.Whatistheadvantageofgalliumarsenideoversilicon?砷化鎵相對于硅的優(yōu)點是什么答：優(yōu)點：具有比硅更高的電子遷移率；減小寄生電容和信號損耗的特性；集成電路的速度比硅電路更快；材料的電阻率更大。7.Whatistheprimarydisadvantageofgalliumarsenideoversilicon?砷化鎵相對于硅的主要缺點是什么答：主要缺點：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有劇毒性在設備,工藝和廢物清除設施中特別控制。第三章8.Whatisanactivecomponent?Givetwoexamplesofthistypeofcomponent.什么是無源元件,舉出兩個無源元件的例子答：有源器件：在不需要外加電源的條件下,就可以顯示其特性的電子元件。例子：電阻,電容。9.Whataresomenotablecharacteristicsofbipolartechnology?Whatisbiggestdrawbacktobipolartechnology?雙極技術有什么顯著特征,雙極技術的最大缺陷是什么答：顯著特征：高速,耐久性和功率控制能力。最大缺陷：功耗高。10.Whatarethebenefitsofthefield-effecttransistor<FET>?場效應管有什么優(yōu)點答：低電壓和低功耗。11.WhatarethetwobasictypesofFETs?Whatisthemajordifferencebetweenthem?FET的兩種基本類型是什么,他們之間的主要區(qū)別是什么答：類型：結型〔JFET〕和金屬-氧化物型〔MOSFET〕半導體。區(qū)別：MOSFET作為場效應管晶體輸入端的柵極由一層薄介質與晶體管的其他兩極絕緣。JFET的柵極實際上同晶體管其他電極形成物理的pn結。12.WhatarethetwocategoriesofMOSFETs?Howaretheydistinguishablefromoneanother?MOSFET有哪兩種類型,他們怎樣區(qū)分答：類型：nMOS〔n溝道〕和pMOS〔p溝道〕區(qū)分方法：可有各自器件的多數(shù)載流來區(qū)別。13.WhattwoICtechnologiesareusedinBiCMOS?BiCMOS使用了哪兩種集成電路技術答：采用了CMOS和雙極技術14.Whatcouldadigital/analog<D/A>converterchipbeusedfor?Whatcouldananalog/digital<A/D>chipbeusedfor?數(shù)模轉換器芯片能用做什么,模數(shù)轉換器芯片能用做什么答：數(shù)/模轉化器芯片可用來提供用做電子機械設備的控制模擬驅動信號。模/數(shù)轉換器芯片可用來測量模擬驅動信號的輸出。15.Explainthedifferencebetweenanenhancement-modetransistoranddepletion-modetransistorwithregardstotheirstandbycondition.解釋增強型晶體管和耗盡型晶體管使用情況的區(qū)別答：增強型晶體管很好地工作于數(shù)字陸機應用中,只需要單極的輸入信號控制場效應晶體管。耗盡型被已經存在的閉合溝道部分開啟。輸入電壓可以在一個方向變化以提高流過溝道的電流,或者在相反方向降低流過的溝道電流。如果柵極的輸入電壓在反向更大地提高,耗盡型晶體管將會斷開。第四章16.Whyisitnecessarytohavemonocrystalsiliconforwaferfabrication?為什么要用單晶進行硅片制造答：半導體芯片加工需要純凈的單晶硅結構,這是因為單胞重復的單晶結構能夠提供制作工藝和器件特性所需要的電學和機械性質。糟糕的晶體結構和缺陷導致微缺陷的形成。17.WhichcrystalplaneorientationismostcommonMOS?Whichismostcommonforbipolar?MOS器件中用的最多的是哪種方向晶向,雙極型用的最多的是哪幾種答：MOS：<100>面的硅片；雙極型：〔111〕面的硅片18.Definecrystalgrowth.WhatistheCZmethodforcrystalgrowth?定義晶體生長,什么是CZ單晶生長法答：晶體生長：是把半導體級硅的多晶硅塊轉換成一塊大的單晶硅。CZ單晶生長法：是熔化了的半導體級硅液體變?yōu)橛姓_晶向并且被摻雜成n型或p型的固體硅錠。19.Listsevenwaferqualityrequirementsforasiliconwafer.列舉硅片的七種質量要求答：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶體缺陷；顆粒；體電阻率20.Whatisanepitaxiallayer,andwhyisitusedonwafers?什么是外延層,為什么在硅片上使用它答：在某種情況下,需要硅片有非常純的與襯底有相同晶體結構的硅表面,還要保持對雜質類型和濃度的控制,這要通過在硅表面沉積一個外延層來達到。原因是外延層在優(yōu)化pn結的擊穿電壓的同時降低了集電極電阻,在適中的電流強度下提高了器件速度。外延在CMOS集成電路中變得重要起來,因為隨著器件尺寸不斷縮小它將閂鎖效應降到最低。外延層通常是沒有玷污的。第八章21、Whatisplasma?WhyisRFenergyusedinplasma?什么是等離子體,為什么要在等離子體中使用RF能量答：等離子是一種中性,高能量,離子化的氣體,包含中性原子或分子,帶電離子和自由電子。RF能量的使用可以產生一個高功效的等離子體。第九章Listthesixdistinctproductionareasinawaferfabandgiveashortdescriptionofeacharea.列出芯片廠中6個不同的生產區(qū)域并對每一個區(qū)域做簡單的描述答：擴散：擴散區(qū)一般認為是進行高溫工藝與薄膜沉積的區(qū)域。光刻：使用黃色瑩光管照明使得光刻區(qū)與芯片廠中的其他各個區(qū)明顯不同?？涛g：是在硅片上沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形。離子注入：采用高電壓和磁場來控制并加速離子。薄膜生長：主要負責生產各個步驟當中的介質層與金屬層的沉積。拋光：為了使硅片表面平坦化,是通過將硅片表面突出的部分減薄到下凹部分的高度實現(xiàn)。Identifythethreeproductionareaswherephotoresistcoatedwaferscanbefound.確定有光刻膠覆蓋硅片的三個生產區(qū)域答：光刻區(qū),刻蝕區(qū)和離子注入區(qū)Whatisthepurposeoftheetchprocess?Namethemostcommontoolsusedinthisarea?刻蝕工藝的目的是什么,這個區(qū)中最常用的設備是什么答：目的：硅片上沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形。常用設備：等離子刻蝕機,等離子體去膠機和濕法清洗設備。Whatarethereasonsforthethermalannealprocessafterionimplantation?離子注入后進行退火工藝的原因是什么答：可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質向硅中移動；可使注入引入的損傷得到修復；使雜質原子與硅原子間的共價鍵被激活,使得雜質原子成為晶格結構中的一部分。26、Whatisshallowtrenchisolation<STI>?Whatprocessdiditreplace?什么是淺槽隔離〔STI〕,它取代了什么工藝答：淺槽隔離〔STI〕是在襯底制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。取代了局域氧化工藝〔LOCOS〕第十章27、Whatisthedifferencebetweenagrownandadepositedoxidelayer?生長氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么答：在升溫環(huán)境里,通過外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應,可以在硅片上得到一層熱生長的氧化層；沉積的氧化層可以通過外部供給氧氣和硅源,使它們在腔體中反應,從而在硅片表面形成一層薄膜。28、Describethefieldoxidelayer,andstateitsrangeofthickness.描述場氧化層與其厚度X圍答：場氧化層：抑制金屬層的電荷堆積的厚氧化層X圍：2500~12000*10^-10〔A上面一個圈〕之間29、Whyisthegateoxidethermallygrown?為什么刪氧要用熱生長答：因為柵氧與其下的Si具有高質量和穩(wěn)定性的特點,柵氧一般通過熱生長獲得。30、Listsixapplicationsforthermaloxidesinwaferfabricationandgiveapurposeforeachapplication.列出熱氧化物的硅片制造的六種用途,并給出各種用途的目的答：金屬層間絕緣阻擋層：用做金屬連線間的保護層。注入屏蔽氧化層：用于減小注入夠到和損傷。勢氧化層：做氧化硅緩沖層以減小應力。摻雜阻擋層：作為摻雜或注入雜質到硅片中的掩蔽材料。阻擋氧化層：保護有源器件和硅免受后續(xù)工藝的影響。柵氧化層：用做MOS晶體管柵和源漏之間的介質。31.Ifanoxidelayeristhermallygrowritobe2,000Athick,howmuchsiliconisconsumed?如果熱生長氧化層厚度為2000A,那么Si消耗多少答：920A〔每生長1000A的氧化物,就有460A的硅被消耗〕32.ListthefourtypesofoxidechargesSi/Si02interface.列出Si/Si02界面處的4種氧化物電荷答：正的電荷。負的電荷。界面陷阱電荷。可移動氧化物電荷33.Givetwoadvantagestousingchloijinatedagentsduringoxidation.舉出氧化工藝中摻氯的兩個優(yōu)點答：優(yōu)點：可以中和界面處的電荷堆積；能使氧化速率提高10%到15%。Whateffectdoesdopinghaveonoxidegrowth?摻雜對氧化物生長的影響是什么答：重摻雜的硅要比輕摻雜的氧化速率快。35、Explaintheeffectfromcrystalorientationonoxidegrowth.解釋晶體晶向對氧化物生長的影響答：線性氧化物速率依賴于晶向的原因是〔111〕面的硅原子密度比〔100〕面的大。因此,在線性階段,〔111〕硅單晶的氧化速率將比〔100〕稍快,但是〔111〕的電荷堆積更多。36、Pressurehaswhateffectonoxidegrowth?壓力對氧化物生長的影響是什么答：生長速率隨著壓力增大而增大。高壓強迫使氧原子更快地穿越正在生長的氧化層,這對線性和拋物線速率系數(shù)的增加很重要。這就允許降低溫度但仍保持不變的氧化速率,或者在相同溫度下獲得更快的氧化生長。氧化生長的經驗法則表明,每增加一個大氣壓的壓力,相當于爐體溫度降低30攝氏度。37、Whatarethefivecomponentsinaverticalfurnacesystem?立式爐系統(tǒng)的五部分答：工藝腔,硅片傳輸系統(tǒng),氣體分配系統(tǒng),尾氣系統(tǒng),溫腔系統(tǒng)38Whatisarapidthermalprocessor<RTP>?Whataresixadvantagesithasovertheconventionalfurnace?什么是快速熱處理,相比于系統(tǒng)爐其6大優(yōu)點是什么答：快速熱處理是在非常短的時間內,將單個硅片加熱至400~1300攝氏度X圍內的一種方法。優(yōu)點：減小熱預算。硅中雜質運動最小。減小玷污,這歸功于冷壁加熱。由于較小的腔體體積,可以達到清潔的氣氛。更短的加工時間。加大熱梯度。38DescribehowanRTPheatsawafer.IsanRTPtypicallyahotwallorcoldwallheatingsystem描述RTP如何對單個硅片加熱,RTP是熱壁系統(tǒng)還是冷壁系統(tǒng)答：是冷壁系統(tǒng)第十一章Listanddescribethethreestagesofthinfilmgrowth.列舉并描述薄膜生長的三個階段答：第一步是晶核形成：成束的穩(wěn)定小晶核形成,這一步發(fā)生在起初少量原子或分子反應物結合起來,形成附著在硅片表面的分離的小膜層的時候。晶核直接形成于硅片表面,是薄膜進一步生長的基礎；第二步是聚集成束,也稱為島生長。這些隨機方向的島束依照表面的遷移率和束密度來生長。島束不斷生長,直到第三步即形成連續(xù)的膜,這些島束匯聚合并形成固態(tài)的薄層并延伸鋪滿襯底表面。40、Listthefivemajortechniquesfordeposition.列出沉積的5種主要技術答：化學氣相淀積〔cvd〕電鍍物理氣相淀積〔pvd或濺射〕蒸發(fā)旋涂方法41、ExplainAPCVD.WhatistheprincipaldisadvantagewithAPCVDSi02,usingsilaneasasource?解釋APCVD,使用APCVDSiO2的主要問題是什么,是用硅烷作為反應源嗎答：常壓化學氣相淀積；傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質〔ILD〕,保護覆蓋物或者表面平坦化；不是使用硅烷作為反應源42、WhatCVDtoolisusedtodepositthepolysilicongatematerial?Listsixreasonswhypolysiliconisusedasagateelectrode沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具,列舉多晶硅作為柵電極的6個原因答：采用LPCVD工具；1.通過摻雜可得到特定的電阻；2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；3和后續(xù)高溫工藝的兼容性；4.比金屬電極更高的可靠性；5.在陡峭的結構上淀積的均勻性；6。實現(xiàn)柵的自對準工藝。StatesixadvantagestousingplasmaduringCVD.CVD過程中采用等離子體的優(yōu)點有哪些答：1.更高的工藝溫度〔250-450℃〕；2.對高的深寬比間隙有好的填充能力<用高密度等離子體>；3.淀積的膜對硅片有優(yōu)良的粘附能力；4.高的淀積速率；5.少的針孔和空洞,因而有高的膜密度；6.工藝溫度低因而應用廣泛。44、ExplainwhatHDPCVDis.WhatareitsmainbenefitsinadvancedICs?解釋HDPCVD,它在IC中有什么優(yōu)勢答：高密度等離子體化學氣相淀積；HDPCVD在IC中的優(yōu)勢是有良好的間隙能力,并可以在300-400℃較低的淀積溫度下,制備出能夠填充高深寬比間隙的膜。45、DescribetheeffectwaferbiasinghasonHDPCVDdirectionality.描述硅片偏置對HDPCVD方向性的影響答：使HDPCVD能夠淀積得到的膜可以填充深寬比為3:1到4:1甚至更高的間隙46.ExplainsimultaneousdepositionandetchingforHDPCVD.Whatisthevalueforthetypicaldep-etchratio?解釋HDPCVD中同步沉積和刻蝕。典型深寬比的值是什么答：它是采用材料填充高深寬比的間隙并且無空洞形成的基礎。3:147、WhatareLOCOSandSTI〔寫中英文全稱〕?WhyhasSTIreplacedLOCOSforadvancedICs?ListtheprocessingstepsforSTI.什么是LOCOS和STI〔寫中英文全稱〕,為什么在高級IC中STI取代了LOCOS,列舉STI的工藝步驟答：LOCOS:硅的局部氧化隔離localoxidationofsiliconSTI：淺槽隔離shallowtrenchisolation原因：1.更有效的器件隔離的需要,尤其是對DRAM器件而言對晶體管隔離而言,表面積顯著減小。超強的閂鎖保護能力。對溝道沒有侵蝕。與CMP的兼容步驟：阻擋層和線性氧化層第十三章Describethedifferencebetweenareticleandaphotomask.描述投影掩膜版和光掩膜版的區(qū)別答：投影掩膜版它包括了要在硅片上重復生成的圖形。這種圖形可能僅包含一個管芯,也可能是幾個光掩膜版通常稱為掩膜版,包含了對于整個硅片來說確定一工藝層所需的完整管芯陣列。Explainthedifferencebetweennegativeandpositivelithography.解釋負性和正性光刻的區(qū)別答：負性光刻把掩膜版上圖形相反的圖形復制到硅片表面,正性光刻把與掩膜版上相同的圖形復制到硅片上。主要區(qū)別是所用光刻膠的種類不同Describeaclear-fieldmaskandadark-fieldmask解釋亮場掩膜版和暗場掩膜版答：如果一個掩膜版,其石英板上大部分被鉻覆蓋,它就指的是暗場掩膜版。亮場掩膜版有大面積的透明的石英,而只有很細的鉻圖形。Listtheeightstepsofphotolithography,andgiveashortexplanationofeachstep.列出光刻的8個步驟,并對每一步做出簡要解釋。答：1氣相成底膜：第一步是清洗、脫水和硅片表面成底膜處理。2旋轉涂膠：完成底膜后,硅片要立即采用旋轉涂膜的方法涂上液相光刻膠材料。3軟烘：光刻膠被涂到硅片表面后,必須要經過軟烘去除光刻膠中的溶劑。4對準和曝光：掩膜版與涂了膠的硅片上的正確位置對準。5曝光后烘焙：對于深紫外〔duv〕光刻膠在100℃到110℃的熱板上進行曝光后烘焙是必要的。6顯影：光刻膠上的可溶解區(qū)域被化學顯影劑溶解,將可見的島或者窗口圖形留在硅片表面。7堅膜烘焙：顯影后的熱烘指的就是堅膜烘焙,提高光刻膠對硅片表面的粘附性。8顯影后檢查：一旦光刻膠在硅片上形成圖形,就要進行檢查以確定光刻膠圖形的質量Givetwopurposesofaphotoresistinwaferfabrication.給出硅片制造中光刻膠的兩種目的答：1.將掩膜版圖案轉移到硅片表面頂層的光刻膠中。2.在后續(xù)工藝中保護下面的材料。Listanddescribethetwomajortypesofphotoresist.列出并描述兩種主要的光刻膠答：負性光刻膠和正性光刻膠。負性光刻膠是負相的掩膜圖形形成在光刻膠上、正相掩膜圖形出現(xiàn)在光刻膠上Whatistheresolutionlimitofnegativeresist?Whichresistisusedforsubmicronlithography?什么是負膠分辨率的限制,哪種膠應用在亞微米光刻膠中。答：由于顯影時的變形和膨脹,負性光刻膠通常只有2μm的分辨率。正性光刻膠55.Listanddescribethefourcomponentstoani-lineresist.列出并描述I線光刻膠的4種成分。答：1.樹脂。光刻膠樹脂是一種惰性的聚合物基質,用于把光刻膠中的不同材料聚在一起的粘合劑2.感光劑。是光刻膠材料中的光敏成分,它對光形成的輻射能會發(fā)生反應3.溶劑。使光刻膠保持液體狀態(tài),直到它被涂在硅片襯底上4.添加劑：是專用化學品,用來控制和改變光刻膠材料的特定化學性質或光刻膠材料的光響應特性Whataretwodisadvantagesofanegativephotoresist?負膠的兩大缺點是什么。答：在顯影時曝光區(qū)域由溶劑引起的泡脹；曝光時光刻膠可與氮氣反應從而抑制其交聯(lián)Whatdoesresistthicknessvarywith?光刻膠厚度隨什么變化答：粘度越高轉速越低,光刻膠就越厚Statethefourreasonsforsoftbake.陳述軟烘的4個原因答：1.將硅片上覆蓋的光刻膠溶劑去除；2。增強光刻膠的粘附性以便在顯影時光刻膠可以很好地粘附；3.緩和在旋轉過程中光刻膠膠膜內產生的應力。4.防止光刻膠粘在設備上第十四章Describetherelationshipbetweenlightexposurewavelengthandimageresolution.描述曝光波長和圖像分辨率的關系答：較短的波長可以獲得光刻膠上較小尺寸的分辨率ListanddescribethetwoUVexposuresourcesusedinopticallithography.列出并描述光刻中使用的兩種UV曝光光源答：汞燈和準分子激光Whathappenstoresistsidewallsifthereisexcessiveresistlightabsorbance?如果光刻膠對光的吸收過多側墻會怎樣答：如果光刻膠的吸收過多,光刻膠底部接收的光強度就會比頂部的少很多,會導致圖形側墻傾斜。Whatexcimerlaserisusedasa248nmlightsource?Asa193nmlightsource?哪種激光器用做248nm的光源,193nm的光源是什么答：通常用于深紫外光刻膠的準分子激光器是波長為248nm氟化氪〔KrF〕激光器,193nm的氟化氪激光器大概是作為曝光源的準分子激光器WhatisatypicaldoseexposurelatitudeforaDUVresist?典型的DUV光刻膠曝光劑量的寬容度是多少答：深紫外光刻膠的曝光寬容度是劑量變化X圍在1%左右WhatlensmaterialisusedattheDUVexposurewavelength?DUV波長曝光時使用哪種透鏡材料答：一種合適的透鏡材料是熔融石英,他是深紫外波長X圍內的較少的光吸收,氟化鈣正在作為一種可能的候選透鏡材料Explainhowlenscompactionoccursandwhatproblemitcreates.解釋透鏡壓縮是怎么發(fā)生的,它產生了什么問題答：透鏡壓縮是透鏡材料結構上的重新排列導致透鏡材料增密,壓縮發(fā)生在透鏡材料中,包括熔融石英它可以增加激光束穿過區(qū)域的透鏡材料的折射率,這將導致圖像質量的損失Whatisnumericalaperture<NA>?Stateitsformula,includingtheapproximateformula.什么是數(shù)值孔徑〔NA〕,陳述它的公式,包括近似公式答：透鏡收集衍射光的能力被稱做透鏡的數(shù)值孔徑,NA=<n>t透鏡的半徑除以透鏡的焦長Statetheformulaforresolution.Whatthreelithographyparametersaffectresolution?陳述分辨率公式。影響光刻分辨率的三個參數(shù)答：R=K*入/NA1,波長入2,數(shù)值孔徑NA3,工藝因子KListandexplainthetwoprimaryproblemsoflightreflectionfromthewafersurface.列出并解釋硅片表面反射引起的最主要的兩個問題答：兩種主要的光反射問題是反射切口和反射駐波,在刻蝕形成的垂直側墻表面,反射光到不需要曝光的光刻膠中就會形成反射切口,光刻中一個光波反射和干涉的例子是駐波現(xiàn)象駐波本質上降低了光刻膠成像的分辨率Whathappenstoresolutionifthelightwavelengthdecreases?IfNAgoesup?如果光波長減小分辨率會有什么變化,如果NA增加了呢答：光波長減小分辨率提高,]。如果NA增加分辨率提高CalculatetheresolutionofascannerifX=248nm,NA=0.65,andk=0.6.計算掃描光刻機的分辨率,假設波長是248nm,NA=0.65,K是0.6答：0.6*248/0.65=228.9R=K*入/ＮＡWritetheequationtocalculateDOF.寫出計算焦深的公試答：DOF=入/〔2*NA〕2Whathappenstodepthoffocusasresolutioninreases?當分辨率增加時焦深會發(fā)生什么變化答：焦深減小72、Whatmaterialisusedtomakeareticle?Whatopaquematerialispatternedonareticle?使用什么材料制作投影掩膜板,投影掩膜板上形成圖形的不透明材料是什么答：最主要的是用于亞微米光刻的投影掩膜版襯底材料是熔融石英。不透明材料是一薄層鉻第十五章74、Explainresistselectivityandwhetheritshouldbehighorlow.解釋光刻膠選擇比,要求的比例是高還是低答：顯影也應具有選擇性,高的顯影選擇性比意味著顯影液與曝光的光刻膠反應得快。要求比例低75、Whyisapost-developinspectionperformed?為什么要進行顯影后檢查答：為了查找光刻膠中成形圖形的缺陷,鑒別并除去有缺陷的硅片,用來檢查光刻工藝的好壞,為光學光刻工藝生產人員提供用于糾正的信息７６光學光刻技術的改進有哪些方面？答：1.減小紫外線光源波長；2.提高光學光刻工具的數(shù)值孔徑；3.化學放大深紫外光刻膠；4.分辨率提高技術；5.硅片平坦化；6.光學光刻設備的先進性。77、Listfouralternativelithographymethodsunderevaluationfornext-generationlithography.列舉下一代光刻技術中4種正在研發(fā)的光刻技術答：1.極紫外光刻技術〔EUV〕2.離子束投影光刻技術〔IPL〕3.角度限制投影電子束光刻技術〔SCALPEL〕4.X射線光刻技術第十六章78、Whatisthegoalofetching?刻蝕的目的是什么答：目的是為涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形Listthethreemajormaterialcategoriesfordryetch.列出按材料分類的三種主要干法刻蝕答：金屬刻蝕、介質刻蝕、硅刻蝕Describeisotropicandanisotropicetchprofilesandwhatarethedesirableandundesirableaspectsofeachprofile.描述各同向性和各向異性刻蝕剖面,以與在每一種剖面中哪一種是希望的哪一種是不希望的答：各向同性的刻蝕剖面在所有方向上以相同的刻蝕速率進行刻蝕,這將帶來不希望的線寬損失。各向異性的刻蝕剖面即刻蝕只在垂直于硅片表面的方向進行,只有很少的橫向刻蝕。希望剖蝕面是各向異性的。Isadryetchprofileisotropic,anisotropicorboth?Whataboutawetetchprofile?干法刻蝕的剖面是各同向性,各向異性的還是兩者都有,濕法腐蝕的剖面是怎樣的答：兩者都有。詳情請見表16.1Doesdryetchinghavegoodorpoorselectivity?干法刻蝕有高的或低的選擇比答：干法刻蝕通常不能提供對下一層材料足夠高的刻蝕選擇比83、Listtheadvantagesofdryetchoverwetetch.Whatarethedisadvantagesofdryetch?列舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點,干法刻蝕的不足之處是什么答：優(yōu)點：1.刻蝕剖面是各向異性,具有非常好的側壁剖面控制2.好的CD控制。3.最小的光刻膠脫落或粘附問題4.好的片內、片間、批次間的刻蝕均勻性5.較低的化學制品使用和處理費用。缺點：對下層材料的差的刻蝕選擇比、等離子體帶來的器件損傷和昂貴的設備84、一個成功的干法刻蝕要求是哪些方面？Listsixrequirementsforsuccessfuldryetch.列出在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應的六種方法答：1.對不需要刻蝕的材料的高選擇比獲得可接受的產能的刻蝕速率好的側壁剖面控制好的片內均勻性低的器件損傷6.寬的工藝制造窗口85、Whatgaschemistriesareusedforsilicondioxide,aluminum,siliconandphotoresist?二氧化硅,鋁,硅和光刻膠刻蝕分別使用什么化學氣體來實現(xiàn)干法刻蝕答：刻蝕硅采用的化學氣體為CF4/O2和CL2.刻蝕二氧化硅采用的化學氣體為CHF3.刻蝕鋁采用的化學氣體為CL2和BCL2.刻蝕光刻膠采用的化學氣體為O2.86、Describethetungstenetchbackprocess.描述平板反應器答：首先在層間介質二氧化硅中刻出通孔窗口,然后再覆蓋有TiN阻擋層的通孔窗口中淀積W,最后進行干法等離子體反刻刻蝕掉多余的鎢覆蓋層,制作出填滿鎢的通孔。Whatgaschemistriesareusuallyusedforetchingpolysiliconandwhyhasthesechemistriesreplacedfluorinechemistries?哪種化學氣體通常用來刻蝕多晶硅,為什么這種化學氣體替代了氟基化學氣體答：氯氣、溴氣、氯/溴氣原因：因為氟基氣體的刻蝕是各向同性的并且對光刻膠的選擇比一般,為了避免擊掉下一層的氧化物材料,所以選用轟擊離子能量更低的化學氣體。88.Givethreerequirementsforpolysilicongateetch.列出并闡述刻蝕多晶硅的三個步驟答：1.對下層柵氧化層具有高的選擇比非常好的均勻性和可重復性。高度的各向異性第十七章列舉用于硅片制造的5種常用摻雜。答：離子注入,熱擴散,硅漿料,絲網印刷,激光離子注入通常在什么工藝之后？答：光刻。91、列舉離子注人優(yōu)于擴散的7點