電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第39部分：近距離輻射場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)[IEC61000-4-39:2017,Electromagneticcompat國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)I V 12規(guī)范性引用文件 1 13.1術(shù)語(yǔ)和定義 13.2縮略語(yǔ) 34概述 35試驗(yàn)等級(jí) 45.1概述 45.2試驗(yàn)頻率 45.39kHz～150kHz頻率范圍內(nèi)的試驗(yàn)等級(jí) 55.4150kHz～26MHz頻率范圍內(nèi)的試驗(yàn)等級(jí) 65.526MHz～380MHz頻率范圍內(nèi)的試驗(yàn)等級(jí) 75.6380MHz～6GHz頻率范圍內(nèi)的試驗(yàn)等級(jí) 76試驗(yàn)設(shè)備 86.1磁場(chǎng)抗擾度 86.1.1通則 8 8 96.2射頻輻射場(chǎng)抗擾度 7試驗(yàn)布置 7.1磁場(chǎng)抗擾度 7.1.1試驗(yàn)設(shè)施 7.1.2EUT的布置 7.1.3使用輻射環(huán)的試驗(yàn)方法 7.2射頻輻射場(chǎng)抗擾度 7.2.1試驗(yàn)設(shè)施 7.2.2EUT的布置 8試驗(yàn)程序 8.1通則 Ⅱ8.2氣候條件 8.3電磁環(huán)境 8.4EUT的布置和運(yùn)行模式 8.5磁場(chǎng)抗擾度 8.5.19kHz～150kHz的電平設(shè)置程序 8.5.2150kHz～26MHz的電平設(shè)置程序 8.5.3試驗(yàn)實(shí)施 8.6射頻輻射場(chǎng)抗擾度 8.6.1電平設(shè)定程序 8.6.2試驗(yàn)實(shí)施 9試驗(yàn)結(jié)果評(píng)價(jià) 2010試驗(yàn)報(bào)告 20附錄A(規(guī)范性)TEM喇叭天線 21A.1概述 21A.2頻率范圍 21A.4場(chǎng)分布 21A.5TEM喇叭天線的總體設(shè)計(jì) 23附錄B(資料性)試驗(yàn)頻率、等級(jí)和調(diào)制 25B.1概述 B.29kHz～26MHz范圍內(nèi)的磁場(chǎng)發(fā)射體 25B.326MHz～6GHz范圍內(nèi)的無(wú)線電業(yè)務(wù) 25附錄C(資料性)現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn) 27C.1概述 C.2試驗(yàn)程序 C.3試驗(yàn)報(bào)告 參考文獻(xiàn) Ⅲ本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定本文件是GB/T(Z)17626《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》的第39部分。GB/T(Z)17626已經(jīng)發(fā)布——GB/T17626.1—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論；——GB/T17626.2—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.3—2023電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第3部分：射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度——GB/T17626.4—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)；—-GB/T17626.5—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.6—2017電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度；——GB/T17626.7—2017電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、間諧波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則；——GB/T17626.8—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.9—2011電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.10—2017電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.11—2023電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第11部分：對(duì)每相輸入電流小于或等于16A設(shè)備的電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.12—2023電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第12部分：振鈴波抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.13—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.14—2005電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.15—2011電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范；——GB/T17626.16—2007電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)0Hz～150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度——GB/T17626.17—2005電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.18—2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.19—2022電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第19部分：交流電源端口2kHz~150kHz差模傳導(dǎo)騷擾和通信信號(hào)抗擾度試驗(yàn)——GB/T17626.20—2014電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)橫電磁波(TEM)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾——GB/T17626.21—2014電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)混波室試驗(yàn)方法；——GB/T17626.22—2017電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度——GB/T17626.24—2012電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)——GB/T17626.27—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)；—-GB/T17626.28—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.29—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)——GB/T17626.30—2023電——GB/T17626.34—2012電主電源每相電流大于16A的設(shè)備的——GB/T17626.39—2023電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第39部分：近距離輻射場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第39部分：近距離輻V——第1部分：抗擾度試驗(yàn)總論。目的在于提供電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)中有關(guān)試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)的使用性指 據(jù)某些標(biāo)準(zhǔn)給出的發(fā)射限值對(duì)設(shè)備逐項(xiàng)進(jìn)行試驗(yàn)，對(duì)實(shí)際供電系統(tǒng)中諧——第16部分：0Hz~150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)。目的在于建立電氣和電子設(shè)備經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室條件下對(duì)電氣和電子設(shè)備進(jìn)行來(lái)自于如整流系統(tǒng)和/或蓄電池充電時(shí)疊加在直流電——第19部分：交流電源端口2kHz～150kHz差模傳導(dǎo)騷擾和通信信號(hào)抗擾度試驗(yàn)。目的在于——第20部分：橫電磁波(TEM)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn) ——第30部分：電能質(zhì)量測(cè)量方法。目的在——第32部分：高空核電磁脈沖(HEMP)模擬器概述。目的在于提供國(guó)際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級(jí)——第33部分：高功率瞬態(tài)參數(shù)測(cè)量方法。目的在于給出高功率電磁瞬態(tài)響應(yīng)NⅡ特征參數(shù)的信息?！?4部分：主電源每相電流大于16A的設(shè)備的電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)。目的在于建立評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備在經(jīng)受電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化時(shí)的抗擾度的通用——第35部分：高功率電磁(HPEM)模擬器概述。目的在于提供國(guó)際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級(jí)HPEM窄帶(窄譜)和寬帶(寬譜、亞超寬譜和超寬譜)模擬器以及它們作為抗擾度試驗(yàn)與驗(yàn)證設(shè)備時(shí)所需要的相關(guān)信息?！?6部分：設(shè)備和系統(tǒng)的有意電磁干擾抗擾度試驗(yàn)方法。目的在于為評(píng)估設(shè)備和系統(tǒng)對(duì)有意電磁干擾源的抗擾度提供了確定試驗(yàn)水平的方法。——第37部分：諧波發(fā)射試驗(yàn)系統(tǒng)校準(zhǔn)與驗(yàn)證協(xié)議。目的在于為制造商、終端用戶、獨(dú)立實(shí)驗(yàn)室、其他組織機(jī)構(gòu)提供系統(tǒng)化指導(dǎo)，以規(guī)定一定諧波電流發(fā)射范圍內(nèi)適用的合規(guī)狀態(tài)?！?8部分：電壓波動(dòng)和閃爍合規(guī)測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試、驗(yàn)證和校準(zhǔn)協(xié)議。目的在于為由型式試驗(yàn)設(shè)備組成的系統(tǒng)提供定期校準(zhǔn)和驗(yàn)證的指南和方法?！?9部分：近距離輻射場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)。目的在于建立通用的基準(zhǔn)，以評(píng)估暴露于近距離源的輻射射頻電磁場(chǎng)中的電氣電子設(shè)備的抗擾度要求，供其他產(chǎn)品的技術(shù)委員會(huì)、通用標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)引用。 第40部分：調(diào)制或失真信號(hào)功率的數(shù)字測(cè)量方法。目的在于介紹兩種適用于波動(dòng)或非周期負(fù)載下功率量測(cè)量的數(shù)字算法，并說(shuō)明所提出的算法的工作原理。電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第39部分：近距離輻射場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)本文件規(guī)定了電氣和電子設(shè)備暴露在近距離使用的射頻(RF)發(fā)射機(jī)的輻射電磁能量下的抗擾度要求。建立了試驗(yàn)等級(jí)和所需的試驗(yàn)程序。適用頻率范圍為9kHz～6GHz?？紤]了暴露于便攜式發(fā)射裝置的固定安裝設(shè)備，暴露于固定發(fā)射裝置的移動(dòng)設(shè)備，以及暴露于其他移動(dòng)發(fā)射裝置的移動(dòng)設(shè)備。本文件旨在建立一個(gè)通用的基準(zhǔn)，以評(píng)估暴露于近距離輻射源的射頻電磁場(chǎng)中的電氣電子設(shè)備的抗擾度要求。本文件并不取代IEC61000-4-3和IEC61000的其他部分規(guī)定的電氣電子設(shè)備對(duì)輻射電磁能量的一般抗擾度要求，僅適用于設(shè)備或系統(tǒng)暴露于近距離騷擾源時(shí)。本文件中，“近距離”一般是指發(fā)射源和受影響設(shè)備間的距離，頻率高于26MHz時(shí)距離不大于200mm,頻率低于26MHz時(shí)距離不大于500mm。本文件的試驗(yàn)方法描述了評(píng)估設(shè)備或系統(tǒng)在各自的頻率范圍內(nèi)對(duì)特定現(xiàn)象抗擾度的一致方法。產(chǎn)品委員會(huì)將考慮試驗(yàn)的適用性，且在必要時(shí)，根據(jù)受試設(shè)備(EUT)、頻率范圍、本文件涉及與RF磁場(chǎng)和電磁場(chǎng)相關(guān)的抗擾度試驗(yàn)，這些電磁場(chǎng)來(lái)自于任何靠近其他電氣電子設(shè)備或系統(tǒng)的源。本文件為獨(dú)立的試驗(yàn)方法。當(dāng)宣稱符合本文件時(shí)，不宜采用其他試驗(yàn)方法來(lái)代替本文件提出的2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于IEC60050-161國(guó)際電工詞匯(IEV)第161章：電磁兼容[InternationalElectrotechnicalVocab-ulary(IEV)—Chapter161:ElectromagnetiIEC60050-161界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。ISO和IEC的術(shù)語(yǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)通過(guò)下述網(wǎng)址訪問(wèn)：2電磁兼容性electromagneticcompatibility;EMC設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的任何可能引起裝置、設(shè)備系統(tǒng)性能降低或者對(duì)生物或非生物產(chǎn)生不良影響的電磁現(xiàn)象。[電磁]發(fā)射(electromagnetic)emission從源向外發(fā)出電磁能的現(xiàn)象。存在于給定場(chǎng)所的所有電磁現(xiàn)象的總和。天線的電磁場(chǎng)區(qū)域，其中體現(xiàn)能量傳播的電磁場(chǎng)分量占支配地位，并且電磁場(chǎng)的角分布基本與離天線的距離無(wú)關(guān)。場(chǎng)強(qiáng)fieldstrength場(chǎng)的電或磁的分量。[對(duì)騷擾的]抗擾度immunity(toadisturbance)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)面臨電磁騷擾不降低運(yùn)行性能的能力?？箶_度試驗(yàn)電平immunitytestlevel進(jìn)行抗擾度試驗(yàn)時(shí)，用來(lái)模擬電磁騷擾試驗(yàn)信號(hào)的電平。3AM:幅度調(diào)制(AmplitudeModulation)CDMA:碼分多址(CodeDivisionMultiplDECT:數(shù)字增強(qiáng)無(wú)繩通信(DigitalEEUT:受試設(shè)備(EquipmentUnderTest)FM:頻率調(diào)制(FrequencyGSM:全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GlobalSystemforLTE:長(zhǎng)期演進(jìn)(LongTermERFID:射頻識(shí)別(Radio-frequencyIdentification)TEM:橫電磁波(TransverseElectromagnetic)TETRA:泛歐集群無(wú)線電(Trans-EuropeanTrunkedRadio)WLAN:無(wú)線局域網(wǎng)(WirelessLocalAreaNetwork)EUT對(duì)于來(lái)自射頻發(fā)射機(jī)騷擾的抗擾度能用幾種不同的方式試驗(yàn)，包括那些在IEC61000-4-3、射頻場(chǎng)(頻率高于26MHz)中發(fā)射機(jī)與設(shè)備之間的間隔距離不大于200mm,磁場(chǎng)(頻率低于26MHz)中的間隔距離不大于500mm。已考慮暴露于便攜式發(fā)射裝置的固定安裝設(shè)備4本文件考慮的電磁騷擾僅限于連續(xù)窄帶信號(hào)(如高達(dá)1kHz的脈沖調(diào)制或AM),但不包括本質(zhì)上試驗(yàn)中施加的試驗(yàn)等級(jí)宜根據(jù)發(fā)射裝置的預(yù)期最大輸出功率以及其發(fā)射天騷擾影響的設(shè)備之間可能的或規(guī)定的間隔距離來(lái)選擇。附加信息見附錄B。不要求在本文件涵蓋的整個(gè)頻率范圍內(nèi)連續(xù)進(jìn)行試驗(yàn)。相反，應(yīng)根5施加的試驗(yàn)信號(hào)應(yīng)按下列條件選擇每個(gè)頻率范圍的步進(jìn)。a)低于26MHz的頻段，頻率步進(jìn)用線性步進(jìn)規(guī)定(見8.5.3的表5)。b)26MHz以上，頻率步進(jìn)規(guī)定為當(dāng)前頻率的1%,除非試驗(yàn)在特定無(wú)線傳輸頻段進(jìn)行。c)此外，在關(guān)注的頻點(diǎn)上可進(jìn)行點(diǎn)頻試驗(yàn)。d)如果試驗(yàn)在特定無(wú)線傳輸頻段進(jìn)行，選擇所選頻段的中心頻率作為頻率步進(jìn)的起始點(diǎn)。然后以當(dāng)前頻率1%的步進(jìn)在高于中心頻率的頻點(diǎn)上進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)同樣以當(dāng)前頻率-1%的步進(jìn)在低于中心頻率的頻點(diǎn)上進(jìn)行。宜另行分析潛在的敏感頻率(如時(shí)鐘頻率),只要這些頻率在被測(cè)的頻率范圍內(nèi)。5.39kHz～150kHz頻率范圍內(nèi)的試驗(yàn)等級(jí)9kHz～150kHz頻率范圍內(nèi)的不均勻磁場(chǎng)的試驗(yàn)等級(jí)由表1給出。112334X注：X為開放等級(jí)，其場(chǎng)強(qiáng)為任意值。該等級(jí)由產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)給表1給出的試驗(yàn)等級(jí)是用于電平設(shè)置的未調(diào)制載波信號(hào)的幅值。對(duì)設(shè)備試驗(yàn)時(shí)，該載波信號(hào)用1kHz的正弦波進(jìn)行80%的AM,以模擬真實(shí)的騷擾源(見圖3和B.2)。圖3中，V,-p為峰峰值電6圖3信號(hào)發(fā)生器輸出產(chǎn)生的80%幅度調(diào)制(AM)試驗(yàn)電平和波形的定義kHz～26MHz頻率范圍內(nèi)的試驗(yàn)等級(jí)kHz～26MHz頻率范圍內(nèi)的不均勻磁場(chǎng)的試驗(yàn)等級(jí)由表2給出。表2不均勻磁場(chǎng)試驗(yàn)等級(jí)，150kHz～26MHz123143X注：表2的試驗(yàn)等級(jí)與表1不同，因?yàn)樗鼈兪腔谠趦蓚€(gè)不同頻率范圍內(nèi)產(chǎn)生騷擾的設(shè)備和業(yè)務(wù)的類型。附錄B旨在為試驗(yàn)等級(jí)的選擇提供指導(dǎo)(另見5.1的最后一段)。表2給出的試驗(yàn)等級(jí)是用于電平設(shè)置的未調(diào)制載波信號(hào)的幅值。對(duì)設(shè)備試驗(yàn)時(shí)，該載波信號(hào)進(jìn)行了脈沖調(diào)制(見圖4和B.2)。脈沖調(diào)制應(yīng)遵循以下參數(shù)。7調(diào)制頻率應(yīng)由產(chǎn)品委員會(huì)酌情選擇。如何進(jìn)行試驗(yàn)的細(xì)節(jié)見第8章。5.526MHz～380MHz頻率范圍內(nèi)的試驗(yàn)等級(jí)26MHz～380MHz頻率范圍內(nèi)的射頻場(chǎng)試驗(yàn)等級(jí)正在考慮中。5.6380MHz～6GHz頻率范圍內(nèi)的試驗(yàn)等級(jí)380MHz～6GHz頻率范圍內(nèi)的射頻場(chǎng)試驗(yàn)等級(jí)由表3給出。1234X注：X為開放等級(jí)，其場(chǎng)強(qiáng)為任意值。該等級(jí)由產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)給表3給出的試驗(yàn)等級(jí)是用于電平設(shè)置的未調(diào)制載波信號(hào)的幅值。對(duì)于設(shè)備試驗(yàn)，該載波信號(hào)進(jìn)行了脈沖調(diào)制(見圖4)。圖4中，V,-p為峰峰值電壓，V…為有效值電壓。脈沖調(diào)制應(yīng)遵循以下參數(shù)?！伎毡龋?0%。 調(diào)制頻率應(yīng)由產(chǎn)品委員會(huì)酌情選擇。8Vms=1.00V圖4信號(hào)發(fā)生器輸出產(chǎn)生的脈沖調(diào)制(50%占空比、217Hz)試驗(yàn)電平和波形的示例本文件不宜在整個(gè)頻率范圍內(nèi)使用單一試驗(yàn)等級(jí)。產(chǎn)品委員會(huì)應(yīng)為每段需要試驗(yàn)的頻率范圍選擇適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)等級(jí)。6試驗(yàn)設(shè)備6.1磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)包括以下設(shè)備：——具有內(nèi)部或外部調(diào)制能力的信號(hào)發(fā)生器；——功率放大器(具有驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載的能力);——磁場(chǎng)傳感器線圈(或);——電壓表；輻射環(huán)線圈應(yīng)具有以下特征?！睆剑?120±10)mm。 9H=75.6×I(A/m)(等于9.5×10?pT/A,如RS101試驗(yàn)所述) (1)式探頭或使用串聯(lián)電阻兩端的電壓測(cè)量來(lái)進(jìn)行真有效值電流測(cè)量?？蓚鞲衅骶€圈的開路電壓U是使用高阻電壓表以伏特為單頻率范圍380MHz～6GHz的近距離抗擾度試驗(yàn)應(yīng)使用TEM喇叭天線。TEM喇叭天線特性應(yīng)符合附錄A規(guī)定。試驗(yàn)區(qū)域宜具有合適的尺寸以容納所有必需的試驗(yàn)設(shè)備，且應(yīng)不受可能影NIRP)的建議等]。EUT宜按正常使用狀態(tài)(臺(tái)式或落地式)放置在不導(dǎo)電、應(yīng)使用制造商指定的電纜類型和連接器。如果沒(méi)有指定EUT的接入和接出線的接線方式，應(yīng)使用非屏蔽平行導(dǎo)線。設(shè)備外殼的接地應(yīng)符合制造商的安裝建議。如果接地與不接地配置都支持，那么兩種情況都應(yīng)進(jìn)行試驗(yàn)。臺(tái)式、便攜式和壁掛式的EUT應(yīng)放置于高度為(0.80±0.05)m的不導(dǎo)電、非磁性支撐物上。對(duì)于落地式設(shè)備，可接受的試驗(yàn)垂直表面下沿距地面(100±50)mm(見圖5和圖6)。圖5使用輻射環(huán)天線的落地式EUT的設(shè)備試驗(yàn)示例——頻率范圍9kHz～150kHz(100mm×100mm窗口尺寸)圖6使用輻射環(huán)天線的落地式EUT的設(shè)備試驗(yàn)示例——頻率范圍150kHz～26MHz(80mm×80mm窗口尺寸)落地式EUT宜放置于高度為(100±50)mm的支撐物上。不導(dǎo)電、低介電常數(shù)的滾輪可用作(100±50)mm高的支撐物。試驗(yàn)配置宜按圖9(見8.5.3)所示進(jìn)行。在設(shè)備正常使用位置，受磁場(chǎng)照射的每個(gè)面應(yīng)按表4規(guī)定劃分為相等的試驗(yàn)區(qū)域。如果由于特定EUT或試驗(yàn)布置的細(xì)節(jié)3mm的允差，則試驗(yàn)距離可有允差的偏離(即大于3mm的允差)。任何此類的偏離應(yīng)記錄在試驗(yàn)報(bào)頻率范圍最大窗口尺寸(120mm環(huán)天線)(100mm環(huán)天線)典型的試驗(yàn)設(shè)施由鋪有吸波材料的、足夠大以容納應(yīng)使用制造商指定的電纜類型和接口。如果沒(méi)有指定EUT的接入和接出線的接線方式，應(yīng)使用非屏落地式EUT宜放置于高度為(100±50)mm的不導(dǎo)電支撐物上(見圖7)。不導(dǎo)電滾輪可用作(100±50)mm高的支撐物。天線放置在距離EUT暴露面(100±5)mm的位置。對(duì)于表面不平整的EUT,調(diào)節(jié)每個(gè)窗口的試驗(yàn)距離，使得該窗口內(nèi)EUT的最近點(diǎn)距離天線(100±5)mm。任何偏離都應(yīng)記錄在試驗(yàn)報(bào)告內(nèi)。圖7使用TEM喇叭天線的落地式EUT設(shè)備試驗(yàn)布置圖8試驗(yàn)程序試驗(yàn)應(yīng)根據(jù)試驗(yàn)計(jì)劃實(shí)施。對(duì)于每次實(shí)施騷擾的每個(gè)試驗(yàn)頻率點(diǎn)，監(jiān)控EUT的響應(yīng)。評(píng)估與試驗(yàn)計(jì)劃中規(guī)定的性能判據(jù)的符合性。除非負(fù)責(zé)制定通用標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)另有規(guī)定，試驗(yàn)室氣候條件應(yīng)在EUT和試驗(yàn)設(shè)備各自制造商所規(guī)定的范圍內(nèi)。如果相對(duì)濕度過(guò)高，以至在EUT或試驗(yàn)設(shè)備上造成了結(jié)露，則不應(yīng)進(jìn)行試驗(yàn)。當(dāng)有足夠證據(jù)證明本文件所涵蓋現(xiàn)象的影響受到天氣條件的影響，則宜提請(qǐng)負(fù)責(zé)本文件的委員會(huì)實(shí)驗(yàn)室電磁環(huán)境應(yīng)確保EUT正確運(yùn)行，保證試驗(yàn)結(jié)果不受影響。所有設(shè)備的試驗(yàn)宜在盡可能接近實(shí)際安裝條件的配置下進(jìn)行。布線應(yīng)符合制造商推薦的程序，除非另有說(shuō)明，設(shè)備應(yīng)安裝在其外殼內(nèi)，全部蓋板和接線面板都應(yīng)安裝到位。試驗(yàn)期間EUT的運(yùn)行條件應(yīng)依照設(shè)備典型和預(yù)期用途，考慮其最敏感的運(yùn)行模式。a)在距離輻射環(huán)天線2m以內(nèi)無(wú)EUT的情況下，將所述的磁場(chǎng)感應(yīng)線圈放置在輻射環(huán)b)將磁場(chǎng)感應(yīng)線圈的輸出連接至高阻電壓表上(見圖8)。c)將信號(hào)發(fā)生器的頻率設(shè)置為試驗(yàn)范圍的最低頻率(如9kHz)。g)使用磁場(chǎng)感應(yīng)線圈對(duì)電壓的轉(zhuǎn)換系數(shù)來(lái)計(jì)算實(shí)際頻率上測(cè)得的場(chǎng)強(qiáng)。測(cè)得的場(chǎng)強(qiáng)與指定試驗(yàn)h)按照不大于表5指定的步進(jìn)增加頻率。i)重復(fù)步驟d)～h),直到序列中的下一頻率會(huì)超過(guò)試驗(yàn)范圍內(nèi)的最高頻率。最后，在該最高頻a)在距離輻射環(huán)天線2m以內(nèi)無(wú)EUT的情況下，將所述的磁場(chǎng)感應(yīng)線圈放置在輻射環(huán)c)將信號(hào)發(fā)生器的頻率設(shè)置為試驗(yàn)范圍內(nèi)的最低頻率(如150kHz)。電平設(shè)置過(guò)程中不應(yīng)使用d)調(diào)節(jié)并記錄所需的前向功率(進(jìn)入輻射環(huán)的)以達(dá)到所期望的試驗(yàn)等級(jí)(用磁場(chǎng)感應(yīng)線圈和測(cè)e)按照不大于表5指定的步進(jìn)增加頻率。f)重復(fù)步驟d)～e),直到序列中的下一頻率會(huì)超過(guò)試驗(yàn)范圍內(nèi)的最高頻率。最后，在該最高頻圖8輻射環(huán)的電平設(shè)置試驗(yàn)應(yīng)根據(jù)試驗(yàn)計(jì)劃實(shí)施。試驗(yàn)是通過(guò)將EUT暴露于基于表1(見5.3和5.4)中規(guī)定的等級(jí)的試驗(yàn)信號(hào)中來(lái)實(shí)施的。試驗(yàn)布置如圖9所示。當(dāng)設(shè)備按照8.3所確定的模式運(yùn)行時(shí)，依據(jù)頻率范圍將輻射環(huán)放置于距離設(shè)備上測(cè)試點(diǎn)(見圖9)(50±3)mm處的測(cè)試距離d處。調(diào)節(jié)輻射環(huán)的平面與設(shè)備面平行。根據(jù)所進(jìn)行的驗(yàn)證(見8.5.1和8.5.2),產(chǎn)生規(guī)定的磁場(chǎng)電平。試驗(yàn)沒(méi)有規(guī)定要在整個(gè)頻率范圍內(nèi)連續(xù)進(jìn)行。具體的試驗(yàn)頻率可由產(chǎn)品委員會(huì)選擇，或可選擇表5中給出的頻率。用第5章的調(diào)制信號(hào)在考慮的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行掃描，必要時(shí)暫停掃描，以調(diào)整射頻信號(hào)電平或切換信號(hào)源和輻射環(huán)。在頻率范圍內(nèi)從低到高進(jìn)行掃描，頻率步進(jìn)如表5所規(guī)定。在每個(gè)頻率步進(jìn)頻點(diǎn)的駐留時(shí)間取決于設(shè)備的反應(yīng)時(shí)間，并應(yīng)足夠長(zhǎng)，使設(shè)備能夠充分響應(yīng)試驗(yàn)信號(hào)。最小駐留時(shí)間為2s。每個(gè)試驗(yàn)頻率上可能需要額外的駐留時(shí)間，以使EUT可在適當(dāng)?shù)墓ぷ髂Ｊ较逻\(yùn)行。駐留時(shí)間應(yīng)記錄在試驗(yàn)報(bào)告中。圖9使用輻射環(huán)對(duì)EUT試驗(yàn)的原理圖頻率范圍將正常使用時(shí)會(huì)受到磁場(chǎng)照射的設(shè)備表面暴露在外。在可行的情況下，宜對(duì)臺(tái)式和便攜式設(shè)備的所有側(cè)面都進(jìn)行試驗(yàn)。對(duì)于落地式設(shè)備，底面不宜進(jìn)行試驗(yàn)。除非通用標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)另有說(shuō)明，否則僅對(duì)EUT中可視為磁場(chǎng)輸入端口的點(diǎn)和表面進(jìn)行磁場(chǎng)照射。下列區(qū)域不要求試驗(yàn)：a)設(shè)備外部固定機(jī)械屏障的表面，該屏障用以防止磁場(chǎng)源被置于距設(shè)備表面小于0.25m的位置上；b)以防止磁場(chǎng)源靠近設(shè)備內(nèi)部有源元器件[傳感器、電纜、印刷電路板(PCB)等]小于0.25m(如塑料外殼后面有空間或僅覆蓋無(wú)源機(jī)械結(jié)構(gòu))的方式構(gòu)造的表面；c)在固定安裝或按照說(shuō)明書使用后，不再能被便攜式射頻發(fā)射機(jī)近距離接觸到的設(shè)備的點(diǎn)和表面(如設(shè)備或區(qū)域的底部和/或靠墻的部分);d)由均勻鐵氧磁性材料(厚度>0.25mm)構(gòu)成的一整塊表面，其中每塊材料在其兩個(gè)相關(guān)尺寸上都超過(guò)環(huán)直徑的150%;e)僅在服務(wù)或維護(hù)過(guò)程中才會(huì)暴露在近距離使用的便攜式發(fā)射裝置產(chǎn)生的電磁場(chǎng)中的EUT的a)將場(chǎng)強(qiáng)探頭放入電波暗室內(nèi)位于沿TEM喇叭天線中心軸線距離其前沿(100±5)mm的位置上(見圖11)。b)將信號(hào)發(fā)生器的頻率設(shè)置為試驗(yàn)范圍的最低頻率(如380MHz)。c)調(diào)節(jié)前向功率以產(chǎn)生一個(gè)目標(biāo)試驗(yàn)電平(如100V/m)。記錄前向功率和場(chǎng)強(qiáng)的讀值。d)在當(dāng)前頻率的基礎(chǔ)上最大增加1%的頻率。e)重復(fù)步驟c)和d)直到序列內(nèi)的下一個(gè)頻率將超過(guò)f)在最高頻率處，打開試驗(yàn)信號(hào)的調(diào)制，并驗(yàn)證試驗(yàn)信號(hào)的調(diào)制是否正確(見圖4)。使用300mm×300mm場(chǎng)均勻性窗口尺寸的TEM喇叭天線的試驗(yàn)示例如圖10所示。在本例圖10使用300mm×300mm窗口尺寸的均勻區(qū)域的試驗(yàn)布置圖示例使用第5章定義的調(diào)制信號(hào)在選定的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行掃描。在頻率范圍內(nèi)從低到高進(jìn)行掃描，頻率步進(jìn)如5.2中的規(guī)定。駐留時(shí)間取決于EUT的反應(yīng)時(shí)間，并應(yīng)足夠長(zhǎng)，使EUT能夠充分響應(yīng)試驗(yàn)信號(hào)。最小駐留時(shí)間為1s。每個(gè)試驗(yàn)頻率應(yīng)至少施加兩個(gè)完整調(diào)制周期的騷擾試驗(yàn)信號(hào)。每個(gè)試驗(yàn)頻率上可能需要額外的駐留時(shí)間，以允許EUT在適當(dāng)?shù)墓ぷ髂Ｊ较逻\(yùn)行。駐留時(shí)間應(yīng)記錄在試驗(yàn)報(bào)在正常運(yùn)行模式下，對(duì)可能會(huì)受到來(lái)自于在近距離使用的便攜式發(fā)射裝置的電磁場(chǎng)照射的設(shè)備的所有表面都應(yīng)進(jìn)行試驗(yàn)。對(duì)于臺(tái)式和便攜式設(shè)備，若可行，宜對(duì)所有表面進(jìn)行試驗(yàn)。對(duì)于落地式設(shè)除非通用標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)另有說(shuō)明，否則僅對(duì)EUT中可視為電磁場(chǎng)輸入端口的點(diǎn)和表面進(jìn)行電磁照射。下列區(qū)域不要求試驗(yàn)：a)帶有外部固定機(jī)械屏障的EUT表面，防止電磁場(chǎng)源被置于距EUT設(shè)備表面小于0.25m的b)防止騷擾源靠近而構(gòu)造的EUT表面，距EUT設(shè)備內(nèi)部有源元器件(傳感器、電纜、PCB等)小于0.25m(如塑料外殼后面有空間或僅覆蓋無(wú)源機(jī)械結(jié)構(gòu));c)在固定安裝或按照說(shuō)明書使用后，不再能被便攜式射頻發(fā)射機(jī)近距離接觸到的設(shè)備的點(diǎn)和表面(如設(shè)備或區(qū)域的底部和/或靠墻的部分);d)用均勻金屬材料(厚度>0.25mm)構(gòu)成的一整塊表面，其尺寸超過(guò)TEM喇叭天線均勻區(qū)域的150%;e)僅在服務(wù)或維護(hù)過(guò)程中才會(huì)暴露在近距離使用的便攜式發(fā)射裝置產(chǎn)生的電磁場(chǎng)中的EUT的表面或區(qū)域。EUT的所有表面應(yīng)劃分成多個(gè)窗口。每個(gè)窗口的物理尺寸根據(jù)附錄A確定。每個(gè)窗口應(yīng)使用TEM喇叭天線在水平和垂直方向(見圖12)上照射。TEM喇叭天線與EUT表面之間的間隔應(yīng)為(100±5)mm。TEM喇叭天線應(yīng)放置在距這些區(qū)域中心的指定距離處，喇叭天線的中軸垂直于EUT的表面。暴露過(guò)程中，宜避免移動(dòng)TEM喇叭天線。如果不能實(shí)現(xiàn)上述布置，例如由于產(chǎn)品特有的凹陷或凸起或附加的電纜，應(yīng)確定和測(cè)試便攜式發(fā)射裝置接近的最關(guān)鍵位置。這種特殊情況應(yīng)記錄在試驗(yàn)報(bào)告中。對(duì)于附加電纜靠近受試EUT表面的情況，TEM喇叭天線不要求被放置在距離電纜小于100mm的位置。對(duì)每個(gè)試驗(yàn)點(diǎn)，監(jiān)視設(shè)備的反應(yīng)。評(píng)估是否符合試驗(yàn)計(jì)劃中規(guī)定的抗擾度性能判據(jù)。圖11電平設(shè)置布置圖12TEM喇叭天線極化方向示例試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)依據(jù)EUT的功能喪失或性能降低現(xiàn)象來(lái)分類，b)本文件第8章要求的試驗(yàn)計(jì)劃中規(guī)定的內(nèi)容；i)判定試驗(yàn)合格/不合格的理由(根據(jù)通用標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的性能判據(jù)或制(規(guī)范性)TEM喇叭天線本附錄介紹了在近距離試驗(yàn)使用的TEM喇叭天線須符合的一系列參數(shù)。這些參數(shù)是基于一些可能被用作潛在輻射體結(jié)構(gòu)的全波數(shù)值分析得出的。對(duì)結(jié)構(gòu)沒(méi)有進(jìn)行描述，以便制造商決定選擇以何種方式來(lái)達(dá)到這些參數(shù)。描述的主要參數(shù)是場(chǎng)均勻性或靠近天線的場(chǎng)分布。本文件描述的參數(shù)為：a)頻率范圍；c)場(chǎng)分布。A.2頻率范圍適用頻率范圍為380MHz～6GHz?？捎靡粋€(gè)以上的天線來(lái)覆蓋此范圍。天線的VSWR應(yīng)不超過(guò)3:1。A.4場(chǎng)分布這種方法最關(guān)鍵的部分是天線的特性。目前的天線近場(chǎng)校準(zhǔn)方法(例如SAEARP958D)是不夠的，因?yàn)檫@些方法不能表征天線口徑上的照射均勻性。本附錄的目的是確保在距離TEM喇叭天線一定距離處施加場(chǎng)的均勻性。場(chǎng)均勻性區(qū)域的大小取決于TEM喇叭天線的能力，從而決定了最大照射面積。因此，本文件沒(méi)有規(guī)定任何關(guān)于天線尺寸的內(nèi)容。具有較大場(chǎng)均勻性區(qū)域的天線可提高試驗(yàn)效率。TEM喇叭天線照射區(qū)域的場(chǎng)強(qiáng)應(yīng)低于距離TEM喇叭天線100mm處的最大場(chǎng)強(qiáng)0dB～4dB的為了驗(yàn)證TEM喇叭天線的場(chǎng)均勻性，應(yīng)使用電波暗室。為了避免反射，可在地面上使用額外的吸在距TEM喇叭天線外正面(100±5)mm處放置一個(gè)小的場(chǎng)強(qiáng)探頭。探頭應(yīng)能測(cè)量單極化場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)。場(chǎng)強(qiáng)探頭的傳感元件尺寸應(yīng)小于TEM喇叭天線開口較小尺寸的1/3。TEM喇叭天線場(chǎng)均勻性的驗(yàn)證程序如下。a)從中心點(diǎn)開始，規(guī)定一個(gè)間距為25mm×25mm的網(wǎng)格，覆蓋所需的均勻區(qū)域。中心點(diǎn)沿TEM喇叭天線的中軸方向。b)將場(chǎng)強(qiáng)探頭置于距TEM喇叭天線前表面(100±5)mm的網(wǎng)格中心點(diǎn)上(見圖A.1和圖A.2)。c)使用適當(dāng)?shù)膱?chǎng)強(qiáng)值(如100V/m),記錄試驗(yàn)或天線規(guī)格內(nèi)的頻率范圍內(nèi)的前向功率和場(chǎng)強(qiáng)讀值(頻率以當(dāng)前頻率的最高1%增加)。d)將場(chǎng)強(qiáng)探頭放置于每個(gè)網(wǎng)格點(diǎn)上，并重復(fù)步驟c)。e)對(duì)所有頻率步進(jìn)，將記錄的前向功率值(場(chǎng)強(qiáng)恒定的情況下)或記錄的場(chǎng)強(qiáng)值(功率恒定的情況下)按從最大值到最小值進(jìn)行排序。f)TEM喇叭天線的可用均勻場(chǎng)區(qū)域定義為所有相鄰的探頭位置在步驟b)～d)記錄的最大場(chǎng)強(qiáng)的0dB～4dB的區(qū)域。圖A.3給出了TEM喇叭天線的場(chǎng)均勻性圖的示例。光纖光纖信號(hào)信號(hào)放大器圖A.1場(chǎng)均勻性驗(yàn)證布置的示例圖A.2場(chǎng)均勻性測(cè)量布置圖A.3口徑為205mm×205mm的TEM喇叭天線在1.5GHz的場(chǎng)均勻性(仿真)示例A.5TEM喇叭天線的總體設(shè)計(jì)TEM喇叭天線的總體設(shè)計(jì)原理如圖A.4所示。俯視圖圖A.4TEM喇叭天線的總體設(shè)計(jì)原理示例(資料性)B.1概述試驗(yàn)等級(jí)的選擇是根據(jù)EUT和電纜在正常安裝環(huán)境下可能被照射的電磁環(huán)境而定的。在選擇使用的試驗(yàn)等級(jí)時(shí)，宜考慮不通過(guò)的后果。如果試驗(yàn)不通過(guò)的危害很大，可能需要選擇更嚴(yán)酷的試驗(yàn)如果EUT只安裝在少數(shù)幾個(gè)場(chǎng)地，那么對(duì)當(dāng)?shù)厣漕l源進(jìn)行檢查就能計(jì)算可能遇到的場(chǎng)強(qiáng)。對(duì)于預(yù)期用于多種場(chǎng)所的設(shè)備，在選擇使用的試驗(yàn)等級(jí)時(shí)可遵循以下指南。B.29kHz～26MHz范圍內(nèi)的磁場(chǎng)發(fā)射體在9kHz～26MHz頻率范圍，有許多新技術(shù)或現(xiàn)有技術(shù)的新應(yīng)用可能會(huì)增加相互作用的可能性?！娮由唐贩辣I(EAS)系統(tǒng)；——訪問(wèn)控制系統(tǒng)(RFID);——磁懸浮軌道系統(tǒng)；——射頻(RF)醫(yī)療程序，如高頻手術(shù)和消融治療；——金屬探測(cè)器；——交通控制中應(yīng)答器的使用；——無(wú)線充電/感應(yīng)電能傳輸。在9kHz～26MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行的業(yè)務(wù)信息見IECTR61000-2-5:2011。對(duì)于9kHz～26MHz頻率范圍內(nèi)的試驗(yàn)頻率、試驗(yàn)等級(jí)和調(diào)制要求見5.2、5.3和5.4。B.326MHz～6GHz范圍內(nèi)的無(wú)線電業(yè)務(wù)這些騷擾源是IEC61000-4-3:2006的附錄G、ISO11451-3和ISO11452-9:2012的附錄A標(biāo)明的，在表B.1中列出。計(jì)算出的場(chǎng)強(qiáng)可用于確定合適的試驗(yàn)等級(jí)，以評(píng)估對(duì)這些無(wú)線電業(yè)務(wù)的抗擾度。表B.1特定射頻無(wú)線通信設(shè)備的試驗(yàn)等級(jí)指南頻段“調(diào)制Wm工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)脈沖調(diào)制通用移動(dòng)無(wú)線電業(yè)務(wù)(GMRS)460,民用無(wú)線電業(yè)務(wù)(FRS)4602調(diào)制Wm脈沖調(diào)制*集成數(shù)字增強(qiáng)型網(wǎng)絡(luò)(iDEN)820,LTE頻段5脈沖調(diào)制2LTE頻段21脈沖