第8章場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.1.1基礎(chǔ)知識(shí)《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.1.2實(shí)驗(yàn)演示《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.1.3提出問(wèn)題《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.1.4結(jié)構(gòu)與工作原理《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.1.5主要參數(shù)跨導(dǎo)gm夾斷電壓UP飽和漏極電流IDSS最大漏-源電壓UDS《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.1.6檢測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的估測(cè)方法結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)包括類(lèi)型及極性檢測(cè)、放大能力檢測(cè)和好壞檢測(cè)?！峨娮釉骷R(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.1.7種類(lèi)《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.1.8場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)命名方法場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)命名現(xiàn)行有兩種方法：第一種方法與三極管相同。第一位“3”表示電極數(shù)；第二位字母代表材料，“D”是P型硅N溝道，“C”是N型硅P溝道；第三位字母“J”代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，“O”代表絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。例如3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS××#，CS代表場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)，#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.2絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.2.1增強(qiáng)型MOS管《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件N溝道增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件增強(qiáng)型NMOS場(chǎng)應(yīng)管需要加合適的電壓才能工作?！峨娮釉骷R(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件檢測(cè)增強(qiáng)型NMOS管的電極檢測(cè)增強(qiáng)型NMOS管的好壞《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.2.2耗盡型MOS管《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.3IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.3.1外形、結(jié)構(gòu)與符號(hào)《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.3.2工作原理《電子元器件知識(shí)與實(shí)踐課堂》圖書(shū)課件8.3.3