半導(dǎo)體器件二1947年12月，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克萊、巴丁和布拉頓，研制出一種晶體管。于是影響人類文明進(jìn)程的晶體管就此誕生,在重要性方面可以與印刷術(shù)、汽車和電話等發(fā)明相提并論。

1956年，這三人因發(fā)明晶體管同時(shí)榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。1947年制造的第一個(gè)晶體管是手工打造，現(xiàn)在一個(gè)針頭的空間就能塞進(jìn)去6000多萬個(gè)32nm晶體管；

新型晶體管FinFET：（鰭式場(chǎng)效晶體管，F(xiàn)inFieldEffectTransistor）；利用一層SiO2絕緣薄膜的絕緣硅（SOI，Silicon-On-Insulator）芯片。晶體管的歷史：半導(dǎo)體及其特點(diǎn)物質(zhì)導(dǎo)電性能導(dǎo)體：如金屬半導(dǎo)體：如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等絕緣體：如橡皮、陶瓷、塑料和石英半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力受外界因素的影響很大：

對(duì)溫度敏感

當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)（可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻）

摻雜

往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，導(dǎo)電能力明顯改變（半導(dǎo)體二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等半導(dǎo)體器件）

對(duì)光照敏感

當(dāng)受到光照時(shí)，導(dǎo)電能力明顯變化(可做成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、三極管、光電池等)半導(dǎo)體的這些特點(diǎn)是由其原子結(jié)構(gòu)決定的，正是由于這些特性，才是半導(dǎo)體器件取得了很大發(fā)展。8.1半導(dǎo)體基本知識(shí)（一）本征半導(dǎo)體定義：純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體下一節(jié)上一頁下一頁返回

應(yīng)用最多的本征半導(dǎo)體為鍺和硅，它們各有四個(gè)價(jià)電子，都是四價(jià)元素.硅的原子結(jié)構(gòu)純凈的半導(dǎo)體其所有的原子基本上整齊排列，形成晶體結(jié)構(gòu)，所以半導(dǎo)體也稱為晶體——晶體管名稱的由來

本征半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)SiSiSiSi共價(jià)鍵價(jià)電子晶體結(jié)構(gòu)中的共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合力，在熱力學(xué)零度和沒有外界能量激發(fā)時(shí)，價(jià)電子沒有能力掙脫共價(jià)鍵束縛，這時(shí)晶體中幾乎沒有自由電子，因此不能導(dǎo)電。

共價(jià)鍵中的電子在獲得一定能量后，即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子同時(shí)在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴?？昭⊿iSiSiSi自由電子電子空穴對(duì)的形成：[AVI1-2]熱激發(fā)與復(fù)合現(xiàn)象由于受熱或光照產(chǎn)生自由電子和空穴的現(xiàn)象---熱激發(fā)自由電子在運(yùn)動(dòng)中遇到空穴后，兩者同時(shí)消失，稱為復(fù)合現(xiàn)象

溫度一定時(shí)，本征半導(dǎo)體中的自由電子—空穴對(duì)的數(shù)目基本不變。溫度愈高，自由電子—空穴對(duì)數(shù)目越多。SiSiSiSi自由電子空穴半導(dǎo)體導(dǎo)電方式

在半導(dǎo)體中，同時(shí)存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體導(dǎo)電方式的最大特點(diǎn)，也是半導(dǎo)體和金屬在導(dǎo)電原理上的本質(zhì)差別。載流子自由電子和空穴

因?yàn)?，溫度愈高，載流子數(shù)目愈多，導(dǎo)電性能也就愈好，所以，溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響很大。SiSiSiSi價(jià)電子空穴當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，自由電子作定向運(yùn)動(dòng)形成電子電流；而空穴的運(yùn)動(dòng)相當(dāng)于正電荷的運(yùn)動(dòng)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理：

當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流

(1)自由電子作定向運(yùn)動(dòng)

電子電流

(2)價(jià)電子遞補(bǔ)空穴空穴電流注意：

(1)本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少,數(shù)量相等，成對(duì)出現(xiàn)，其導(dǎo)電性能很差；(2)溫度愈高，載流子的數(shù)目愈多,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能也就愈好。所以，溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能影響很大。自由電子和空穴都稱為載流子。自由電子和空穴成對(duì)地產(chǎn)生的同時(shí)，又不斷復(fù)合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。（二）雜質(zhì)半導(dǎo)體定義：滲入少量雜質(zhì)的半導(dǎo)體1、P型半導(dǎo)體：向本征半導(dǎo)體中滲入少量的3價(jià)元素下一節(jié)上一頁下一頁返回

摻雜后空穴數(shù)目大量增加，空穴導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。

Si

Si

Si

Si在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。B–硼原子接受一個(gè)電子變?yōu)樨?fù)離子空穴2、N型半導(dǎo)體：向本征半導(dǎo)體中滲入少量的5價(jià)元素下一節(jié)上一頁下一頁返回

摻雜后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。p+

Si

Si

Si

Si多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)電子變?yōu)檎x子

在N

型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。無論N型或P型半導(dǎo)體都有一種載流子占多數(shù)，但整個(gè)晶體仍是不帶電，只是導(dǎo)電能力增強(qiáng)，常在集成電路中作為電阻元件使用。（三）PN結(jié)1、PN結(jié)的形成多子的濃度差多子的擴(kuò)散空間電荷區(qū)少子的漂移……擴(kuò)散=飄移形成穩(wěn)定的PN結(jié)注：PN結(jié)的結(jié)電容很小下一節(jié)上一頁下一頁返回采用專門制造工藝，使一塊硅片的一邊為P型，一邊為N型，在交界面形成PN結(jié)?？臻g電荷區(qū)－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++PN結(jié)的形成演示根據(jù)擴(kuò)散原理，空穴要從濃度高的P區(qū)向N區(qū)擴(kuò)散，自由電子要從濃度高的N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散，并在交界面發(fā)生復(fù)合(耗盡），形成載流子極少的正負(fù)空間電荷區(qū)（如上圖所示），也就是PN結(jié)，又叫耗盡層。

P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)少子漂移

擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡形成一定寬度的PN結(jié)多子擴(kuò)散

形成空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)

促使阻止動(dòng)畫擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：由于濃度差異而形成的運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)：少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)。2、PN結(jié)的特性（1）PN結(jié)外加正向電壓flash2PN結(jié)正偏PN結(jié)正向?qū)ㄍ怆妶?chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反有利于擴(kuò)散進(jìn)行擴(kuò)散>飄移PN結(jié)變窄外部電源不斷提供電荷產(chǎn)生較大的擴(kuò)散電流I正下一節(jié)上一頁下一頁返回動(dòng)畫2、PN結(jié)的特性（2）PN結(jié)外加反向電壓flash3PN結(jié)反偏PN結(jié)反向截止外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相同有利于漂移進(jìn)行飄移>擴(kuò)散PN結(jié)變厚外部電源不斷提供電荷產(chǎn)生較小的反向電流I反

下一節(jié)上一頁下一頁返回動(dòng)畫2、PN結(jié)的特性（3）PN結(jié)的特性：加正向電壓導(dǎo)通加反向電壓截止單方向?qū)щ娦韵乱还?jié)上一頁下一頁返回8.2半導(dǎo)體二極管（一）基本結(jié)構(gòu)下一節(jié)上一頁下一頁返回上一節(jié)PN結(jié)陰極引線鋁合金小球金銻合金底座N型硅陽極引線面接觸型引線外殼觸絲N型鍺片點(diǎn)接觸型陰極陽極(

d

)符號(hào)D實(shí)質(zhì)：一個(gè)PN結(jié)按材料分硅管鍺管按PN結(jié)分點(diǎn)接觸型面接觸型按用途分普通管整流管……PN陽極陰極下一節(jié)上一頁下一頁返回上一節(jié)(a)點(diǎn)接觸型(b)面接觸型

結(jié)面積小、結(jié)電容小、正向電流小。用于檢波和變頻等高頻電路。結(jié)面積大、正向電流大、結(jié)電容大，用于工頻大電流整流電路。(c)平面型

用于集成電路制作工藝中。PN結(jié)結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。（二）伏安特性定義：二極管電流與電壓之間的關(guān)系（1）正向特性二極管外加正向電壓較小時(shí)，外電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散的阻力，PN結(jié)仍處于截止?fàn)顟B(tài)。正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流隨著正向電壓增大迅速上升。通常死區(qū)電壓硅管約為0.5V，鍺管約為0.2V。導(dǎo)通后二極管的正向壓降變化不大，硅管約為0.6-0.8V，鍺管約為0.2-0.3V。溫度上升，死區(qū)電壓和正向壓降均相應(yīng)降低。

反向電壓大于擊穿電壓時(shí)，反向電流急劇增加。（2）反向特性外加反向電壓時(shí)，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)，反向電流很??；

顯然二極管的伏安特性不是直線，因此屬于非線性電阻元件。反向電壓增加到一定大小時(shí)，通過二極管的反向電流劇增，這種現(xiàn)象稱為二極管的反向擊穿。反向擊穿電壓一般在幾十伏以上（高反壓管可達(dá)幾千伏）。反向擊穿現(xiàn)象分有雪崩擊穿和齊納擊穿兩種類型。普通二極管被擊穿后，由于反向電流很大，一般都會(huì)造成“熱擊穿”，熱擊穿不同于齊納擊穿和雪崩擊穿，這兩種擊穿不會(huì)從根本上損壞二極管，而熱擊穿將使二極管永久性損壞。熱擊穿問題

因通常使用二極管時(shí)應(yīng)保證其工作在正向?qū)ɑ蚍聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)，故認(rèn)為二極管正偏則導(dǎo)通，反偏則截止——單向?qū)щ娦訳I0UD近似特性UI0理想特性UI0AABB伏安特性硅鍺正向：OA段（死區(qū)）硅管約0.5V，鍺管約0.2V正向?qū)ü韫芗s0.7V，鍺管約0.3V溫度增加，曲線左移反向：OB段（截止區(qū)）I近似為0擊穿區(qū)管子被擊穿下一節(jié)上一頁下一頁返回上一節(jié)單向?qū)щ娦詣?dòng)畫（三）主要參數(shù)1、IF：額定正向平均電流2、UF：正向電壓降3、UR：最高反向工作電壓4、IRm：最大反向電流以上各值是選擇二極管的依據(jù)下一節(jié)上一頁下一頁返回上一節(jié)以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是利用其單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、鉗位、限幅、保護(hù)等。二極管的選擇（1）要求死區(qū)電壓低時(shí)選鍺管，要求反向電流小時(shí)選硅管。（2）要求反向擊穿電壓高時(shí)選硅管。（3）要求耐高溫時(shí)選硅管。（4）小功率整流管選2CP系列；大功率整流管選2CZ系列；高頻電路選用2AP系列；開關(guān)工作時(shí)選用2AK、2CK系列。RLuiuouiuott例1：二極管半波整流二極管的應(yīng)用——整流cd例2：?jiǎn)蜗鄻蚴秸麟娐穟2tuot二極管的應(yīng)用——鉗位ABD1D2RY+3V0V二極管正向?qū)〞r(shí)的壓降為0.3V二極管D1優(yōu)先導(dǎo)通，所以Y點(diǎn)電位由于此時(shí)二極管D2外加反向電壓，所以截止二極管的應(yīng)用——限幅例1：并聯(lián)二極管限幅電路例2：串聯(lián)二極管限幅電路例3：雙向限幅電路定義：交流直流整流逆變下一節(jié)上一頁下一頁返回上一節(jié)8.3特殊二極管（一）穩(wěn)壓二極管3、主要參數(shù)穩(wěn)定電壓：Uz最小穩(wěn)定電流：Izmin最大穩(wěn)定電流：Izmax1、結(jié)構(gòu)：面接觸型硅二極管U/V2、主要特點(diǎn)：（1）正向特性同普通二極管（2）反向特性a、較小的U較大的Ib、在一定的范圍內(nèi)，反向擊穿具有可逆性IzminIzmaxI/mAUz0下一節(jié)上一頁下一頁返回上一節(jié)正向+-反向+-IZUZ2穩(wěn)壓管的伏安特性：3穩(wěn)壓管穩(wěn)壓原理：

穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。穩(wěn)壓管擊穿時(shí)，電流雖然在很大范圍內(nèi)變化，但穩(wěn)壓管兩端的電壓變化很小。利用這一特性，穩(wěn)壓管在電路中能起穩(wěn)壓作用。穩(wěn)壓管的反向特性曲線比較陡。反向擊穿是可逆的。

U/VI/mA0IZIZMUZ

穩(wěn)壓管實(shí)物圖（二）穩(wěn)壓原理~+—U0RL+C+—UiDzIzIoIR當(dāng)電源波動(dòng)或負(fù)載電流的變化引起Uo變化時(shí)Uo

Uz

Iz

I

=(Iz+Io)UR

=IRUo

=Ui—UR下一節(jié)上一頁下一頁返回上一節(jié)三端固定式集成穩(wěn)壓器：CW7800系列：輸出正電壓CW7900系列：輸出負(fù)電壓如：CW7805表示輸出+5V電壓CW7912表示輸出—12V電壓132三段固定穩(wěn)壓器外形圖下一節(jié)上一頁下一頁返回上一節(jié)（二）發(fā)光二極管單個(gè)發(fā)光二極管實(shí)物發(fā)光二極管是一種能把電能直接轉(zhuǎn)換成光能的固體發(fā)光元件。發(fā)光二極管和普通二極管一樣，管芯由PN結(jié)構(gòu)成，具有單向?qū)щ娦?。左圖所示為發(fā)光二極管的實(shí)物圖。發(fā)光二極管是一種功率控制器件，常用來作為數(shù)字電路的數(shù)碼及圖形顯示的七段式或陣列式器件；單個(gè)發(fā)光二極管常作為電子設(shè)備通斷指示燈或快速光源以及光電耦合器中的發(fā)光元件等。光電二極管反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。IU照度增加符號(hào)發(fā)光二極管有正向電流流過時(shí)，發(fā)出一定波長(zhǎng)范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似，正向電壓較一般二極管高，電流為幾~幾十mA光電二極管發(fā)光二極管下一節(jié)上一頁下一頁返回上一節(jié)8.4半導(dǎo)體三極管1基本結(jié)構(gòu)NNP基極發(fā)射極集電極NPN型BECBECPNP型PPN基極發(fā)射極集電極符號(hào)：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三極管PNP型三極管基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低，控制載流子發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高。發(fā)射載流子發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：集電區(qū)：面積最大，收集載流子。2電流分配和放大原理1.三極管放大的外部條件BECNNPEBRBECRC發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏PNP發(fā)射結(jié)正偏VB<VE集電結(jié)反偏VC<VB從電位的角度看：

NPN

發(fā)射結(jié)正偏VB>VE集電結(jié)反偏VC>VB

2.各電極電流關(guān)系及電流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05結(jié)論:1）三電極電流關(guān)系IE=IB+IC2）IC

IB

，

IC

IE

3）

IC

IB把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。實(shí)質(zhì):用一個(gè)微小電流的變化去控制一個(gè)較大電流的變化，是CCCS器件。3.三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO

基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。

進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。從基區(qū)擴(kuò)散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO。動(dòng)畫3.三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律IC=ICE+ICBO

ICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBO

IBEICE與IBE之比稱為共發(fā)射極電流放大倍數(shù)集－射極穿透電流,溫度

ICEO

(常用公式)若IB=0,則

IC

ICE0正常工作時(shí)NPN型PNP型結(jié)論：三極管是一種具有電流放大作用的模擬器件。晶體管電流放大的條件：晶體管內(nèi)部：a）發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度>>基區(qū)>>集電區(qū)；b）基區(qū)很薄。晶體管外部：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。BECIBIEICBECIBIEIC3特性曲線即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。為什么要研究特性曲線：1）直觀地分析管子的工作狀態(tài)2）合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設(shè)計(jì)性能良好的電路重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端共發(fā)射極電路輸入回路輸出回路測(cè)量晶體管特性的實(shí)驗(yàn)線路ICEBmA

AVUCEUBERBIBECV++––––++1.輸入特性特點(diǎn):非線性死區(qū)電壓：硅管0.5V，鍺管0.1V。正常工作時(shí)發(fā)射結(jié)電壓：NPN型硅管

UBE0.6~0.7VPNP型鍺管

UBE0.2~0.3VIB(

A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VOIC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域滿足IC=

IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。當(dāng)UCE大于一定的數(shù)值時(shí)，IC只與IB有關(guān)，IC=

IB。輸出特性曲線是指三極管基極電流IB一定時(shí)，集電極電流IC與集電極、發(fā)射極之間電壓UCE之間的關(guān)系曲線，即ICmA

AVVUCEUBERBIBECEBBCE2.輸出特性動(dòng)畫IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大區(qū)輸出特性曲線通常分三個(gè)工作區(qū)：(1)放大區(qū)在放大區(qū)有IC=

IB

，也稱為線性區(qū)，具有恒流特性。在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O（2）截止區(qū)IB<0以下區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū)，有IC0

。在截止區(qū)發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于截止?fàn)顟B(tài)。飽和區(qū)截止區(qū)（3）飽和區(qū)

當(dāng)UCE

UBE時(shí)，晶體管工作于飽和狀態(tài)。在飽和區(qū)，

IB

IC，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電結(jié)也處于正偏。

深度飽和時(shí)，硅管UCES0.3V，

鍺管UCES0.1V。輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn)(2)飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。即：UCE

UBE

，

IB>IC，此時(shí)IC不再受IB的控制，稱為集電極飽和電流ICS，集、射極電壓UCE=UCES0，相當(dāng)于接通狀態(tài)(3)截止區(qū)：UBE<死區(qū)電壓，IB=0，IC=ICEO

0

三極管工作在放大區(qū)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)電流放大的作用；而工作在截止區(qū)或飽和區(qū)時(shí)，類似一個(gè)開關(guān)的斷開或接通。(1)放大區(qū)（線性區(qū)）：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。即：

,且

IC

=

IB動(dòng)畫開關(guān)動(dòng)畫4主要參數(shù)1.電流放大系數(shù)，

直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)當(dāng)晶體管接成發(fā)射極電路時(shí)，表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設(shè)計(jì)電路、選用晶體管的依據(jù)。注意：和

的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且ICE0較小的情況下，兩者數(shù)值接近。常用晶體管的

值在20~200之間。例：在UCE=6V時(shí)，在Q1點(diǎn)IB=40A,IC=1.5mA；

在Q2點(diǎn)IB=60A,IC=2.3mA。在以后的計(jì)算中，一般作近似處理：

=。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120Q1Q2在Q1點(diǎn)，有由Q1和Q2點(diǎn)，得2.集-基極反向截止電流ICBO

ICBO是由少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)所形成的電流，受溫度的影響大。溫度

ICBO

ICBO

A+–EC3.集-射極反向截止電流(穿透電流)ICEO

AICEOIB=0+–

ICEO受溫度的影響大。溫度

ICEO，所以IC也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差。4.集電極最大允許電流ICM5.集-射極反向擊穿電壓U(BR)CEO集電極電流IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的

值的下降，當(dāng)

值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為ICM。當(dāng)集—射極之間的電壓UCE超過一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給出的數(shù)值是25C、基極開路時(shí)的擊穿電壓U(BR)

CEO。6.集電極最大允許耗散功耗PCMPCM取決于三極管允許的溫升，消耗功率過大，溫升過高會(huì)燒壞三極管。

PC

PCM=ICUCE

硅管允許結(jié)溫約為150C，鍺管約為70

90C。ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)由三個(gè)極限參數(shù)可畫出三極管的安全工作區(qū)ICUCEO晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系1、溫度每增加10

C，ICBO增大一倍。硅管優(yōu)于鍺管。2、溫度每升高1

C，UBE將減小–(2~2.5)mV，即晶體管具有負(fù)溫度系數(shù)。3、溫度每升高1

C，

增加0.5%~1.0%。8.5場(chǎng)效應(yīng)管單極型三