ICS29.240.99

CCSL52T/CEC

中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)標(biāo)準(zhǔn)

T/CECXXXX—XXXX

低溫環(huán)境條件下高壓電氣設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)

實(shí)施導(dǎo)則

第1部分：紅外測(cè)溫

Applicationguideoflivemeasurementforhighvoltageelectricalequipmentatlow

temperature

Part1：Infraredtemperaturemeasurement

征求意見(jiàn)稿

（完成日期：2023年5月21日）

“在提交反饋意見(jiàn)時(shí)，請(qǐng)將您知道的相關(guān)專(zhuān)利連同支持性文件一并附上?！?/p>

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)發(fā)布

T/CECXXXXX—XXXX

I

T/CECXXXXX—XXXX

引言

T/CECXXXX旨在對(duì)低溫環(huán)境條件下高壓電氣設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)實(shí)施提供指導(dǎo)，擬由2個(gè)部分組成。

——第1部分：紅外測(cè)溫。目的在于規(guī)范低溫環(huán)境條件下的高壓電氣設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)工作，為紅外測(cè)

溫檢測(cè)實(shí)施及缺陷判斷提供指導(dǎo)。

——第2部分：介質(zhì)損耗測(cè)試。目的在于規(guī)范低溫環(huán)境條件下的高壓電氣設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)工作，為介

質(zhì)損耗測(cè)試實(shí)施及缺陷判斷提供指導(dǎo)。

I

T/CECXXXXX—XXXX

低溫環(huán)境條件下高壓電氣設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)實(shí)施導(dǎo)則

第1部分：紅外測(cè)溫

1范圍

本文件規(guī)定了-40℃~0℃低溫環(huán)境條件下開(kāi)展紅外測(cè)溫的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)條件、檢測(cè)儀器、檢測(cè)程序、檢

測(cè)結(jié)果處理及檢測(cè)報(bào)告要求等。

本文件適用于低溫環(huán)境條件下，采用紅外熱像儀對(duì)具有電流、電壓致熱效應(yīng)或其他致熱效應(yīng)引起的

各種電氣設(shè)備的狀態(tài)診斷。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T12604.9無(wú)損檢測(cè)術(shù)語(yǔ)紅外熱成像

DL/T664帶電設(shè)備紅外診斷應(yīng)用規(guī)范

3術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T12604.9界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

溫差temperaturedifference

同類(lèi)設(shè)備、相同部位表面溫度之差。

[來(lái)源：DL/T664—2016，3.1，有修改]

3.2

溫升temperaturerise

被測(cè)設(shè)備表面與環(huán)境溫度之差。

3.3

相對(duì)溫差relativetemperaturedifference

兩個(gè)對(duì)應(yīng)測(cè)點(diǎn)之間的溫差與其中較高溫度點(diǎn)的溫升之比的百分?jǐn)?shù)。

[來(lái)源：DL/T664—2016，3.2，有修改]

3.4

電壓致熱型設(shè)備voltage-inductive-heatedequipment

由于電壓效應(yīng)引起發(fā)熱的設(shè)備。

1

T/CECXXXXX—XXXX

[來(lái)源：DL/T664—2016，3.6]

3.5

電流致熱型設(shè)備current-inductive-heatedequipment

由于電流效應(yīng)引起發(fā)熱的設(shè)備。

[來(lái)源：DL/T664—2016，3.7]

4現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)條件

環(huán)境溫度宜不低于-40℃，其他現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)條件應(yīng)符合DL/T664的要求。

5檢測(cè)儀器

5.1工作條件

測(cè)試儀工作條件應(yīng)符合以下要求：

——環(huán)境溫度：-40℃～+50℃；

——環(huán)境濕度：不大于85%RH。

5.2性能要求

測(cè)試儀性能除應(yīng)滿(mǎn)足DL/T664的要求外，還應(yīng)符合如下要求：

a）測(cè)溫范圍：包含-40℃～+200℃，可分段量程；

b）測(cè)溫準(zhǔn)確度：±2℃或讀數(shù)的±2%（取絕對(duì)值大者）；

c）測(cè)試儀應(yīng)能承受不少于3次溫度循環(huán)，溫差變換范圍為-40℃到+20℃；

d）采用電池供電的熱像儀，在-40℃環(huán)境下連續(xù)穩(wěn)定工作時(shí)間不小于2h。

5.3檢測(cè)方法

除按DL/T664的要求進(jìn)行檢驗(yàn)外，還應(yīng)開(kāi)展如下檢測(cè)項(xiàng)目：

a）冷熱溫度循環(huán)

在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境條件下將紅外熱成像儀開(kāi)機(jī)后靜置10min，待其穩(wěn)定后，將紅外熱像儀放置于溫度為

-40℃的恒溫恒濕箱內(nèi)靜置10min，取出紅外熱成像儀再放置于溫度為+20℃的恒溫恒濕箱內(nèi)靜置10min，

重復(fù)上述操作不少于3次，紅外熱成像儀仍可正常工作。

b）低溫環(huán)境條件下的連續(xù)穩(wěn)定工作時(shí)間

將恒溫恒濕箱的溫度設(shè)置為-40℃，將紅外熱成像儀開(kāi)機(jī)穩(wěn)定后，放置于恒溫恒濕箱內(nèi)靜置2h，紅

外熱成像儀仍可正常工作。

6檢測(cè)程序

檢測(cè)程序應(yīng)按照DL/T664的要求執(zhí)行。

7判斷方法

應(yīng)按照DL/T664的要求執(zhí)行。

2

T/CECXXXXX—XXXX

8診斷判據(jù)

8.1溫升計(jì)算方法

溫升計(jì)算方法見(jiàn)公式（1）。

τ1=T1-T0（1）

式中：

τ1—發(fā)熱點(diǎn)溫升：

T1—發(fā)熱點(diǎn)溫度；

T0—被測(cè)設(shè)備區(qū)域的環(huán)境溫度—?dú)鉁亍?/p>

8.2相對(duì)溫差計(jì)算方法

相對(duì)溫差按DL/T664規(guī)定的方法計(jì)算，計(jì)算方法見(jiàn)公式（2）。

δt=（τ1-τ2）/τ1×100%=（T1-T2）/（T1-T0）×100%（2）

式中：

δt——相對(duì)溫差；

τ1和T1——發(fā)熱點(diǎn)的溫升和溫度；

τ2和T2——正常相對(duì)應(yīng)點(diǎn)溫升和溫度；

T0——被測(cè)設(shè)備區(qū)域的環(huán)境溫度—?dú)鉁亍?/p>

8.3缺陷判斷原則

8.3.1電流致熱型設(shè)備缺陷判斷方法

按8.1和8.2中規(guī)定的方法分別計(jì)算得到溫升τ1和相對(duì)溫差δt并按附錄A分別確定缺陷性質(zhì)，取其中

嚴(yán)重者作為缺陷判斷結(jié)果。

8.3.2電壓致熱型設(shè)備缺陷判斷方法

按3.1中定義的方法計(jì)算得到溫差K，診斷判據(jù)見(jiàn)附錄B。

9檢測(cè)報(bào)告要求

檢測(cè)報(bào)告應(yīng)包含如下內(nèi)容，格式見(jiàn)附錄C：

——檢測(cè)對(duì)象；

——檢測(cè)日期；

——檢測(cè)所使用的儀器；

——檢測(cè)環(huán)境參數(shù)；

——缺陷部位；

——缺陷性質(zhì)；

——負(fù)荷（率）。

3

T/CECXXXXX—XXXX

附錄A

（規(guī)范性）

電流致熱型設(shè)備缺陷的診斷判據(jù)

電流致熱型設(shè)備缺陷的診斷判據(jù)見(jiàn)附表A.1。

表A.1電流致熱型設(shè)備缺陷的診斷判據(jù)

缺陷性質(zhì)

設(shè)備類(lèi)別和部位熱像特征故障特征

一般缺陷嚴(yán)重缺陷緊急缺陷

以線(xiàn)夾和接頭為

電器設(shè)備與金20K≤τ1≤

接頭和線(xiàn)夾中心的熱像，熱接觸不良τ1＜20K或τ1＞35K或

屬部件的連接35K或δt≥

點(diǎn)明顯δt≥35%但δt≥95%且

80%但溫度

松股、斷股、老未達(dá)到嚴(yán)重溫差τ1＞

以導(dǎo)線(xiàn)為中心的未達(dá)緊急缺

金屬導(dǎo)線(xiàn)化或截面積不缺陷溫度值20K

熱像，熱點(diǎn)明顯陷溫度值

夠

金屬部件與金

接頭和線(xiàn)夾

屬部件的連接

以線(xiàn)夾和接頭為

輸電導(dǎo)線(xiàn)的連接器（耐張線(xiàn)

中心的熱像，熱接觸不良30K≤τ1≤

夾、接續(xù)管、修補(bǔ)管、并溝線(xiàn)τ1＜30K或τ1＞55K或

點(diǎn)明顯55K或δt≥

夾、跳線(xiàn)線(xiàn)夾、T型線(xiàn)夾、設(shè)δt≥35%但δt≥95%且

80%但溫度

備線(xiàn)夾等）未達(dá)到嚴(yán)重溫差τ1＞

未達(dá)緊急缺

以轉(zhuǎn)頭為中心的轉(zhuǎn)頭接觸不良缺陷溫度值30K

轉(zhuǎn)頭陷溫度值

熱像或斷股

隔離開(kāi)關(guān)

以觸頭壓接彈簧

觸頭彈簧壓接不良

為中心的熱像

以頂帽和下法蘭

為中心的熱像，

動(dòng)靜觸頭

頂帽溫度大于下

法蘭溫度

斷路器壓指壓接不良

以下法蘭和頂帽

為中心的熱像，18K≤τ1≤

中間觸頭τ1＜18K或τ1＞30K或

下法蘭溫度大于30K或δt≥

δt≥35%但δt≥95%且

頂帽溫度80%但溫度

未達(dá)到嚴(yán)重溫差τ1＞

以串并聯(lián)出線(xiàn)頭未達(dá)緊急缺

缺陷溫度值18K

或大螺桿出線(xiàn)夾陷溫度值

電流互感器內(nèi)連接為最高溫度的熱螺桿接觸不良

像或以頂部鐵帽

發(fā)熱為特征

以套管頂部柱頭柱頭內(nèi)部并線(xiàn)

套管柱頭

為最熱的熱像壓接不良

4

T/CECXXXXX—XXXX

缺陷性質(zhì)

設(shè)備類(lèi)別和部位熱像特征故障特征

一般缺陷嚴(yán)重缺陷緊急缺陷

以熔絲中部靠電

熔絲容側(cè)為最熱的熱熔絲容量不夠

電容器像

以熔絲座為最熱熔絲與熔絲座

熔絲座

的熱像之間接觸不良

熱

點(diǎn)

溫

度

＞

7

溫差＞5K，0

溫差＞10K，

以鐵心表面過(guò)熱熱點(diǎn)溫度未℃

直流換流閥電抗器鐵心損耗異常60℃≤熱點(diǎn)

為特征達(dá)到嚴(yán)重缺（

溫度≤70℃

陷溫度值。設(shè)

計(jì)

允

許

限

值

）

δt≥35%但85℃≤熱點(diǎn)

以箱體局部表面漏磁環(huán)（渦）流熱點(diǎn)溫度＞

變壓器箱體未達(dá)到嚴(yán)重溫度≤

過(guò)熱為特征現(xiàn)象105℃

缺陷溫度值105℃

5

T/CECXXXXX—XXXX

附錄B

（資料性）

電壓致熱型設(shè)備缺陷診斷判據(jù)

電壓致熱型設(shè)備缺陷診斷判據(jù)見(jiàn)表C.1。

表C.1電壓致熱型設(shè)備缺陷診斷判據(jù)

設(shè)備類(lèi)別熱像特征故障特征溫差K

10kV澆注式以本體為中心整體發(fā)熱鐵心短路或局部放電增大4

電流互感器以瓷套整體溫升增大，且瓷套上部溫度偏

油浸式介質(zhì)損耗偏大2～3

高

電壓互感器（含10kV澆注式以本體為中心整體發(fā)熱鐵心短路或局部放電增大4

電容式電壓互

介質(zhì)損耗偏大、匝間短路

感器的互感器油浸式以整體溫升偏高，且中上部溫度大2～3

或鐵心損耗增大

部分）

以整體溫升偏高或局部過(guò)熱，且發(fā)熱符合介質(zhì)損耗偏大，電容量變

耦合電容器油浸式

自上而下逐步的遞減的規(guī)律化、老化或局部放電

熱像一般以本體上部為中心的熱像圖，正

常熱像最高溫度一般在寬面垂直平分線(xiàn)介質(zhì)損耗偏大，電容量變

移相電容器

的2/3高度左右，其表面溫升略高，整體化、老化或局部放電2～3

發(fā)熱或局部發(fā)熱

熱像特征呈現(xiàn)以套管整體發(fā)熱熱像介質(zhì)損耗偏大

高壓套管局部放電故障，油路或氣

熱像為對(duì)應(yīng)部位呈現(xiàn)局部發(fā)熱區(qū)故障

路的堵塞

熱像特征是以油面處為最高溫度的熱像，

充油套管瓷瓶柱缺油

油面有一明顯的水平分界線(xiàn)

正常為整體輕微發(fā)熱，較熱點(diǎn)一般在靠近

氧化鋅避雷器10～60kV上部且不均勻，多節(jié)組合從上到下各節(jié)溫閥片受潮或老化0.5～1

度遞減，引起整體發(fā)熱或局部發(fā)熱為異常

正常絕緣子串的溫度分布同電壓分布規(guī)

律，即呈現(xiàn)不對(duì)稱(chēng)的馬鞍型，相鄰絕緣子低值絕緣子發(fā)熱（絕緣電

溫差很小，以鐵帽為發(fā)熱中心的熱像圖，阻在10~300MΩ）

1

其比正常絕緣子溫度高

瓷絕緣子

發(fā)熱溫度比正常絕緣子要低，熱像特征與零值絕緣子發(fā)熱

絕緣子絕緣子相比，呈暗色調(diào)（0~10MΩ）

其熱像特征是以瓷盤(pán)（或玻璃盤(pán)）為發(fā)熱由于表面污穢引起絕緣子

0.5

區(qū)的熱像泄漏電流增大

在絕緣良好和絕緣劣化的結(jié)合處出現(xiàn)局

合成絕緣子部過(guò)熱，隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，過(guò)熱部位會(huì)移傘裙破損或芯棒受潮0.5～1

動(dòng)

6

T/CECXXXXX—XXXX

設(shè)備類(lèi)別熱像特征故障特征溫差K

球頭部位過(guò)熱球頭部位松脫、進(jìn)水